引言：DRAM價格已連續(xù)兩個月未出現(xiàn)大幅下跌。

市場數(shù)據(jù)顯示，在智能手機、PC上用于暫時儲存數(shù)據(jù)的DRAM價格終于止跌、連續(xù)2個月呈現(xiàn)持平(價格未下跌)，主要原因是部分產(chǎn)品需求出現(xiàn)復蘇跡象，加上存儲大廠減產(chǎn)、過剩情況緩解，DRAM價格有觸底的可能。

2023年6月份指標性產(chǎn)品DDR4 8Gb大宗交易價格為每個1.48美元左右、同于前一個月份(2023年5月)水準，連續(xù)2個月持平；容量較小的4Gb產(chǎn)品價格為每個1.1美元左右、同于前一個月份水準，連續(xù)2個月持平。DRAM大宗交易價格為存儲器廠商和客戶間每個月或每季敲定一次。

據(jù)報導，DRAM價格連2個月呈現(xiàn)持平、為逾1年來(2022年3月以來)首見。因需求減少，DRAM價格在2022年5月至2023年4月期間連12個月下跌。和去年同月相比，6月份DDR48Gb價格暴減45%、4Gb價格暴減50%。美國美光、韓國SK Hynix于2022年秋天表明減產(chǎn)，存儲龍頭三星也在今年4月宣布減產(chǎn)。

商用PC需求似乎已緩和增加，市場調(diào)查機構(gòu)Gartner預估，“PC庫存將在2023年底之前正?；?、2024年需求將轉(zhuǎn)為增加”。據(jù)半導體商社指出，“服務器相關(guān)DRAM訂單已開始涌入”。

這一信息與市場研究公司TrendForce 在6月30日公布的數(shù)據(jù)相對契合，TrendForce數(shù)據(jù)顯示，6月份DRAM平均固定交易價格環(huán)比下跌2.86%。6月份PC用DRAM(DDR4 8Gb1Gx8 2133MHz)固定成交均價為1.36美元，較去年同月下降59.5%。去年6月，該產(chǎn)品的平均固定交易價格為3.35美元。6月份用于存儲卡和USB的NAND閃存通用產(chǎn)品（128Gb 16Gx8 MLC）的平均固定交易價格為3.82美元，與上月持平。與去年同期相比，成交價格下跌18.3%。NAND閃存方面，由于需求前景不明朗，TrendForce預計7月份將維持持平水平。

TrendForce最新公布的7月的數(shù)據(jù)顯示，7月DRAM平均固定交易價格環(huán)比下跌1.47%。另外，7月PC用DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz）固定成交均價為1.34美元，同比下降53.47%。TrendForce表示，由于供應商和買家難以就價格達成一致，7月份簽署的PC DRAM合同數(shù)量減少。

對比TrendForce此前數(shù)據(jù)可以看到，DRAM價格確實停止了大幅下跌。據(jù)集邦咨詢研究顯示，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續(xù)跌三個季度。

在消費電子產(chǎn)品需求未明顯好轉(zhuǎn)的大背景下，雖然生成式人工智能對GPU、高帶寬存儲器需求在增加，但大部分芯片的需求并未好轉(zhuǎn)，不過有廠商預計需求下滑已經(jīng)見底，價格也不會繼續(xù)下滑。DRAM就是受消費電子產(chǎn)品需求下滑影響明顯的芯片門類，業(yè)內(nèi)消息人士透露，DRAM的合約價格在三季度預計將短期保持穩(wěn)定。消息人士還透露，DRAM的合約價格在三季度預計將保持穩(wěn)定，是由于大部分的存儲芯片供應商在同客戶洽談三季度的供應時，設法避免價格大幅下滑。如果DRAM合約價格在三季度能如消息人士透露的那樣保持短期穩(wěn)定，相關(guān)廠商這一業(yè)務的營收也就有望在短期保持穩(wěn)定，不再繼續(xù)下滑。

不只是DRAM，NAND的價格在6月也來到新的水位線。5月起美、韓系廠商大幅減產(chǎn)后，已見到部分供應商開始調(diào)高NAND晶圓報價，對于中國市場報價均已略高于3-4月成交價。

TrendForce預測，NAND閃存價格將從今年第三季度開始上漲，預計漲幅約為0-5%。預計2023年第四季度價格增長率將進一步擴大到8%-13%。然而，對于固態(tài)硬盤、eMMC和UFS等產(chǎn)品，仍然需要促銷活動來清理庫存，目前沒有價格上漲的跡象。

相較其他買方，中國模組廠持續(xù)建立低價庫存的意愿較強，因此目前對原廠小幅調(diào)漲晶圓報價的接受度高，有分析師認為部分容量晶圓價格在中國市場將會率先止跌翻漲。若其他市場也出現(xiàn)接受價格合理調(diào)漲，原廠上調(diào)晶圓報價的趨勢將獲得有效支撐，使得買方采購策略轉(zhuǎn)趨積極，進一步支撐后續(xù)晶圓價格上漲。

今年6月7日，SK海力士宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其238層NAND存儲設備，有望實現(xiàn)高性能和高容量的固態(tài)硬盤。新芯片擁有2400MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，可用于驅(qū)動下一代最佳固態(tài)硬盤，高速型號將采用PCIe5.0x4接口，并提供12GB/s或更高的順序讀/寫速度。該公司首款238層3D NAND器件是一款512Gb(64GB)的3D TLC設備，與該公司176層3DNAND節(jié)點上制造的可比設備相比，制造效率高出34%。SK海力士計劃首先在智能手機上使用這種新的238層內(nèi)存，然后在其他產(chǎn)品組合中推廣使用。

審核編輯：劉清