亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

12億,又一企業(yè)宣布,碳化硅(SiC)項(xiàng)目擴(kuò)建

今日半導(dǎo)體 ? 來源:今日半導(dǎo)體 ? 2023-08-22 16:58 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,緯湃科技與天津經(jīng)開區(qū)管委會(huì)共同簽署了《新能源智能制造新產(chǎn)品投資項(xiàng)目合作備忘錄》,旨在擴(kuò)大在華投資規(guī)模,用于新能源汽車電驅(qū)動(dòng)核心產(chǎn)品及技術(shù)的研發(fā)、測(cè)試及生產(chǎn),擴(kuò)展緯湃科技在華電氣化業(yè)務(wù)布局,以滿足快速增長的電動(dòng)出行需求。

據(jù)披露,此次合作,緯湃科技將持續(xù)投入固定資產(chǎn)12億元,在天津開啟新一輪新能源汽車核心產(chǎn)品的投資,包括碳化硅功率模塊、800伏定轉(zhuǎn)子、三合一電動(dòng)軸驅(qū)系統(tǒng)、下一代變速箱控制器等。其中三合一電驅(qū)動(dòng)、800伏定轉(zhuǎn)子產(chǎn)品已在天津工廠率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

資料顯示,緯湃科技深耕中國28年,在中國設(shè)有四個(gè)大型生產(chǎn)基地、七個(gè)研發(fā)中心,擁有約6500名員工。自2019年以來,緯湃科技已累計(jì)在中國市場(chǎng)投資超5億歐元,用于電氣化技術(shù)研發(fā)、實(shí)驗(yàn)室建設(shè)、設(shè)備采購、產(chǎn)線擴(kuò)建等。

天津作為其重要生產(chǎn)基地之一,2021年研發(fā)中心投入使用,今年又啟用實(shí)驗(yàn)室,已成為緯湃科技電氣化相關(guān)產(chǎn)品的重要研發(fā)、測(cè)試及生產(chǎn)基地,產(chǎn)品涵蓋高壓電驅(qū)系統(tǒng)、高壓電控系統(tǒng)、48伏電力輔助驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)等,可用于純電動(dòng)汽車、插電式混合動(dòng)力汽車及48伏中混汽車。

近年來,緯湃科技持續(xù)加碼汽車電動(dòng)化相關(guān)技術(shù)、產(chǎn)品研發(fā),并獲得了大量訂單,其中,2021年新增訂單為112億歐元,2022年新增訂單為140億歐元(其中約104億歐元來自電動(dòng)出行相關(guān)技術(shù)),“這意味著大約75%的新增訂單來自于電動(dòng)出行領(lǐng)域,我們又創(chuàng)造了新的里程碑。”首席執(zhí)行官Andreas Wolf表示,“我們?nèi)蚍秶鷥?nèi)斬獲的新增訂單再次表明,汽車制造商已經(jīng)全面擁抱電氣化趨勢(shì)?!?/p>

今年一季度,緯湃科技又取得近37億歐元的電氣化訂單,合計(jì)新增訂單約45億歐元,括此前公布獲得現(xiàn)代汽車集團(tuán)20億歐元高度集成的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)(EMR4)訂單。第二季度再新增約50億歐元訂單,上半年合計(jì)新增訂單約95億歐元(約合人民幣751.7億元)。

緯湃科技的獲單能力仍在加速,其中包括獲得某全球性主機(jī)廠客戶提供的電池管理系統(tǒng)訂單,價(jià)值17億歐元,供應(yīng)的產(chǎn)品可運(yùn)用于400伏和800伏結(jié)構(gòu)的新能源汽車,計(jì)劃于2024年上半年開始量產(chǎn)。

為了滿足龐大訂單對(duì)SiC的需求,緯湃科技加速與上游供應(yīng)商的合作,僅今年5月和6月,緯湃科技先與安森美簽訂了一項(xiàng)價(jià)值19億美元(約17.5億歐元)的碳化硅產(chǎn)品10年期供應(yīng)協(xié)議;隨后又與羅姆半導(dǎo)體達(dá)成了一項(xiàng)超10億美元的長期(到2030年)碳化硅供應(yīng)合作伙伴關(guān)系。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 新能源汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    141

