（電子發(fā)燒友網(wǎng) 文/黃晶晶）過去的一年，存儲市場跌宕起伏，從低潮逐漸回暖，新興應用市場對存儲的拉動絲毫不減，服務器、汽車存儲馬力十足，帶動存儲新技術(shù)例如高速接口、HBM等快速發(fā)展。這一年在半導體投資低迷的形勢下存儲行業(yè)仍然出現(xiàn)不錯的投融資行為，曠日持久的知識產(chǎn)權(quán)糾紛案也終見分曉。讓我們一起回顧充滿挑戰(zhàn)的2023年，并迎接2024年的新機遇。

知識產(chǎn)權(quán)

首先跳出來的重大事件非美光和晉華達到全球和解莫屬。

2023年12月26日美光科技表示已經(jīng)與福建晉華達成全球和解協(xié)議，兩家公司將在全球范圍內(nèi)各自撤銷對對方的起訴，并結(jié)束雙方之間的所有訴訟。這場起源于2016年的涉及美光科技、聯(lián)華電子和福建晉華三方的知識產(chǎn)權(quán)案迎來終局。

在國內(nèi)，存儲行業(yè)也同樣發(fā)生著知識產(chǎn)權(quán)案件。

12月18日，江波龍發(fā)布公告指出，近日收到了深圳中院出具的《民事判決書》的一審判決。深圳中院在判決書中認為：深圳市晶存科技有限公司未經(jīng)許可在 LPDDR3 芯片測試經(jīng)營業(yè)務中使用了公司在案件中主張的相關(guān)商業(yè)秘密密點的技術(shù)信息。根據(jù)判決，被告盧浩、趙迎、深圳市晶存科技有限公司于本判決生效之日起十日內(nèi)連帶賠償原告深圳市江波龍電子股份有限公司經(jīng)濟損失14,183,388.42元。

無論是和解還是判決，知識產(chǎn)權(quán)保護是芯片企業(yè)繞不開的話題。這些典型事件將促使行業(yè)更加重視知識產(chǎn)權(quán)，只有保護知識產(chǎn)權(quán)，才能保護創(chuàng)新。

去庫存

2023年以來存儲芯片廠商由于盈利情況不佳，大多處于持續(xù)削減產(chǎn)能、消化庫存的狀態(tài)，美光科技、三星電子、SK海力士、鎧俠等紛紛采取了減產(chǎn)動作。終端需求不振延緩去庫存的時間。2023年智能手機出貨量整體不佳。根據(jù) Counterpoint Research 的 《智能手機 360報告》 對全球智能手機出貨量的預測，預計2023年全球智能手機出貨量將同比下降5%，達到12億臺，為近十年最低水平。不過，今年第四季度出貨量將同比增長3%，達到3.12億臺。

我們知道芯片供求每隔兩三年都會出現(xiàn)周期性波動，但是像2023年出現(xiàn)的這般終端需求低迷、芯片供應過剩長時間持續(xù)的情況還是比較少見的。這也是前兩年芯片缺貨、瘋狂擴產(chǎn)的“后遺癥”體現(xiàn)。

裁員

受行業(yè)低迷影響，存儲大廠陸續(xù)傳出裁員的消息。美光在臺灣啟動大規(guī)模裁員。2023年2月，部分中國臺灣美光員工爆料該公司無預警裁員，“十分鐘通知走人”。美光公司發(fā)言人Erica Rodriguez Pompen表示，“由于我們努力使計劃、項目、時間表和路線圖與市場條件保持一致，美光現(xiàn)在預計裁員將接近15%，其中包括到2023年日歷年底的預期減員。另外，美光還在削減高管薪酬，并在本財年結(jié)束前不發(fā)放獎金?！?br />
10月份，SK海力士控股的英特爾前SSD業(yè)務部門Solidigm，在一份聲明中表示：“由于半導體行業(yè)的長期低迷及其對市場狀況的影響，Solidigm 已實施裁員。公司正在為即將離職的同事提供支持和遣散費?！?br />
裁員自然是行業(yè)周期波動影響到企業(yè)經(jīng)營的體現(xiàn)。相信被裁員籠罩的陰影會隨著存儲行業(yè)的復蘇而消散。

漲價

西部數(shù)據(jù)12月5日對客戶發(fā)布漲價通知，預告NAND及HDD將展開浮動漲價。其中，NAND預計將在未來幾個季度內(nèi)呈現(xiàn)周期性價格上漲，累計漲幅可能達55%；HDD將采取每周審查價格，預計價格漲勢將延續(xù)至2024年上半年。

12月25日，據(jù)日媒報道，DRAM的11月價格在2年零5個月以來首次上漲。據(jù)統(tǒng)計，11月DRAM大宗交易價格中，DDR4型8GB產(chǎn)品的單價約為1.65美元，環(huán)比上漲11％，這是自2021年6月以來首次出現(xiàn)價格上漲。與此同時，NAND型閃存的指標產(chǎn)品TLC 256GB產(chǎn)品的單價約為1.85美元，比上一季度上漲12％。

