韓國是全球集成電路產(chǎn)業(yè)大國，其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模占全國 CDP 的 5%，目前擁有兩萬至家企業(yè)支撐著其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。韓國集成電路產(chǎn)業(yè)起源于20世紀(jì) 60年代，當(dāng)時美國半導(dǎo)體企業(yè)將封裝產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到了韓國。從1966年開始，以仙童公司、摩托羅拉公司、Signeties 公司為代表的美國公司開始利用韓國的成本優(yōu)勢，在韓國投資設(shè)立封裝或組裝廠，轉(zhuǎn)移相關(guān)產(chǎn)能。隨后，以南亞、IG、現(xiàn)代為代表的韓國本士企業(yè)也開始進(jìn)人半導(dǎo)體封測環(huán)節(jié)。與此同時，在日韓實(shí)現(xiàn)邦交正常化的基礎(chǔ)上，以東芝為代表的日木半導(dǎo)體廠商也開始在韓國投資建設(shè)工廠。以上奠定了韓國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展基礎(chǔ)。??

1973 年，韓國成立了國家科學(xué)技術(shù)委員會。1975年，韓國政府制定了推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的六年計劃，建立了韓國高級科學(xué)技術(shù)研究院 (KAIST)。1976年韓國又建立了韓國電子技術(shù)研究所（KIST)，進(jìn)行超大規(guī)模集成電路的研究1974 年，韓裔美籍專家姜基東創(chuàng)立了第一家韓國本土半導(dǎo)體企業(yè)韓國半導(dǎo)體公司（后被三星公司收購)，標(biāo)志著韓國擁有了自己控制的半導(dǎo)體制造企業(yè)。到20世紀(jì) 70年代末，韓國己經(jīng)通過美國和日本獲得了集成電路產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)的技術(shù)，達(dá)到了生產(chǎn)超大規(guī)模集成電路的技術(shù)水平。

1981年韓國政府通過 《半導(dǎo)體工業(yè)綜合發(fā)展計劃》 以支持 4Mbit、256MbitDRAM 的開發(fā)。同時，在政府的支持下，三星、現(xiàn)代和IG 開始進(jìn)軍集成電路制造領(lǐng)域。1982年三星建立了一個半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)驗室．專注于雙極型和金屬-氧化物-半導(dǎo)體的道向工程和技術(shù)吸收。1983 年韓國幾大半導(dǎo)體公司開始為 IBM德州儀器、Intel代工 DRAM 芯片。1986年，韓國開始自主研發(fā)存儲器芯片，將4Mbit DRAM 列為國家項目，同時將三星、IG 和現(xiàn)代組成聯(lián)盟，由韓國電子技術(shù)研究所作為廠商、大學(xué)和政府的協(xié)調(diào)者。在1986-1989 年這三年進(jìn)行的 4MbitDRAM 研發(fā)中，韓國總共投人 1.1億美元，其中政府承擔(dān)了其中的 57%，遠(yuǎn)超其他國家項目。4Mbit DRAM 的成功研發(fā)，不僅縮短了韓國 DRAM 技術(shù)與美日之間的差距，更使得三星 現(xiàn)代、IC 等大型企業(yè)建立起了獨(dú)立研發(fā)的能力。1992年與美國和日本同期研發(fā)制造出 64Mbit DRAM 芯片，1995 年韓國率先制造出256Mbit DRAM 產(chǎn)品，技術(shù)水平超越美國和日本。

除了存儲器領(lǐng)域在全球處于領(lǐng)先地位，韓國在應(yīng)用處理器、ASIC 等領(lǐng)域也具有很強(qiáng)的競爭力。三星公司是全球能夠進(jìn)行 14nm 代工的三家企業(yè)之一。另外，韓國在半導(dǎo)體設(shè)備和材料領(lǐng)域也具有較強(qiáng)的競爭力，SEMES、圓益IS、KCTech、Nepes、 SK Material 等公司為韓國半導(dǎo)體國產(chǎn)化做出了很大貢獻(xiàn)。與此同時，韓國目前的存儲器產(chǎn)能也在向海外轉(zhuǎn)移，中國西安和無錫分別承接了三星和 SK 海力士的存儲器生產(chǎn)產(chǎn)能。

2016年，韓國產(chǎn)業(yè)規(guī)模占全球市場的17%，排名全球第2位。根據(jù) ICInsights 數(shù)據(jù)，2016 年全球前 10位半導(dǎo)體企業(yè)中，三星和 SK 海力士分列第2和第6位，全球前50 位 Fabless 廠商中，Silicon Works 排名第 22；全球前 10位Foundry 中，東部電子 (Dong Bu Hitech）排名第9位。