講座導語

DIPIPM?是雙列直插型智能功率模塊的簡稱，由三菱電機于1997年正式推向市場，迄今已在家電、工業(yè)和汽車空調等領域獲得廣泛應用。本講座主要介紹DIPIPM?的基礎、功能、應用和失效分析技巧，旨在幫助讀者全面了解并正確使用該產品。

1.3 DIPIPM?的歷史及未來發(fā)展

DIPIPM?誕生的歷史背景

功率半導體器件進化和發(fā)展的動力源自于人類對于電氣設備及其電力變換裝置的高性能、低成本、易使用等要素的不懈追求。具體到DIPIPM?*1，則與變頻空調的誕生和發(fā)展密切相關。早在1980年變頻技術首先被應用到空調上，這是空調發(fā)展史上一個重要的里程碑。相對于傳統(tǒng)的定速電機方式，變頻方式通過PWM*2調制波來控制功率器件的開通和關斷，進而控制加在電機上的電壓來實現(xiàn)對電機轉速的控制，從而實現(xiàn)了制冷和制熱（溫度）的自由調節(jié)。變頻方式不但能帶來更好的舒適性，同時也帶來了節(jié)能省電的優(yōu)點。這一時期變頻空調控制器采用的主要是分立器件或IPM*3方案。

之后在1993年，日本開始實施變頻空調節(jié)能法，日本空調廠商展開了節(jié)能空調產品的激烈競爭，這不但提升了空調的節(jié)能性能，也促進了變頻空調的普及化。同時也對功率模塊在節(jié)能、小型化等方面提出了更新的要求?？照{行業(yè)的發(fā)展趨勢要求功率模塊不僅需要提高內置功率器件的效率，減小產品的封裝尺寸，而且要在保證高度安全可靠的同時實現(xiàn)產品的低價格。這對功率模塊的內置芯片工藝、封裝工藝以及內置功能提出了非常高的要求。由于變頻空調控制器的分立方案太過復雜，而傳統(tǒng)IPM方案成本太高，為了解決這個問題，三菱電機創(chuàng)新性地推出了雙列直插型智能功率模塊DIPIPM?，并在1997年開始了批量生產。

DIPIPM?內置了高耐壓驅動芯片，不但可以實現(xiàn)單電源IGBT*4驅動，使高開關速度成為了可能，提高了功率模塊的效率，而且集成了欠壓、過溫、過流等保護功能，大大降低了空調變頻控制器的設計難度，大幅度地減小了空調變頻控制器的體積，同時也進一步提高了變頻空調的可靠性。圖1給出了三菱電機雙列直插型智能功率模塊（DIPIPM?）產品內部結構及電氣原理圖。由圖1可以看出，相比較傳統(tǒng)的IPM，DIPIPM?采用了壓注模封裝工藝，成本更低、生產效率更高；內置了HVIC、LVIC驅動芯片，PWM驅動信號可以不通過光耦而直接連接到MCU輸出端口；上橋臂電路采用自舉方式供電，只需要單路15V電源即可。

圖1 三菱電機DIPIPM?模塊

DIPIPM?滿足了空調等家電行業(yè)對進一步簡化外圍電路、產品體積小型化以及低成本的要求，促進了節(jié)能變頻空調、變頻洗衣機、變頻冰箱等變頻家電的普及，逐漸成為家電變頻控制器的主流功率半導體器件。

DIPIPM?的技術變遷

三菱電機從把DIPIPM?推向市場開始，為滿足變頻空調等家電設備對功率元器件特性要求的不斷提高（功耗，成本，體積等），對DIPIPM?的內置IGBT芯片以及封裝技術進行不斷改進。首先是IGBT芯片技術的變遷，IGBT芯片是DIPIPM?最重要的功率元器件，從早期三代的平面型IGBT，到第四代溝槽型IGBT，三菱電機一直在IGBT芯片的半導體結構和生產工藝上不斷地進行創(chuàng)新，芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關斷時間、功率損耗等各項指標經歷了不斷的優(yōu)化，性能也得到穩(wěn)步提升。圖2展示了三菱電機IGBT芯片技術的發(fā)展路線。

