提出一種Si IGBT和SiC MOSFET功率器件導(dǎo)通壓降及電流在線檢測(cè)電路,設(shè)計(jì)了兼具結(jié)溫監(jiān)測(cè)功能的驅(qū)動(dòng)電路,并提出了- -種結(jié)
    
                發(fā)表于 05-23 11:08        
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    Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)SiC 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問題,研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了
    
                發(fā)表于 10-06 09:48        
                    
    
                               
    
    高頻變壓器傳遞低頻電功率技術(shù)研究
    
                發(fā)表于 08-20 23:48        
                    
    
                               
    
    :輸入功率;LED 結(jié)和環(huán)境溫度之間的熱阻以及環(huán)境溫度。 輸入功率決定產(chǎn)生多少熱量,而熱阻和環(huán)境條件決定如何有效地散熱。兩個(gè)重要導(dǎo)熱路徑的熱阻會(huì)影響結(jié)
    
                發(fā)表于 04-10 14:03        
                    
    
                               
    
    和Ag-In瞬態(tài)液相鍵合技術(shù)進(jìn)行了研究?! ?shí)驗(yàn)  本研究選擇Sn96.5-Ag3.5焊膏,采用直接覆銅 (DBC)襯底作為SiC功率器件的
    
                發(fā)表于 09-11 16:12        
                    
    
                               
    
    。 背景通常,芯片的結(jié)溫(Junction Temperature)(Tj)每上升10℃,器件的壽命就會(huì)大約減為一半,故障率也會(huì)大約增大2倍。Si 半導(dǎo)體在Tj 超過了175℃時(shí)就有可能損壞。由此,使用時(shí)
    
                發(fā)表于 09-20 09:05        
                    
    
                               
    
    項(xiàng)目名稱:基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究試用計(jì)劃:申請(qǐng)理由:碳化硅作為最典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場(chǎng)合。為了提高永磁同步電機(jī)伺服控制系統(tǒng)的性能
    
                發(fā)表于 04-21 16:04        
                    
    
                               
    
    測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫,如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫
    
                發(fā)表于 03-11 07:53        
                    
    
                               
    
    測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法
    
                發(fā)表于 03-17 07:00        
                    
    
                               
    
    利用仿真來估計(jì)功率半導(dǎo)體的結(jié)溫關(guān)鍵詞:仿真半導(dǎo)體結(jié)溫摘要:本文設(shè)計(jì)了一個(gè)利用仿真來估計(jì)功率半導(dǎo)體
    
                發(fā)表于 02-05 22:16        
                ?34次下載    
    
                               
    
    功率器件結(jié)溫和殼頂溫度,差多少? 測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)
    
        
            	
                                    發(fā)表于 10-19 10:26        
        
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    測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫,如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫
    
                發(fā)表于 11-23 14:53        
                ?5次下載    
    
                    
    
                               
    
    功率循環(huán)試驗(yàn)中最重要的是準(zhǔn)確在線測(cè)量結(jié)溫,直接影響試驗(yàn)結(jié)果和結(jié)論。比較總結(jié)了各種溫度測(cè)量方法的一致性、線性、靈敏度、難度和物理意義?;谕☉B(tài)特性的電學(xué)參數(shù)法更適用于設(shè)備導(dǎo)向狀態(tài)的測(cè)試。國(guó)際電工
    
        
            	
                                    發(fā)表于 02-06 12:27        
        
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    的電氣參量;然后研究分析了功率器件結(jié)溫測(cè)量的各類方法, 并重點(diǎn)闡述了溫敏電參數(shù) (TSEP) 法
    
        
            	
                                    發(fā)表于 04-15 10:03        
        
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    近期,江蘇省科技廳公示了2023年度擬新建省級(jí)工程技術(shù)研究中心名單,長(zhǎng)晶科技獲批建設(shè)“江蘇省功率器件工程技術(shù)研究中心”。
    
        
            	
                                    發(fā)表于 10-07 16:18        
        
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評(píng)論