11.1 電力電子系統(tǒng)的介紹∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
3229瀏覽量
51545
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
傾佳電子1400V碳化硅(SiC)MOSFET賦能新一代電力電子系統(tǒng)
傾佳電子1400V碳化硅(SiC)MOSFET賦能新一代電力電子系統(tǒng) 引言：迎接1000-1100V系統(tǒng)架構(gòu)的挑戰(zhàn) 隨著電動(dòng)汽車快充、可再生
探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)
)、數(shù)據(jù)中心和電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施日益增長的需求。相比傳統(tǒng)的硅器件，碳化硅技術(shù)更具優(yōu)勢(shì)，尤其是在功率轉(zhuǎn)換效率和熱敏感性方面。碳化硅對(duì)電子、
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
。其中，關(guān)斷損耗（Eoff）作為衡量器件開關(guān)性能的重要指標(biāo)，直接影響著系統(tǒng)的效率、發(fā)熱和可靠性。本文將聚焦于基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性，深入探討其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及在
34mm碳化硅（SiC）功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)的推薦方案
34mm碳化硅（SiC）功率模塊應(yīng)用在電力電子系統(tǒng)推薦方案 傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅M
碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加，寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在
先進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體封裝：技術(shù)突破與行業(yè)變革
，對(duì)封裝技術(shù)提出全新要求。先進(jìn)的封裝技術(shù)能夠充分發(fā)揮碳化硅器件的優(yōu)勢(shì)，提升功率模塊的性能與可靠性，推動(dòng)電力
SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法介紹
碳化硅革新電力電子，以下是關(guān)于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件雙脈沖測(cè)試方法的詳細(xì)介紹，結(jié)合
碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫
碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析
碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能
鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置
一、引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的
什么是MOSFET柵極氧化層？如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性？
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件
發(fā)表于 01-04 12:37
8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)
隨著碳化硅（SiC）材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用
能源轉(zhuǎn)換、電力傳輸和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理和特點(diǎn)，并探討其在能源轉(zhuǎn)換中的創(chuàng)新應(yīng)用，引領(lǐng)高效能源
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論