沉積晶圓通量是晶圓廠 FAB 效率的關(guān)鍵指標(biāo)之一, 也是晶圓廠 FAB 不斷改進(jìn)以降低每次移動成本和減少資本支出的關(guān)鍵指標(biāo). 上海伯東日本 Atonarp Aston? 質(zhì)譜儀提供腔室清潔終點檢測方案已成功應(yīng)用于 low-k 電介質(zhì)沉積應(yīng)用 ( 特別是氮化硅 Si3N4 ), 在減少顆粒污染的同時, 縮短了生產(chǎn)時間.

low-k 電介質(zhì)沉積需要經(jīng)常清潔工藝室以除去沉積冷凝物的堆積. 如果不除去冷凝物可能會導(dǎo)致顆粒薄片從腔室壁上分層, 從而導(dǎo)致產(chǎn)量損失.通常每 5 片晶圓進(jìn)行一次清潔（在 25 片晶圓批次中進(jìn)行 5 次）.

上海伯東日本 AtonarpAston? 質(zhì)譜儀提供腔室清潔終點檢測解決方案
為了提高整個工藝吞吐量, 需要使用端點檢測來縮短腔室清潔周期時間. 使用殘余氣體分析儀 RGA 或光學(xué)發(fā)射光譜 OES 的傳統(tǒng)計量解決方案是無效的. 用于腔室清潔的三氟化氮 NF3 氣體對 RGA 電子碰撞電離源具有高度腐蝕性（使其無法用于生產(chǎn)）, 并且 OES 需要在清潔周期中不存在等離子體. 從歷史上看, 腔室清潔周期是一個固定時間的工藝步驟, 有足夠的余量, 以確保考慮到腔室之間的統(tǒng)計變化. 借助上海伯東日本 Atonarp Aston? 質(zhì)譜儀基于終點檢測的腔室清潔既可以縮短處理時間, 又不會影響工藝裕度, 還可以避免過度清潔, 因為過度清潔會造成氟化鋁污染, 造成大量腔室的陳化處理.

使用Aston? 質(zhì)譜儀檢測結(jié)果
讓處理時間減少 >40%：在一次晶圓廠 FAB 連續(xù)生產(chǎn)研究中, Aston 質(zhì)譜儀將整個腔室清潔周期縮短了高達(dá) 80%. 在總共5片晶圓加工周期內(nèi), 晶圓沉積和晶圓室清潔的周期時間, 總共減少了 40% 以上.

更高的吞吐量和產(chǎn)量:除了縮短工藝時間之外, 研究還發(fā)現(xiàn), 基于 Aston 端點的清潔周期在基于時間的解決方案中, 由于過度清潔而導(dǎo)致的腔室側(cè)壁超過蝕刻產(chǎn)生的顆粒很少. 基于較低的后處理顆粒污染, 預(yù)測總體產(chǎn)品產(chǎn)量提高.

設(shè)備和工藝協(xié)同優(yōu)化 EPCO: 380億美元的長期制造優(yōu)化機會

許多先進(jìn)的制造工藝都需要設(shè)備和工藝協(xié)同優(yōu)化 EPCO. 麥肯錫公司 McKinsey & Co. 在2021年發(fā)表的一篇論文表明, 利用人工智能 AI 和機器學(xué)習(xí) ML 進(jìn)行半導(dǎo)體制造優(yōu)化, 通過提高產(chǎn)量和提高吞吐量, 有望節(jié)省380億美元的成本. 麥肯錫強調(diào), 幫助企業(yè)實現(xiàn)這些好處的干預(yù)點之一是調(diào)整工具參數(shù), 使用當(dāng)前和以前步驟的實時工具傳感器數(shù)據(jù), 使 AI/ML 算法優(yōu)化工藝操作之間的非線性關(guān)系. 成功部署 AI/ML 的關(guān)鍵是可操作的實時數(shù)據(jù).

上海伯東日本 Atonarp Aston? 質(zhì)譜儀原位實時分子診斷和云連接數(shù)據(jù)是實現(xiàn)這一能力的關(guān)鍵技術(shù), 從而解鎖半導(dǎo)體 EPCO 的潛力.

AtonarpAston? 質(zhì)譜儀優(yōu)點

1. 耐腐蝕性氣體

2. 抗冷凝

3. 實時, 可操作的數(shù)據(jù)

4. 云連接就緒

5. 無需等離子體

6. 功能: 穩(wěn)定性, 可重復(fù)性, 傳感器壽命, 質(zhì)量范圍, 分辨率, 最小可檢測分壓, 最小檢測極限 PP,靈敏度 ppb, 檢測速率.

AtonarpAston? 質(zhì)譜儀半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用

1. 介電蝕刻: Dielectric Etch

2. 金屬蝕刻: Metal Etch EPD

3. CVD 監(jiān)測和 EPD: CVD Monitoring and EPD

4. 腔室清潔 EPD: Chamber Clean EPD

5. 腔室指紋: Chamber Fingerprinting

6. 腔室匹配: Chamber Matching

7. 高縱橫比蝕刻: High Aspect Ratio Etch

8. 小開口面積 <0.3% 蝕刻: Small Open Area <0.3% Etch

9. ALD

10. ALE

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審核編輯黃宇