亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

工信部就干法刻蝕設(shè)備測(cè)試方法等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)公開(kāi)征集意見(jiàn)

微云疏影 ? 來(lái)源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-11-16 17:04 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)工信部網(wǎng)站11月16日消息,工信部公開(kāi)征集了《半導(dǎo)體設(shè)備 集成電路制造用干法刻蝕設(shè)備測(cè)試方法》等196個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、1個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外文版、38個(gè)推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃項(xiàng)目的意見(jiàn)。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)化工作的總體安排,公信部將公布目前申請(qǐng)項(xiàng)目批準(zhǔn)的《半導(dǎo)體設(shè)備 集成電路制造用干法刻蝕設(shè)備測(cè)試方法》等196個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),《雪蓮養(yǎng)護(hù)貼》等1個(gè)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外文版項(xiàng)目和《環(huán)境污染防治設(shè)備術(shù)語(yǔ)》等38個(gè)推薦性國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)計(jì)劃項(xiàng)目。截止日期為2023年12月16日。

wKgZomVV2xeAaTpwAAMMwfHJ41c091.png

其中《半導(dǎo)體設(shè)備 集成電路制造用干法刻蝕設(shè)備測(cè)試方法》對(duì)主要起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第48研究所、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、湖南楚微半導(dǎo)體科技有限公司,中芯國(guó)際集成電路制造有限公司,北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司,合肥晶合集成電路股份有限公司等。

wKgZomVV2x2AAWwNAAGPOLDOaQA636.png
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5442

    文章

    12351

    瀏覽量

    371804
  • 工信部
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    558

    瀏覽量

    36950
  • 半導(dǎo)體設(shè)備

    關(guān)注

    4

    文章

    410

    瀏覽量

    16485
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    干法刻蝕機(jī)在精密光柵加工中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    上海伯東 IBE 離子束刻蝕機(jī), 離子束具有方向性強(qiáng)的特點(diǎn), 刻蝕過(guò)程中對(duì)材料的側(cè)向侵蝕 (鉆蝕)少, 能形成陡峭的光柵槽壁, 適合加工高精度, 高分辨率的光柵 (如中高溝槽密度的光柵).
    的頭像 發(fā)表于 08-21 15:18 ?780次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>機(jī)在精密光柵加工中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    MEMS制造中玻璃的刻蝕方法

    在MEMS中,玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學(xué)穩(wěn)定性及可鍵合性(如與硅陽(yáng)極鍵合),常被用作襯底、封裝結(jié)構(gòu)或微流體通道基板。玻璃刻蝕是制備這些微結(jié)構(gòu)的核心工藝,需根據(jù)精度要求、結(jié)構(gòu)尺寸及玻璃類型選擇合適的方法,玻璃刻蝕主要分為
    的頭像 發(fā)表于 07-18 15:18 ?956次閱讀

    干法刻蝕的評(píng)價(jià)參數(shù)詳解

    在MEMS制造工藝中,干法刻蝕是通過(guò)等離子體、離子束氣態(tài)物質(zhì)對(duì)薄膜材料或襯底進(jìn)行刻蝕的工藝,其評(píng)價(jià)參數(shù)直接影響器件的結(jié)構(gòu)精度和性能。那么干法刻蝕有哪些評(píng)價(jià)參數(shù)呢?
    的頭像 發(fā)表于 07-07 11:21 ?1105次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>的評(píng)價(jià)參數(shù)詳解

    一文詳解干法刻蝕工藝

    干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過(guò)等離子體與材料表面的相互作用實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢(shì)深刻影響著先進(jìn)制程的演進(jìn)方向。
    的頭像 發(fā)表于 05-28 17:01 ?2380次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>工藝

    干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)作為一種高性能材料,在大功率器件、高溫器件和發(fā)光二極管領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。其中,基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關(guān)鍵作用,本文將介紹干法刻蝕的概念、碳硅
    的頭像 發(fā)表于 01-22 10:59 ?2090次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>的概念、碳硅反應(yīng)離子<b class='flag-5'>刻蝕</b>以及ICP的應(yīng)用

    芯盾時(shí)代參編的零信任體系行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)即將施行

    近日,部發(fā)布公告,芯盾時(shí)代深度參與編寫(xiě)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《YDT 4598.5-2024 面向云計(jì)算的零信任體系 第5分:業(yè)務(wù)安全能力要求》(以下簡(jiǎn)稱《業(yè)務(wù)安全》)將于2025年2月1日
    的頭像 發(fā)表于 12-23 16:20 ?1074次閱讀

