使用尖端工藝技術(shù)生產(chǎn)芯片需要比以往更強大的計算能力。為了滿足2nm及更先進制程的需求，NVIDIA正在推出其cuLitho軟件庫，該軟件庫使用了基于NVIDIA H100 GPU的DGX H100系統(tǒng)，可以在合理的功耗范圍內(nèi)將掩模速度提高40倍。

現(xiàn)代工藝技術(shù)將晶圓廠設(shè)備要求推向極限，需要實現(xiàn)突破其物理極限的高分辨率，這正是計算光刻技術(shù)發(fā)揮作用的地方。計算光刻就是為芯片生產(chǎn)制作光掩模的技術(shù)，它結(jié)合來自ASML設(shè)備和測試晶圓的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，是一個模擬生產(chǎn)過程的算法。這些模擬有助于通過故意改變圖案來抵消在光刻和制版步驟中產(chǎn)生的物理和化學影響，從而在不修改工具的前提下提高光刻過程中可達到的分辨率。

被晶圓廠廣泛使用的有如下幾種計算光刻技術(shù)，包括分辨率增強技術(shù)(ResolutionEnhancement Technology，簡稱RET)、反演光刻技術(shù)(Inverse Lithography Technology，簡稱ILT，一種通過在掩模上使用非矩形形狀來減少制造變化的方法)、光學鄰近效應(yīng)修正(Optical Proximity Correction，簡稱OPC，一種通過校正由衍射或工藝相關(guān)影響引起的圖像不準確性來改善光刻的技術(shù))以及光源掩模協(xié)同優(yōu)化(Source Mask Optimization，簡稱SMO)。

其中，ILT和SMO的計算成本較高，它們必須為特定設(shè)計定制實現(xiàn)方案，以確保實現(xiàn)適當?shù)姆直媛?。利用RET、ILT、OPC和SMO合成掩模使用了計算光刻技術(shù)，隨著節(jié)點越來越小，計算復雜性越來越高，計算功耗成為實現(xiàn)瓶頸（因為每個芯片都要使用多張掩膜）。例如，NVIDIA的H100使用了89張掩膜。

NVIDIA表示，目前計算光刻技術(shù)每年要消耗數(shù)百億個CPU小時，耗電量巨大。像NVIDIA H100這樣高度并行的GPU有望以更低的成本和功耗獲得更高的性能。NVIDIA特別指出，500個DGX H100系統(tǒng)（包含4000個H100 GPU）使用cuLitho計算光刻軟件，可代替臺積電目前使用的4萬臺CPU服務(wù)器，同時將耗電從35mw降低至5mw。該公司還表示，一旦依賴GPU加速計算光刻技術(shù)，掩模制造商可以用比現(xiàn)在少9倍的電力生產(chǎn)3到5倍的掩模，這個說法需要實際驗證，但讓我們對該公司的發(fā)展方向有了基本的了解。

“在光刻技術(shù)處于物理極限的情況下，NVIDIA推出cuLitho，并與我們的合作伙伴臺積電、ASML和Synopsys合作，使晶圓廠提高產(chǎn)量，減少碳排放，并為2nm及更高制程技術(shù)奠定了基礎(chǔ)?！?/p>

雖然NVIDIA設(shè)定的性能目標令人印象深刻，但要指出的是，用于計算光刻的cuLitho軟件庫必須納入ASML、Synopsys和TSMC提供的軟件中，這些軟件在掩模工廠中得到了合作伙伴的廣泛使用。對于當前的光刻技術(shù)(考慮7納米、5納米和3納米級節(jié)點)，掩模工廠已經(jīng)在使用基于CPU的計算光刻解決方案，并且至少在一段時間內(nèi)還會繼續(xù)這樣做。這也許就是為什么NVIDIA要在下一代2納米節(jié)點及更先進制程中討論其計算光刻技術(shù)的原因。與此同時，晶圓代工廠和掩模工廠至少可以嘗試在一些即將推出的3納米節(jié)點上部署NVIDIA的cuLitho，以提高產(chǎn)量和性能。例如，臺積電將在2023年中期開始獲得cuLitho，預計該平臺將從2024年開始開放給該公司的客戶。

Synopsys首席執(zhí)行官Aartde Geus表示：“計算光刻技術(shù)，特別是OPC，正在突破最先進芯片計算工作量的極限。通過與合作伙伴NVIDIA合作，在cuLitho平臺上運行Synopsys OPC軟件，我們將性能從幾周大幅提高到幾天！我們兩家公司的合作將繼續(xù)推動行業(yè)取得驚人的進步。”

NVIDIA的一份官方聲明指出：“晶圓廠工藝變更通常需要OPC修訂，這造成了瓶頸。cuLitho不僅有助于消除這些瓶頸，而且還使新技術(shù)節(jié)點所需的曲線掩模、高NA EUV光刻和亞原子光刻膠建模等新穎解決方案和創(chuàng)新技術(shù)成為可能?！?/p>

用于計算光刻應(yīng)用的額外計算能力將特別適用于下一代生產(chǎn)節(jié)點，這些生產(chǎn)節(jié)點將使用High-NA光刻掃描儀，并要求使用ILT、OPC和SMO來考慮光刻掃描儀和電阻的物理特性，以確保良率、可預見的性能和功耗以及可預測的成本。另外，2納米及更先進制程的RET、ILT、OPC和SMO的計算成本將持續(xù)增加，看起來NVIDIA將適時推出cuLitho平臺。

審核編輯：劉清