8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果
8.2.10 反型層電子遷移率
8.2 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)
第８章單極型功率開關(guān)器件
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
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發(fā)表于 03-12 11:31
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發(fā)表于 01-20 14:19
鐘罩式熱壁碳化硅高溫外延片生長裝置
一、引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種具有優(yōu)異物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，在電力電子、微波器件、高溫傳感器等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。高質(zhì)量、大面積的
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發(fā)表于 01-04 12:37
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