    半導(dǎo)體濕法和干法刻蝕

    什么是刻蝕?刻蝕是指通過(guò)物理或化學(xué)方法對(duì)材料進(jìn)行選擇性的去除,從而實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)圖形的一種技術(shù)。蝕刻是半導(dǎo)體制造及微納加工工藝中相當(dāng)重要的步驟,自1948年發(fā)明晶體管到現(xiàn)在,在微電子學(xué)和半導(dǎo)體領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 12-20 16:03 ?1316次閱讀
    半導(dǎo)體濕法和<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>

    干法刻蝕時(shí)側(cè)壁為什么會(huì)彎曲

    離子轟擊的不均勻性 干法刻蝕通常是物理作用和化學(xué)作用相結(jié)合的過(guò)程,其中離子轟擊是重要的物理刻蝕手段。在刻蝕過(guò)程中,離子的入射角和能量分布可能不均勻. 如果離子入射角在側(cè)壁的不同位置存在差異,那么
    的頭像 發(fā)表于 12-17 11:13 ?1272次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>時(shí)側(cè)壁為什么會(huì)彎曲

    芯片制造中的濕法刻蝕干法刻蝕

    在芯片制造過(guò)程中的各工藝站點(diǎn),有很多不同的工藝名稱用于除去晶圓上多余材料,如“清洗”、“刻蝕”、“研磨”。如果說(shuō)“清洗”工藝是把晶圓上多余的臟污、particle、上一站點(diǎn)殘留物去除掉,“刻蝕
    的頭像 發(fā)表于 12-16 15:03 ?2047次閱讀
    芯片制造中的濕法<b class='flag-5'>刻蝕</b>和<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>

    首個(gè)液冷整機(jī)柜服務(wù)器行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布,蘭洋科技核心參編!

    近日,在部發(fā)布的2024年第28號(hào)文件中,由中國(guó)信通院牽頭制定,超聚變、中國(guó)電信、中國(guó)聯(lián)通、中國(guó)移動(dòng)、蘭洋科技單位核心參編的《冷板式液冷整機(jī)柜服務(wù)器技術(shù)要求和測(cè)試
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:30 ?813次閱讀
    首個(gè)液冷整機(jī)柜服務(wù)器<b class='flag-5'>行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)</b>發(fā)布,蘭洋科技核心參編!

    芯片制造過(guò)程中的兩種刻蝕方法

    本文簡(jiǎn)單介紹了芯片制造過(guò)程中的兩種刻蝕方法 ? 刻蝕(Etch)是芯片制造過(guò)程中相當(dāng)重要的步驟。 刻蝕主要分為干刻蝕和濕法
    的頭像 發(fā)表于 12-06 11:13 ?2907次閱讀
    芯片制造過(guò)程中的兩種<b class='flag-5'>刻蝕</b><b class='flag-5'>方法</b>

    干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法

    本文介紹了干法刻蝕側(cè)壁彎曲的原因及解決方法。 什么是側(cè)壁彎曲? 如上圖,是典型的干法刻蝕時(shí),側(cè)壁彎曲的樣子,側(cè)壁為凹形或凸形結(jié)構(gòu)。而正常的側(cè)壁幾乎是垂直的,角度接近 90°。 ?什么原因?qū)е铝藗?cè)壁
    的頭像 發(fā)表于 12-03 11:00 ?1380次閱讀
    <b class='flag-5'>干法刻蝕</b>側(cè)壁彎曲的原因及解決<b class='flag-5'>方法</b>

    晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響

    本文介紹晶圓表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響 表面溫度對(duì)干法刻蝕的影響主要包括:聚合物沉積,選擇性,光刻膠流動(dòng)、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率,表面形貌。 ? 聚合物沉積?:工藝過(guò)程中產(chǎn)生的聚合物會(huì)在
    的頭像 發(fā)表于 12-03 10:48 ?1694次閱讀
    晶圓表面溫度對(duì)<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>的影響

    干法刻蝕工藝的不同參數(shù)

    ? ? ? 本文介紹了干法刻蝕工藝的不同參數(shù)。 干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些?各有什么作用? 1,溫度:晶圓表面溫度,溫度梯度 晶圓表面溫度:控制刻蝕表面的化學(xué)反應(yīng)速率和產(chǎn)物的揮發(fā)性 溫度梯度
    的頭像 發(fā)表于 12-02 09:56 ?2495次閱讀

    為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕

    本文介紹了為什么干法刻蝕又叫低溫等離子體刻蝕。 什么是低溫等離子體刻蝕,除了低溫難道還有高溫嗎?等離子體的溫度?? ? 等離子體是物質(zhì)的第四態(tài),并不是只有半導(dǎo)體制造或工業(yè)領(lǐng)域中才會(huì)有等離子體
    的頭像 發(fā)表于 11-16 12:53 ?1330次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>干法刻蝕</b>又叫低溫等離子體<b class='flag-5'>刻蝕</b>