自耦變壓器除了使用外部MOSFET或反激式變壓器外，還提供了一種擴展反相DC-DC穩(wěn)壓器輸出電壓范圍的替代方法。使用自耦變壓器，輸入輸出電壓可以擴展到集成電路（IC）的規(guī)格限制之外。

在圖 1 中，具有內(nèi)部開關 MOSFET 的 DC-DC 穩(wěn)壓器反相 12V，在 -200V 時產(chǎn)生 12mA 輸出。該 IC 是一款高效率器件，其低靜態(tài)電流 （最大值為 120μA） 是通過 CMOS 工藝實現(xiàn)的，該工藝將絕對最大電壓限制為 21V （輸入至輸出）。因此，為了避免端子兩端出現(xiàn)24V電壓，IC必須通過驅動非自舉配置中的外部開關或反激式變壓器配置中的內(nèi)部開關，將自身與電感反激式電壓隔離開來。

圖1.自耦變壓器T1限制IC1兩端的電壓，允許在該反相DC-DC穩(wěn)壓器中使用高效芯片（絕對最大電壓為21V）。

自耦變壓器 T1（匝數(shù)比為 1：1 的中心抽頭電感器）提供了一種設計替代方案。在所示電路中，LX飛回1/2V外加上二極管壓降，或大約-6V.V+保持在12V，在V+和LX之間產(chǎn)生18V的最大電壓，完全在21V的限制范圍內(nèi)。

由于IC1在V+和OUT電壓之間驅動其內(nèi)部MOSFET的柵極，因此通常將OUT連接到V外以確保足夠的柵極驅動（在典型應用中，芯片將5V反相至-5V）。在該電路中，12V輸入提供足夠的柵極驅動，因此OUT接地。

審核編輯：郭婷