圖2 三菱電機IGBT技術變遷

封裝技術直接影響著功率器件的整體性能和可靠性，與對芯片技術的不斷探索一樣，三菱電機對改善封裝技術孜孜以求，臻于至善。DIPIPM?的封裝技術不斷取得進步，在做到產品成本越來越低、生產效率越來越高的同時，DIPIPM?的性能表現(xiàn)穩(wěn)步提高。同時也通過材料的節(jié)省以及包裝材料的減少間接達到了減少資源消耗、節(jié)能和環(huán)保的目的。圖3展示的是三菱電機DIPIPM?模塊封裝技術的發(fā)展。

圖3 三菱電機DIPIPM?封裝技術發(fā)展

自從1997年第1代DIPIPM?誕生以來，伴隨著IGBT芯片一代一代技術的發(fā)展和封裝技術的不斷改進，三菱電機也對DIPIPM?產品不斷進行升級換代，至今已發(fā)展至第7代DIPIPM?，封裝形式也從大型發(fā)展到小型、超小型、SLIMDIP?乃至SOPIPM?和DIPIPM+?，不斷致力于為客戶提供更高能效、更高集成度、更完善智能化、更高功率密度、更高性價比的產品。目前三菱電機DIPIPM?家族旗下?lián)碛衅叽笙盗挟a品：SOPIPM?、SLIMDIP?、Super mini、Mini、Large、DIPIPM+?和Large DIPIPM+?，如圖4所示?？蛻艨梢愿鶕?jù)實際需求選擇最合適、性價比最高的產品。

圖4 三菱電機DIPIPM?產品線及其規(guī)格

DIPIPM?在中國的應用史
中國的變頻空調市場從1996~1997年開始啟動，起初采用的是三菱電機的IPM產品，大約在2001年三菱電機開始向中國變頻空調廠家推廣DIPIPM?并取得了成功。得益于在日本市場的良好表現(xiàn)，三菱電機DIPIPM?在國內很快得到了客戶的廣泛認可。隨著中國市場對DIPIPM?模塊的需求迅速增長，三菱電機也適時對產品進行了系列升級，市場份額也隨之不斷提升。從第3代大型和小型DIPIPM?到第4代超小型產品，再到第5代/第6代超小型產品以及最新的SLIMDIP?、SOPIPM?和Large DIPIPM+?產品。在產品設計上充分考慮了中國客戶的需求，比如增加了溫度輸出功能、內置自舉二級管以及提高短路保護電流的精度等等。三菱電機一直致力于變頻家電領域的發(fā)展。自發(fā)貨以來截止到目前，DIPIPM?產品累計出貨已經超過10億片。

與家電領域相比，工業(yè)領域相對來說應用環(huán)境更為惡劣，對模塊的絕緣耐壓和過載倍數(shù)要求更高。由于三菱電機在設計之初就充分考慮產品應用的兼容性，使得產品應用不局限在某一領域，比如三菱電機的大型DIPIPM?、小型DIPIPM?不僅在家電領域同樣在工業(yè)領域也得到了廣泛應用，獲得了不同應用領域客戶的認可。另外針對特殊領域，例如發(fā)展?jié)摿薮蟮碾妱悠囶I域，三菱電機大型DIPIPM?已經通過相關的AEC-Q認證，以滿足中國電動汽車領域客戶的更高要求。最近三菱電機又推出了結溫高達175℃、整體噪聲比上一代低約10dB的第7代超小型DIPIPM?產品，適合EMI*5要求高、對電流過載倍數(shù)要求高的工業(yè)領域。

DIPIPM?的未來展望
作為小功率變頻應用的主流器件，DIPIPM?的技術還在不斷發(fā)展。一方面是基于現(xiàn)有的Si襯底的IGBT芯片性能會取得進一步的提升，另一方面，相較于Si材料，SiC材料的禁帶寬度更大，在擊穿電場強度、飽和電子漂移速率、熱導率以及抗輻射等關鍵參數(shù)方面有顯著優(yōu)勢?；谶@些優(yōu)良特性，SiC器件可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求。盡管現(xiàn)在SiC襯底成本高昂，并且由于后續(xù)晶圓制造、封裝良率較低，導致SiC器件整體成本仍處于較高水平。未來隨著全球半導體廠商加速研發(fā)及擴產，生產工藝和技術日趨成熟，將有效降低SiC器件成本?；赟iC技術的DIPIPM?也將會逐步批量使用，以其遠優(yōu)于Si材料的特性來實現(xiàn)大幅節(jié)能和安裝產品的小型化、輕量化。

