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國(guó)芯思辰|耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊上,Rds為32mΩ

國(guó)芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-12-05 09:54 ? 次閱讀
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隨著新能源汽車(chē)的普及,充電樁也成了日常配套的生活設(shè)施。目前市面上充電樁電源模塊的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)可以做到99%,對(duì)于車(chē)輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這對(duì)于設(shè)計(jì)者來(lái)說(shuō),功率器件的選型尤為重要。

本文提到基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中,可以有效降低熱損耗,提高工作效率,同時(shí)也可以減小變壓器等器件的體積。

基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的電路框圖如下:

?url=http%3A%2F%2Fdingyue.ws.126.net%2F2022%2F1203%2Ff83a1976j00rmanrr000cc000lo004lm.jpg&thumbnail=660x2147483647&quality=80&type=jpg

充電樁電源模塊功率段部分框圖

基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK,耐壓1200V,Rds 32mΩ,持續(xù)電流84A,T0247-4封裝,用于充電樁電源模塊上有以下優(yōu)勢(shì):

1、Rds 32mΩ,相較于傳統(tǒng)的Si MOSFET,導(dǎo)通內(nèi)阻更低,損耗更小,可以提高系統(tǒng)效率;

2、反向恢復(fù)時(shí)間典型值僅27nS,開(kāi)關(guān)頻率更快,周邊器件可以小型化,節(jié)省空間;

3、耐壓1200V,電流典型值84A,對(duì)于目前市面上三相380VAC的電源模塊,不管哪個(gè)功率段的都適用;

4、TO247-4封裝,為功率器件的常用封裝,可以與科銳C3M0032120K、羅姆SCT3040KR、英飛凌IMZ120R045M1、安森美NTH4L040N120SC1等眾多的品牌器件直接進(jìn)行兼容替換使用;

5、結(jié)溫-55℃~+150℃,寬溫工作范圍,可以滿足產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下的使用,保證性能。

另外,基本半導(dǎo)體為國(guó)產(chǎn)SIC MOSFET功率器件知名品牌,目前已有很多頭部大廠的成功應(yīng)用案例,設(shè)計(jì)者可以放心選用。

注:如涉及作品版權(quán)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系刪除。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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