亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Qorvo發(fā)布碳化硅場效應(yīng)晶體管產(chǎn)品

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-02-01 10:22 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Qorvo最近發(fā)布了一款新的碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品,這款產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車(EV)而設(shè)計(jì),符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。

這款產(chǎn)品采用了緊湊的D2PAK-7L封裝,實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS(on)。作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產(chǎn)品,其最高可達(dá)60mΩ的導(dǎo)通電阻值,非常適合車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)(PTC)加熱器模塊等電動(dòng)汽車類應(yīng)用。

全新的750V系列產(chǎn)品是對Qorvo現(xiàn)有的1200V和1700V D2PAK封裝車用SiC FET的補(bǔ)充,打造了完整的產(chǎn)品組合,可滿足400V和800V電池架構(gòu)電動(dòng)汽車的應(yīng)用需求。

隨著電動(dòng)汽車市場的不斷擴(kuò)大和技術(shù)的不斷進(jìn)步,對于高效、可靠的電力電子解決方案的需求日益增長。Qorvo的這款SiC FET產(chǎn)品憑借其卓越的性能和緊湊的封裝,為電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)提供了新的可能性和更高的性能。

Qorvo一直致力于創(chuàng)新和突破,以滿足市場對高效、可靠和緊湊的電子解決方案的需求。這次推出的SiC FET產(chǎn)品再次證明了Qorvo在技術(shù)上的領(lǐng)先地位和對電動(dòng)汽車市場的深度理解。

未來,隨著電動(dòng)汽車市場的持續(xù)發(fā)展,我們期待Qorvo能夠繼續(xù)推出更多創(chuàng)新的產(chǎn)品,為電動(dòng)汽車的設(shè)計(jì)和性能提升提供更多可能。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 場效應(yīng)晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    6

    文章

    400

    瀏覽量

    20308
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3232

    瀏覽量

    51549
  • Qorvo
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    711

    瀏覽量

    80098
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    安森美收購Qorvo碳化硅業(yè)務(wù),碳化硅行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢?

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)安森美在12月10日宣布,已經(jīng)與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon
    的頭像 發(fā)表于 12-15 07:30 ?3903次閱讀
    安森美收購<b class='flag-5'>Qorvo</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>業(yè)務(wù),<b class='flag-5'>碳化硅</b>行業(yè)即將進(jìn)入整合趨勢?

    無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件的發(fā)展歷程

    2010年,愛爾蘭 Tyndall 國家研究所的J.P.Colinge 等人成功研制了三柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管,器件結(jié)構(gòu)如圖1.15所示。從此,半導(dǎo)體界興起了一股研究無結(jié)場效應(yīng)晶體管的熱潮,每年的國際
    的頭像 發(fā)表于 05-19 16:08 ?528次閱讀
    無結(jié)<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>器件的發(fā)展歷程

    無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié),隧道穿透
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?797次閱讀
    無結(jié)<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>詳解

    TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應(yīng)晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TC1201低噪聲和中功率GaAs場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-17 17:15 ?0次下載

    LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1541SIJ P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-07 11:33 ?1次下載

    LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1756SJ N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-05 17:29 ?0次下載

    LT1729SI P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1729SI P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-04 18:05 ?0次下載

    LT1728SJ P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT1728SJ P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-04 18:02 ?0次下載

    鰭式場效應(yīng)晶體管制造工藝流程

    FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu),旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來減少短溝道
    的頭像 發(fā)表于 02-17 14:15 ?1920次閱讀
    鰭式<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>制造工藝流程

    Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-13 15:23 ?6次下載
    Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>的高級SPICE模型

    互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用

    隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵或圍柵(GAA
    的頭像 發(fā)表于 01-24 10:03 ?3962次閱讀
    互補(bǔ)<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>的結(jié)構(gòu)和作用

    一文解析現(xiàn)代場效應(yīng)晶體管(FET)的發(fā)明先驅(qū)

    朱利葉斯·埃德加·利利恩菲爾德在1925年申請的專利為場效應(yīng)晶體管奠定了理論基礎(chǔ)。 雖然第一個(gè)工作的場效應(yīng)晶體管(FET)直到1945年才出現(xiàn),但這個(gè)想法早在近20年前,即朱利葉斯·埃德加·利利恩
    的頭像 發(fā)表于 01-23 09:42 ?1151次閱讀
    一文解析現(xiàn)代<b class='flag-5'>場效應(yīng)晶體管</b>(FET)的發(fā)明先驅(qū)

    安森美完成對Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購

    安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。
    的頭像 發(fā)表于 01-16 16:30 ?882次閱讀

    安森美宣布將收購碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管技術(shù)

    安森美宣布與Qorvo達(dá)成協(xié)議,以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。這一舉措將補(bǔ)足安森美廣泛
    的頭像 發(fā)表于 12-13 18:10 ?1102次閱讀

    安森美1.15億美元收購Qorvo碳化硅JFET技術(shù)業(yè)務(wù)

    近日,安森美半導(dǎo)體公司宣布了一項(xiàng)重要的收購計(jì)劃,以1.15億美元現(xiàn)金收購Qorvo碳化硅結(jié)型場效應(yīng)晶體管(SiC JFET)技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide。 據(jù)
    的頭像 發(fā)表于 12-11 10:00 ?823次閱讀