pn結(jié)反向飽和電流到底是怎么形成的 它的大小跟哪些因素有關(guān)？

PN結(jié)反向飽和電流是指當PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)時，在一定條件下，流過PN結(jié)的電流達到一個穩(wěn)定值。它是由多種因素共同作用形成的。下面將詳細介紹PN結(jié)反向飽和電流形成的機制及相關(guān)因素。

首先，需要明確PN結(jié)的原理。PN結(jié)是由P型半導體和N型半導體連接而成的結(jié)。在正向偏置時，P型區(qū)域的空穴被注入到N型區(qū)域，而N型區(qū)域的電子被注入到P型區(qū)域，形成電子和空穴的復合，產(chǎn)生電流。而在反向偏置時，P型區(qū)域的電子被吸引到N型區(qū)域，N型區(qū)域的空穴被吸引到P型區(qū)域，并且在PN結(jié)附近形成一個空間電荷區(qū)，阻礙了載流子的注入，因此反向電流較小。然而，當反向電壓達到一定值后，PN結(jié)反向偏置下的電流便達到一個穩(wěn)定值，稱為反向飽和電流。

形成PN結(jié)反向飽和電流的主要機制是通過兩個過程：漏流和擊穿。

1. 漏流：PN結(jié)反向飽和電流中的一部分來自于載流子的漏流。當PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)時，由于雜質(zhì)等原因，P型區(qū)域中富集了大量的不同雜質(zhì)，其中包括離子。這些離子具有很高的動能，因此可以穿過PN結(jié)，形成漏流。漏流的大小主要取決于離子的濃度和結(jié)溫。

2. 擊穿：擊穿是指在反向偏置過程中，當電壓達到一定值時，PN結(jié)反向電流突然增加的現(xiàn)象。擊穿一般分為雪崩擊穿和隧穿擊穿兩種。

- 雪崩擊穿是指由于電子在高反向電場下獲得足夠的動能，與原子碰撞后獲得新的電子，并形成電子雪崩效應(yīng)。在這個過程中，電子和空穴以較高的速率復合，導致反向電流突然增加。雪崩擊穿的大小主要取決于雜質(zhì)濃度、結(jié)溫和施加的反向電場強度。

- 隧穿擊穿是指在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中，電子通過空間電荷區(qū)的禁帶，在能帶結(jié)構(gòu)中進行隧穿效應(yīng)。這種擊穿機制主要發(fā)生在雜質(zhì)濃度較低的PN結(jié)中，擊穿電流與雜質(zhì)濃度、結(jié)溫和反向電場強度有關(guān)。

除了漏流和擊穿，還有一些其他因素也會影響PN結(jié)反向飽和電流的大小。

1. 結(jié)的面積：PN結(jié)反向飽和電流與結(jié)的面積成正比。結(jié)的面積越大，其反向飽和電流也會增加。

2. 溫度：溫度對PN結(jié)反向飽和電流具有重要影響。一般而言，隨著溫度的升高，PN結(jié)反向飽和電流會增加。因為在較高溫度下，載流子的增加和材料內(nèi)的晶格振動會導致更多的載流子穿越PN結(jié)。

3. 材料性質(zhì)：材料的特性也會影響PN結(jié)反向飽和電流的大小。例如，摻雜濃度、層的厚度和材料類型都會對反向飽和電流產(chǎn)生影響。

總結(jié)起來，PN結(jié)反向飽和電流是由漏流和擊穿兩個過程共同作用形成的。漏流的大小取決于離子濃度和結(jié)溫，擊穿則與離子濃度、結(jié)溫和反向電場強度有關(guān)。此外，結(jié)的面積、溫度和材料的特性也會對PN結(jié)反向飽和電流產(chǎn)生影響。以上是對PN結(jié)反向飽和電流形成機制及相關(guān)因素的詳細解釋。