LEAD-TECK領(lǐng)泰超高性?xún)r(jià)比LT領(lǐng)泰雙P電源MOS LT4953SQ參數(shù)介紹
LEAD-TECK領(lǐng)泰超高性?xún)r(jià)比LT領(lǐng)泰雙P電源MOS LT4953SQ參數(shù)介紹由技術(shù)選型代理商KOYUELEC光與電子，82542001為ODM/ODM提供技術(shù)選型方案應(yīng)用支持。
超高性?xún)r(jià)比領(lǐng)泰雙P電源MOS，LT4953SQ，-30V/5.1A/37mΩ，另還有13mΩ/18mΩ/27mΩ，PIN替換AP4953/TS4953/AO4805
Dual P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
參數(shù)：
VDS = -30V,
I D = -5.1A
RDS(ON) @VGS= -10V, TYP 37mΩ
RDS(ON) @VGS= -4.5V, TYP 54mΩ
應(yīng)用：
負(fù)載開(kāi)關(guān)
PWM應(yīng)用
A: RθJA的值是用安裝在2盎司的1/2的FR-4板上的設(shè)備來(lái)測(cè)量的。銅，在一個(gè)靜止的空氣環(huán)境中與TA=25°C。任何給定應(yīng)用程序中的值都取決于用戶(hù)的特定電路板設(shè)計(jì)。
B: 重復(fù)額定值，脈沖寬度受接結(jié)溫度的限制。
C: 電流額定值是基于t≤10s連接到環(huán)境熱阻額定值。
D: 脈沖測(cè)試：脈沖寬≤300μs，占空比≤2%。
審核編輯黃宇
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制造商
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LT18N20SR
—— 技術(shù)參數(shù) ——
TYP
N
Package
TO252-2L
VDS(V)
200
VGS(V)
±20
ID
發(fā)表于 09-25 14:21
領(lǐng)泰 / LEADTECK領(lǐng)泰半導(dǎo)體（深圳）有限公司由一級(jí)代理提供技術(shù)支持
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發(fā)表于 11-03 14:20
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4485FL LT60P17FLLT7441FL-Y
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發(fā)表于 07-09 09:37
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