美國(guó)鼓吹下，半導(dǎo)體設(shè)備大廠阿斯麥（ASML）母國(guó)荷蘭今夏有意擴(kuò)大限制部分芯片制造設(shè)備出口范圍，日本也跟進(jìn)，將對(duì)23種先進(jìn)芯片制造技術(shù)實(shí)施出口限制措施，業(yè)界認(rèn)為，此舉讓大陸晶圓代工廠發(fā)展先進(jìn)制程無(wú)望，預(yù)料將全力猛攻成熟制程，聯(lián)電、世界、力積電等臺(tái)廠面臨更大的競(jìng)爭(zhēng)壓力。

綜合外媒近期報(bào)導(dǎo)，荷蘭準(zhǔn)備加大限制部分芯片制造設(shè)備出口到中國(guó)大陸，亦即艾司摩爾生產(chǎn)的機(jī)臺(tái)，從原先規(guī)范用于先進(jìn)制程的極紫外光（EUV）設(shè)備，延伸到部分成熟制程用的深紫外光（DUV）設(shè)備，最快今年夏天揭露細(xì)節(jié)。

日本也傳出有意跟進(jìn)擴(kuò)大對(duì)陸銷售半導(dǎo)體設(shè)備的措施，包括東京威力科創(chuàng)（Tokyo Electron）在內(nèi)的約十家日企，若要出口晶圓制造、晶圓清洗、沉積、回火（annealing）、微影、蝕刻和測(cè)試等設(shè)備時(shí)，必須先取得許可。

業(yè)界研判，隨著美、日、荷聯(lián)手?jǐn)U大限制中國(guó)大陸取得關(guān)鍵半導(dǎo)體制造機(jī)臺(tái)，將使得大陸晶圓代工廠再也無(wú)法發(fā)展先進(jìn)制程，只能藉由既有設(shè)備持續(xù)擴(kuò)大成熟制程能量，透過(guò)良率提升、產(chǎn)能去瓶頸優(yōu)化等方式爭(zhēng)取訂單，隨著陸企全力沖刺成熟制程發(fā)展，聯(lián)電、世界、力積電等臺(tái)廠競(jìng)爭(zhēng)壓力更大。

因應(yīng)陸企相關(guān)策略，臺(tái)灣晶圓代工廠積極出招因應(yīng)。以聯(lián)電為例，主要鎖定車用領(lǐng)域，并強(qiáng)化特殊制程發(fā)展。

聯(lián)電先前在法說(shuō)會(huì)上表態(tài)，即使主要終端市場(chǎng)需求疲弱，旗下車用和工業(yè)產(chǎn)品依持續(xù)成長(zhǎng)，特別是車用業(yè)務(wù)首季營(yíng)收貢獻(xiàn)達(dá)17%，在汽車電子化和自動(dòng)駕駛驅(qū)動(dòng)下，正向看待車用IC含量持續(xù)增加，車用產(chǎn)品將是公司未來(lái)重要營(yíng)收來(lái)源和成長(zhǎng)主動(dòng)能，聯(lián)電會(huì)同步強(qiáng)化與關(guān)鍵車用客戶的長(zhǎng)約合作。

力積電方面，為強(qiáng)化整合邏輯、記憶體代工獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，投入開(kāi)發(fā)邏輯芯片與記憶體芯片垂直異質(zhì)疊合（Hybrid Bonding）制程，適用于3D結(jié)構(gòu)的超高頻寬DRAM，并與數(shù)家設(shè)計(jì)公司合作開(kāi)發(fā)超高效能與超低能耗AI應(yīng)用芯片。

世界先進(jìn)部分，去年于8吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST），已在客戶端完成首批產(chǎn)品系統(tǒng)及可靠性驗(yàn)證，正式進(jìn)入量產(chǎn)，同時(shí)已和海內(nèi)外整合元件廠（IDM）及IC設(shè)計(jì)公司展開(kāi)合作。

臺(tái)灣晶圓代工廠投資不停歇

面對(duì)半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整狀況不如預(yù)期與陸企發(fā)展成熟制程來(lái)勢(shì)洶洶，聯(lián)電、力積電等臺(tái)灣晶圓代工廠沉著應(yīng)戰(zhàn)，購(gòu)置設(shè)備的動(dòng)作持續(xù)進(jìn)行。聯(lián)電今年以來(lái)已斥資242.51億元添購(gòu)新設(shè)備沖刺技術(shù)，新加坡擴(kuò)廠也不停歇；力積電也持續(xù)向科林研發(fā)（Lam Research）等設(shè)備大廠購(gòu)買設(shè)備強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力。

業(yè)界指出，目前多數(shù)臺(tái)灣晶圓代工廠仍維持今年資本支出計(jì)畫(huà)不變，希望在市況低迷之際仍持續(xù)儲(chǔ)備能量，迎接景氣反轉(zhuǎn)。

以聯(lián)電為例，今年首季資本支出約9.98億美元，雖然季減14.33％，但仍較去年同期大增1.46倍。聯(lián)電預(yù)估，今年資本支出維持30億美元不變，其中九成用于12吋產(chǎn)能，其余用于8吋產(chǎn)能。隨著南科Fab 12A廠區(qū)新產(chǎn)能開(kāi)出，本季晶圓產(chǎn)能估約263萬(wàn)片8吋約當(dāng)晶圓，季增4.12％，年增3.88％。

力積電方面，今年資本支出約18.9億美元，其中77%用于銅鑼新廠，20%用于銅鑼廠以外的12吋廠，3%用于8吋廠。至于銅鑼新廠最新進(jìn)展，力積電規(guī)劃廠房潔凈室及廠務(wù)設(shè)施預(yù)估第3季中完成，并取得使用執(zhí)照，年底應(yīng)該可以完成8,500片試產(chǎn)線建置。

審核編輯 ：李倩