在減產(chǎn)、去庫存的調(diào)控下，部分存儲芯片供給又出現(xiàn)供不應求的局面，行業(yè)回暖將越來越明顯。機構(gòu)預計，三星電子半導體業(yè)務DS（Device Solutions）部門在經(jīng)歷前三季度累計運營虧損超過12萬億韓元（約合92.4億美元）之后，Q4三星電子DRAM業(yè)務將扭虧為盈，DS部門虧損收窄。

HBM

新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經(jīng)HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E共五代產(chǎn)品。對于HBM3E，SK海力士預計2023年底前供應HBM3E樣品，2024年開始量產(chǎn)。8層堆疊，容量達24GB，帶寬為1.15TB/s。

三星電子近日已確認將其第五代HBM3E產(chǎn)品命名為“Shinebolt”，并正在向客戶公司發(fā)送HBM3E產(chǎn)品Shinebolt原型機進行質(zhì)量認可測試。Shinebolt為8層堆疊的24GB芯片，帶寬比HBM3高出約 50%，達到1.228TB/s。另外，后續(xù)還有12層堆疊的36GB產(chǎn)品開發(fā)。

而美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra透露，美光計劃于2024年初開始大量出貨HBM3E。美光HBM3E正在進行英偉達認證，首批HBM3E采用8-Hi設計，提供24GB容量和超過1.2TB/s帶寬。計劃于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆疊。存儲廠商的HBM3E配套給英偉達，主要是用于英偉達推出的H200 GPU以及GH200超級芯片，它們配備141GB HBM3E。

此外，SK海力士已確認2024年將啟動下一代HBM4的開發(fā)工作，為數(shù)據(jù)中心和人工智能產(chǎn)品提供動力。

高速接口IP

Rambus發(fā)布HBM3內(nèi)存控制器IP，專為需要高內(nèi)存吞吐量、低延遲和完全可編程性應用而設計。相比HBM3 Gen1 6.4 Gbps 的數(shù)據(jù)速率，Rambus HBM3內(nèi)存控制器的數(shù)據(jù)速率提高了50%，總內(nèi)存吞吐量超過1.2 TB/s，適用于推理系統(tǒng)的訓練、生成式AI以及其他要求苛刻的數(shù)據(jù)中心工作負載。目前已與SK海力士、美光、三星完成了一整套的測試。對于選擇第三方HBM3 PHY（物理層）的客戶，Rambus還提供HBM3控制器的集成與驗證服務。

10月，新思科技PCI?Express(PCIe)6.0?IP在端到端64GT/s的連接下,成功實現(xiàn)與英特爾PCIe?6.0測試芯片的互操作性。新思科技PCIe?6.0?IP全面解決方案包括控制器IP、PHY?IP、驗證IP、以及完整性與數(shù)據(jù)加密(IDE)安全IP,能夠有效加速用于高性能計算及AI應用的芯片開發(fā)。

奎芯科技推出業(yè)界領先的LPDDR5X接口IP，傳輸速率可達8533Mbps?？綡BM接口可實現(xiàn)支持國產(chǎn)工藝 PHY+ Controller 全套方案，速率可達6.4Gbps?？究萍纪瞥鲎匝械幕ヂ?lián)方案M2LINK，通過將HBM/LPDDR的接口協(xié)議轉(zhuǎn)成UCIE的協(xié)議，組合成標準Chiplet模組，與主SOC合封，以實現(xiàn)降低主芯片和封裝成本、擴大內(nèi)存容量和帶寬、提升性能等目的。

CXL

借助 CXL可以將內(nèi)存放在非常類似于 PCIe 總線的東西上（CXL 使用 PCIe PHY 和電氣元件）。這讓系統(tǒng)能夠使用帶有標準 CXL 接口的卡來支持更多的內(nèi)存模塊，而無需額外 DDR 通道。任何需要的 CPU、GPU 或張量處理單元 (TPU) 可以訪問基于標準的 CXL 接口設計的額外內(nèi)存。CXL 最終將允許連接到大量的內(nèi)存模塊，包括 SSD、DDR DRAM 和新興的持久內(nèi)存。

到目前，CXL已經(jīng)發(fā)表了1.0/1.1、2.0、3.0三個不同的版本，可以實現(xiàn)從單臺服務器的內(nèi)存容量和帶寬拓展，到內(nèi)存池，再到內(nèi)存共享和內(nèi)存訪問，擴展到多臺服務器的互聯(lián)與并存內(nèi)存。

今年5月，三星電子宣布研發(fā)出其首款支持Compute Express Link（CXL）2.0的128GB DRAM。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達每秒35GB的帶寬。預計明年上半年，會有相關(guān)產(chǎn)品的商用落地。同時，三星與英特爾密切合作，在英特爾至強平臺上取得了具有里程碑意義的進展。

