近日，嘉興斯達微電子的高壓特色工藝功率芯片與SiC芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目取得新進展。據(jù)南湖新聞報道，浙江省發(fā)展改革委員會公示了2024年擴大有效投資“千項萬億”工程清單，南湖區(qū)有14個重點項目入選，其中包括嘉興斯達高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目在內(nèi)的三大項目預計今年就將建成并投入運營。

該項目坐落于嘉興南湖區(qū)，投資總額達到20億元人民幣，占地總面積279畝，擬新建建筑20.6萬平方米，包括生產(chǎn)廠房、動力樓以及危險化學品儲藏室等設(shè)施，同時還將采購先進的光刻機、涂膠顯影機等制造工藝設(shè)備。

由嘉興斯達微電子有限公司負責建設(shè)，預計建設(shè)周期從2022年至2024年，2022年1月3日已正式啟動該項目，并計劃在2024年3月投入使用。投產(chǎn)后，預計每年可以生產(chǎn)出36萬片性能卓越的功率芯片。

據(jù)悉，嘉興斯達微電子有限公司成立于2021年2月，隸屬于斯達半導體股份有限公司，而斯達半導體自2005年以來便專注于IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的研發(fā)、生產(chǎn)以及銷售。