Everspin MRAM不影響系統(tǒng)性能下取代nvSRAM
nvSRAM使用傳統(tǒng)的捕獲電荷技術(shù)進(jìn)行非易失性存儲(chǔ)。由于溫度和過多的寫入周期會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)損耗，因此數(shù)據(jù)可能會(huì)泄漏。
Everspin代理英尚微提供的MRAM將提供最具成本效益的非易失性RAM解決方案。nvSRAM是通過將標(biāo)準(zhǔn)的6晶體管SRAM與每個(gè)單元中的非易失性EEPROM存儲(chǔ)元件相結(jié)合來構(gòu)建的。單元的總復(fù)雜性為12個(gè)晶體管。Everspin MRAM是使用一個(gè)簡(jiǎn)單得多的1晶體管、1磁性隧道結(jié)單元構(gòu)建的。簡(jiǎn)單的Everspin MRAM單元提高了制造效率和可靠性。
nvSRAM的可靠性不僅取決于存儲(chǔ)器芯片，還取決于外部VCAP電容器的質(zhì)量。必須仔細(xì)選擇電容器，以確保可靠的功率排序。
MRAM將磁性隧道結(jié)技術(shù)用于非易失性存儲(chǔ)器。數(shù)據(jù)在高溫下不會(huì)泄漏，并且在該技術(shù)中沒有限制讀取、寫入或電源循環(huán)次數(shù)的磨損機(jī)制。125℃條件下的數(shù)據(jù)保留期優(yōu)于20年。
使用MRAM的每次寫入都是即時(shí)非易失性的，至少持續(xù)20年。不存在從易失性存儲(chǔ)器單元到非易失性存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)傳輸，也不存在外部電容器或備用電池。消除了外部組件、高度可靠的數(shù)據(jù)保留和35ns SRAM兼容的讀/寫訪問時(shí)間，使Everspin MRAM成為在不影響系統(tǒng)性能的情況下取代nvSRAM的可行候選者。
審核編輯：湯梓紅
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