三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM
三星電子近日宣布，公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM，即HBM3E 12H，該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實(shí)現(xiàn)了顯著的提升，這也意味著三星已開(kāi)發(fā)出業(yè)界迄今為止容量最大的新型高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）。
據(jù)悉，HBM3E 12H支持全天候最高帶寬達(dá)1280GB/s，這一數(shù)字相較于前代產(chǎn)品有了顯著的增長(zhǎng)。同時(shí)，其產(chǎn)品容量也達(dá)到了36GB，為高性能計(jì)算應(yīng)用提供了更為強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理能力。
與三星之前推出的8層堆疊的HBM3 8H相比，HBM3E 12H在帶寬和容量上的提升幅度超過(guò)50%。這一重大進(jìn)步不僅體現(xiàn)了三星電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新和領(lǐng)先實(shí)力，也預(yù)示著高性能計(jì)算領(lǐng)域?qū)⒂瓉?lái)更為強(qiáng)勁的發(fā)展動(dòng)力。
HBM3E 12H的發(fā)布，標(biāo)志著三星在高性能存儲(chǔ)器領(lǐng)域的又一重大突破。通過(guò)采用先進(jìn)的12層堆疊技術(shù)，該產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了更高的集成度和更低的功耗，為人工智能、數(shù)據(jù)中心等高性能計(jì)算應(yīng)用提供了更為可靠和高效的硬件支持。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15891瀏覽量
182791 -
存儲(chǔ)器
+關(guān)注
關(guān)注
39文章
7700瀏覽量
170484 -
HBM
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
423瀏覽量
15666
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
三星存儲(chǔ)，開(kāi)始反擊！
錯(cuò)失AI浪潮有關(guān)。 ? 不過(guò)三星顯然并未放棄對(duì)AI領(lǐng)域的投入，近期該公司對(duì)外界暗示可能會(huì)向人工智能巨頭英偉達(dá)提供先進(jìn)的HBM。如果成真，意味著三星將重新與SK海力士站上同一賽道，開(kāi)啟正式反擊。 ? 業(yè)績(jī)大漲的
傳三星 HBM4 通過(guò)英偉達(dá)認(rèn)證，量產(chǎn)在即
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)報(bào)道，有業(yè)內(nèi)人士透露，三星在上個(gè)月向英偉達(dá)提供了HBM4樣品，目前已經(jīng)通過(guò)了初步的質(zhì)量測(cè)試，將于本月底進(jìn)入預(yù)生產(chǎn)階段。如果能通過(guò)英偉達(dá)最后的驗(yàn)證步驟，最早可能在11月或12月
突破堆疊瓶頸：三星電子擬于16層HBM導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)
成為了全球存儲(chǔ)芯片巨頭們角逐的焦點(diǎn)。三星電子作為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，一直致力于推動(dòng) HBM 技術(shù)的革新。近日有消息傳出，三星電子準(zhǔn)備從 16 層
三星Q2凈利潤(rùn)暴跌56%：代工遇冷，HBM業(yè)務(wù)受挫
（電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道 文/章鷹） 7月8日，三星電子發(fā)布初步業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)，由于芯片業(yè)務(wù)低迷和智能手機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，第二季度凈利潤(rùn)下滑56%，達(dá)到4.59萬(wàn)億韓元（34億美元），這是2023年
看點(diǎn)：三星電子Q2利潤(rùn)預(yù)計(jì)重挫39% 星動(dòng)紀(jì)元宣布完成近5億元A輪融資
）這意味著三星電子預(yù)計(jì)其第二季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)暴跌39%。這也是三星六個(gè)季度以來(lái)的最低業(yè)績(jī)水平，同時(shí)，這也意味著三星業(yè)績(jī)連續(xù)第四個(gè)季度下滑。 業(yè)界
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組?；厥?b class='flag-5'>三星指紋排線，收購(gòu)三星指紋排線，全國(guó)高價(jià)回收
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率
三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來(lái)首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使
發(fā)表于 04-18 10:52
三星電容的耐壓與容量，如何滿足不同電路需求？
三星電容的耐壓與容量是滿足不同電路需求的關(guān)鍵因素。以下是對(duì)三星電容耐壓與容量的詳細(xì)分析，以及如何根據(jù)電路需求進(jìn)行選擇的方法： 一、三星電容的
三星與英偉達(dá)高層會(huì)晤，商討HBM3E供應(yīng)
近期，三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門(mén)負(fù)責(zé)人兼副董事長(zhǎng)全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達(dá)公司CEO黃仁勛，在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達(dá)總部舉行了一次重要會(huì)議。此次會(huì)議聚焦于三星電
三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計(jì)，力保HBM4量產(chǎn)
據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。
三星電子將供應(yīng)改良版HBM3E芯片
三星電子在近期舉行的業(yè)績(jī)電話會(huì)議中，透露了其高帶寬內(nèi)存（HBM）的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)。據(jù)悉，該公司的第五代HBM3E產(chǎn)品已在2024年第三季度實(shí)現(xiàn)
三星電子計(jì)劃新建封裝工廠，擴(kuò)產(chǎn)HBM內(nèi)存
三星電子計(jì)劃在韓國(guó)天安市新建一座半導(dǎo)體封裝工廠，以擴(kuò)大HBM內(nèi)存等產(chǎn)品的后端產(chǎn)能。該工廠將依托現(xiàn)有封裝設(shè)施，進(jìn)一步提升三星電子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的
三星擴(kuò)建HBM生產(chǎn)設(shè)施，預(yù)計(jì)2027年完工
三星電子公司近日宣布了一項(xiàng)重大投資決策，計(jì)劃擴(kuò)建其位于韓國(guó)忠清南道的半導(dǎo)體封裝設(shè)施，以提高高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）的產(chǎn)量。這一舉措標(biāo)志著三星在HBM
三星擴(kuò)建半導(dǎo)體封裝工廠，專注HBM內(nèi)存生產(chǎn)
近日，三星電子計(jì)劃在韓國(guó)忠清南道天安市的現(xiàn)有封裝設(shè)施基礎(chǔ)上，再建一座半導(dǎo)體封裝工廠，專注于HBM(High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器)等內(nèi)存產(chǎn)品的生產(chǎn)。據(jù)悉，三星
三星電子或向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)HBM
領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。據(jù)悉，SK海力士已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這一消息無(wú)疑加劇了HBM市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)。 然而，對(duì)于三星
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論