三菱電機早在20多年前就開始了針對SiC技術的研究。在2000年研發(fā)出多種基于SiC的基礎工藝技術，此后三菱電機SiC功率器件在不同的應用領域中先后樹立了豐碑。早在2010年三菱電機就向市場上推出了混合型SiC DIPIPM?，應用于變頻空調中；并于2016年將基于三菱電機第2代SiC MOSFET*6芯片技術的全SiC DIPIPM?產品實現(xiàn)了商業(yè)化應用，獲得了客戶的好評。目前，三菱電機即將完成第3代溝槽柵型SiC MOSFET芯片的研發(fā)工作，相信不久的將來基于此新一代SiC MOSFET芯片的DIPIPM?產品也會面市，以滿足客戶對更好性能的追求。

未來三菱電機將持續(xù)保持對SiC技術的深入研究，把“Changes for the better”的企業(yè)理念化為實際行動，踐行“精于節(jié)能，盡心環(huán)?！钡木G色研發(fā)生產，為社會的可持續(xù)發(fā)展和節(jié)能減排貢獻力量。

在接下來的章節(jié)中，我們將重點圍繞三菱電機的DIPIPM?產品和應用等方面進行詳細介紹，下面的內容更精彩，敬請期待！

本講總結
1） 智能功率模塊的技術變遷為變頻空調的節(jié)能環(huán)保做出了重要貢獻。
2） DIPIPM?集成了IGBT等功率芯片和用于IGBT驅動和保護的控制IC，產品體積小、成本低、可靠性高、外圍電路設計簡單。
3） 三菱電機對其DIPIPM?內置IGBT芯片以及封裝技術進行技術創(chuàng)新和迭代升級，目前三菱電機的IGBT技術已經發(fā)展到第七代。
4） 三菱電機DIPIPM?在國內外得到客戶的廣泛認可，在變頻家電領域占據(jù)舉足輕重的重要地位。
5） 目前SiC器件由于成本高昂尚未大規(guī)模使用，但由于其優(yōu)良的特性未來將是功率半導體主流產品。
6） 三菱電機深耕SiC領域多年，技術儲備完善。未來將持續(xù)創(chuàng)新和研發(fā)，開發(fā)出更多基于SiC的新型DIPIPM?。

*號術語列表：

*1. DIPIPM：雙列直插型智能功率模塊（Dual In-line Package Intelligent Power Module）；DIPIPM?是三菱電機株式會社注冊商標

*2. PWM：脈沖寬度調制（Pulse Width Modulation）

*3. IPM: 智能功率模塊（ Intelligent Power Module）

*4. IGBT：絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor）

*5. EMI：電磁干擾（Electromagnetic Interference）

*6. MOSFET：金屬-氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）

主要參考文獻：

[1]袁立強，趙爭鳴，宋高升，王正元；《電力半導體器件原理與應用》

[2]梁小廣，商明，何洪濤，李衍鴻；《智能功率模塊對空調產品節(jié)能環(huán)保的貢獻》

關于三菱電機

三菱電機創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)。在2021年《財富》世界500強排名中，位列300名。截止2021年3月31日的財年，集團營收41914億日元（約合美元395億）。作為一家技術主導型企業(yè)，三菱電機擁有多項專利技術，并憑借強大的技術實力和良好的企業(yè)信譽在全球的電力設備、通信設備、工業(yè)自動化、電子元器件、家電等市場占據(jù)重要地位。尤其在電子元器件市場，三菱電機從事開發(fā)和生產半導體已有60余年。其半導體產品更是在變頻家電、軌道牽引、工業(yè)與新能源、電動汽車、模擬/數(shù)字通訊以及有線/無線通訊等領域得到了廣泛的應用。

審核編輯 黃宇