    文章

    11217

    瀏覽量

    104383
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3420

    瀏覽量

    67680
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3238

    瀏覽量

    51581
  • 電氣化
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    212

    瀏覽量

    16458

原文標(biāo)題:12億,又一企業(yè)宣布,碳化硅(SiC)項(xiàng)目擴(kuò)建

文章出處:【微信號(hào):today_semicon,微信公眾號(hào):今日半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)化替代浪潮:國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國產(chǎn)Si
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?681次閱讀

    國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 05-10 13:38 ?682次閱讀
    國產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用

    碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

    的真相(誤區(qū)見:碳化硅何以英飛凌?——溝槽柵技術(shù)可靠性真相),并介紹英飛凌如何通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2:“SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp,電阻
    的頭像 發(fā)表于 04-30 18:21 ?543次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>何以英飛凌?—— <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相

    麥科信MOIP光隔離探頭解決碳化硅SiC項(xiàng)目問題

    作為某新能源車企的電機(jī)控制系統(tǒng)工程師,我的日??偫@不開碳化硅SiC)器件的雙脈沖測(cè)試。三年前用傳統(tǒng)差分探頭測(cè)上管Vgs的經(jīng)歷堪稱“噩夢(mèng)”每當(dāng)開關(guān)動(dòng)作時(shí),屏幕上跳動(dòng)的±5V震蕩波形,讓我誤以為
    發(fā)表于 04-15 14:14

    麥科信光隔離探頭在碳化硅SiC)MOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

    碳化硅SiC)MOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅SiC)制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,相較于傳統(tǒng)硅(Si)MOSFET,具有更高的擊穿電壓、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)
    發(fā)表于 04-08 16:00

    東升西降:從Wolfspeed危機(jī)看全球SiC碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)

    Wolfspeed作為全球碳化硅SiC)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè),其股價(jià)暴跌(單日跌幅超50%)、財(cái)務(wù)困境與德國30歐元項(xiàng)目擱淺危機(jī),折
    的頭像 發(fā)表于 03-31 18:03 ?791次閱讀

    SiC碳化硅二極管公司成為國產(chǎn)碳化硅功率器件行業(yè)出清的首批對(duì)象

    器件能力的企業(yè)之所以面臨被淘汰的風(fēng)險(xiǎn),主要源于以下多維度原因: ? ? 1. 碳化硅二極管技術(shù)門檻低導(dǎo)致市場(chǎng)同質(zhì)化與價(jià)格戰(zhàn) 碳化硅二極管(如肖特基二極管)技術(shù)相對(duì)成熟,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,進(jìn)入門檻較低。國內(nèi)眾多
    的頭像 發(fā)表于 02-28 10:34 ?627次閱讀

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅M
    發(fā)表于 01-22 10:43

    產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用

    *附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
    發(fā)表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    具有決定性的影響。因此,深入理解柵極氧化層的特性,并掌握其可靠性測(cè)試方法,對(duì)于推動(dòng)碳化硅 MOSFET的應(yīng)用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這新話題:“什么是柵極
    發(fā)表于 01-04 12:37

    碳化硅SiC在光電器件中的使用

    碳化硅的基本特性 碳化硅種由碳和硅組成的化合物半導(dǎo)體,具有以下特性: 寬帶隙 :SiC的帶隙寬度約為3.26eV,遠(yuǎn)大于硅(Si)的1.12eV,這使得
    的頭像 發(fā)表于 11-25 18:10 ?2257次閱讀

    碳化硅SiC在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)

    碳化硅SiC)在高溫環(huán)境下的表現(xiàn)非常出色,這得益于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)。以下是對(duì)碳化硅在高溫環(huán)境下表現(xiàn)的分析: 、高溫穩(wěn)定性 碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:37 ?3598次閱讀

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對(duì)比

    碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC)作為種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個(gè)復(fù)雜步驟,以下是對(duì)
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:32 ?5684次閱讀

    碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用

    隨著科技的不斷進(jìn)步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅(Si)材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限,尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅SiC)作為種寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料,因其卓越的電學(xué)
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:30 ?2405次閱讀

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢(shì)與性能

    碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二極管、MOSFETs、JFETs
    的頭像 發(fā)表于 11-25 16:28 ?2580次閱讀