SK海力士計劃在今年下半年將基于DDR5的96GB和128GB CXL 2.0內(nèi)存解決方案產(chǎn)品商用化并提供給AI領域的客戶。

融資

在早前電子發(fā)燒友網(wǎng)分析師團隊觀察到2023年半導體投資熱潮下降的形勢，產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)融資相較之前變得困難。然而也不乏在第三代半導體、汽車芯片、AI等熱門領域持續(xù)獲得融資的例子。存儲作為半導體產(chǎn)業(yè)重要的組成部分，在融資降溫的情況下仍然備受關(guān)注。

11月10日深圳市時創(chuàng)意電子完成超3.4億元B輪戰(zhàn)略融資，由小米產(chǎn)投領投，動力未來等多家產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)、機構(gòu)跟投。本輪融資將用于持續(xù)強化時創(chuàng)意核心存儲技術(shù)及產(chǎn)品矩陣研發(fā)，推進全球化戰(zhàn)略部署。2023年以來，時創(chuàng)意已連續(xù)完成A輪和B輪兩輪戰(zhàn)略融資。

2023年12月，深圳市嘉合勁威宣布于近日成功完成超2億元C輪戰(zhàn)略融資。本輪融資將用于建設智能制造工廠，強化嘉合勁威存儲領域核心測試技術(shù)及產(chǎn)品研發(fā)。將助力嘉合勁威進一步提提升綜合實力，快速開拓新市場，繼續(xù)保持技術(shù)與市占率等領先優(yōu)勢。

汽車存儲

乘聯(lián)會預測，2023年12月，新能源汽車零售94.0萬輛左右，環(huán)比增長11.8%，同比增長46.6%，滲透率約41.4%。預計2023年新能源汽車零售約775萬輛，同比增長36.5%，滲透率35.8%，較去年全年提升8個百分點。

在風景這邊獨好的汽車市場，汽車存儲成為許多芯片廠商爭相發(fā)力的關(guān)鍵。這一領域美光占有較高的市場份額，而國產(chǎn)廠商在EEPROM、SLC NAND Flash、NOR Flash、eMMC等領域通過車規(guī)認證，打入汽車市場。

目前東芯半導體的SLC NAND Flash及NOR Flash均有產(chǎn)品通過AEC-Q100的測試，東芯表示將繼續(xù)在嚴苛的車規(guī)級應用環(huán)境標準下開發(fā)新的高可靠性產(chǎn)品，擴大車規(guī)級產(chǎn)品線的豐富度。

終端企穩(wěn)

IDC預計，2024年中國內(nèi)地智能手機市場出貨量將達到2.87億臺，同比增長3.6%，實現(xiàn)2021年以來首次同比增長。日前，Canalys預測顯示，2024年智能手機總出貨量中，AI手機的出貨量將達到6000萬部。預計到2024年，全球智能手機市場將實現(xiàn)反彈，出貨量將達到11.7億部，較2023年上漲4%。

不僅是數(shù)據(jù)中心、AI需要大容量高速的存儲，智能手機的存儲容量也更大，搭配大存儲容量儼然成為各家手機廠商的產(chǎn)品賣點。今年11月推出的vivo Y100i，12GB+512GB售價1599元。12GB/16GB內(nèi)存、512GB/1TB閃存搭配的智能手機比比皆是。

此外，長江存儲致態(tài)正式發(fā)布Ti600和TiPlus7100的4TB SSD，采用長江存儲QLC顆粒，晶棧Xtacking 3.0架構(gòu)，Ti600 4TB版本單顆芯片接口速度可達2400MT/s；順序讀寫速度最高可達7000MB/s、6000MB/s。全面兼容Gen4及大部分Gen3系統(tǒng)。

11月28日，長鑫存儲正式推出LPDDR5系列產(chǎn)品，包括12Gb的LPDDR5顆粒，POP封裝的12GB LPDDR5芯片及DSC封裝的6GB LPDDR5芯片。12GB LPDDR5芯片目前已在國內(nèi)主流手機廠商小米、傳音等品牌機型上完成驗證。長鑫存儲正完善中高端移動設備市場產(chǎn)品布局。

小結(jié)：

繼存儲芯片廠商的238層閃存量產(chǎn)后，閃存向著更高層數(shù)邁進。隨著英特爾新一代平臺Meteor lake對DDR5的全面支持，以及AI PC的帶動，DDR5滲透率將更高。明年HBM3E進入量產(chǎn)，HBM4研發(fā)開啟。

WSTS對2024年半導體市場成長率預估，由6月預測的11.8%上調(diào)至13.1%。若達成這個成長率，2024年按營收計算的半導體市場規(guī)模，將刷新2022年創(chuàng)下的5,740.8億美元新高記錄，總規(guī)模將攀至創(chuàng)紀錄的5,883.6億美元。存儲芯片將引領2024年全球半導體市場成長，銷售額將較2023年躍增44.8%。

可以看到，存儲行業(yè)復蘇已來，2024年將是興旺繁榮的一年。