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康盈半導體入圍 “ IC Future 2023年度芯勢力產(chǎn)品獎 ” 評選 ,特邀您投票助力!

KOWIN康盈半導體 ? 來源:未知 ? 2023-07-11 14:10 ? 次閱讀
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“IC Future 2023”年度芯勢力產(chǎn)品獎和年度芯生力企業(yè)獎,是由世界半導體大會暨南京國際半導體博覽會特別設立的行業(yè)榮譽,旨在集中展現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)具有技術代表性、標志性、里程碑式的創(chuàng)新產(chǎn)品及技術,同時對產(chǎn)品創(chuàng)新、技術創(chuàng)新和應用創(chuàng)新的先鋒企業(yè)進行表彰,樹立引領風向的行業(yè)標桿,發(fā)揮示范效應,從而為廣大用戶提供商貿(mào)對接、技術升級、產(chǎn)品選購的決策指導。

作為超可靠的存儲創(chuàng)新解決方案商,康盈半導體入圍“ IC Future 2023年度芯勢力產(chǎn)品獎” 評選,角逐“IC Future 2023”年度芯勢力產(chǎn)品獎。

現(xiàn) IC Future 2023年度芯勢力產(chǎn)品獎” 評選活動已開啟,投票通道已正式開通!特邀您為康盈半導體投下珍貴的一票!

入圍產(chǎn)品:智慧物聯(lián)核芯小精靈

KOWIN nMCP嵌入式存儲芯片

智慧物聯(lián)核芯小精靈一KOWIN nMCP 嵌入式存儲芯片,采用先進的生產(chǎn)設備和領先的晶圓封測技術,包括晶圓研磨,疊層和引線鍵合技術等,極大程度地降低了存儲芯片的厚度,厚度僅為 0.8mm。該系列芯片集成了 SLC NAND 和 LPDDR4X,可減少系統(tǒng) PCB 設計開發(fā)時間。容量組合包括 4Gb+2Gb、4Gb+4Gb 和 8Gb+4Gb,滿足多種容量組合需求。該系列芯片中 NAND 電壓 1.8V,DRAM 電壓為1.8V/1.1V/0.6V,符合產(chǎn)品標準且低功耗,可兼容各大主流平臺。LPDDR4X 傳輸速率高達4,266Mbps,性能優(yōu)異,提高系統(tǒng)運行的流暢性。產(chǎn)品均通過嚴格的可靠性測試,有效保障數(shù)據(jù)信息安全和持久性,可滿足產(chǎn)品的 5W 次壽命擦除和 10 年數(shù)據(jù)保持能力要求。同時 nMCP 系列芯片具有體積小、功耗低、速度快、低延時、壽命長等諸多優(yōu)點,廣泛應用于物聯(lián)網(wǎng)模塊、通信模塊等領域。


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康盈半導體,超可靠存儲創(chuàng)新解決方案商!



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康盈半導體全線首秀2023 CFMS中國閃存市場峰會,共鑄存儲未來
喜報︱康盈半導體榮獲康佳集團2022年度產(chǎn)品創(chuàng)新獎
【創(chuàng)新 成長 影響力】康盈半導體喜登 投資家網(wǎng) · 2022中國價值企業(yè)榜
【創(chuàng)新 突破 成長】康盈半導體喜獲中國IC風云榜 “ 年度新銳公司獎 ”




原文標題:康盈半導體入圍 “ IC Future 2023年度芯勢力產(chǎn)品獎 ” 評選 ,特邀您投票助力!

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