在新冠疫情、通脹和地緣政治的影響下，全球經(jīng)濟自2022年開始步入下降通道 ，全球半導體市場也受到影響進入下行，進入2023年以后，這樣的趨勢還未改觀，這樣的低迷何時可以結束？

產(chǎn)業(yè)有句名言“產(chǎn)業(yè)復蘇看存儲”，在近日召開的中國閃存市場峰會CFMS2023上，綜合發(fā)言嘉賓的分析，我們似乎已經(jīng)感受到了產(chǎn)業(yè)復蘇的氣息。

|存儲市場臨近拐點

綜合嘉賓發(fā)言和近日的市場信息，可以明顯感受到存儲市場信心在逐步恢復，存儲行業(yè)已經(jīng)到了復蘇的臨近拐點。

作為半導體行業(yè)重要分支，存儲在本輪行業(yè)周期調(diào)整中受到影響，DRAM（內(nèi)存）和NAND Flash（閃存）為主的存儲器產(chǎn)品大幅跌價，去年多家廠商也為此削減開支和產(chǎn)能。

據(jù)CFMS統(tǒng)計，2022年DRAM和NAND市場規(guī)模分別為780億美元與470億美元，同比降低18%和32%。步入2023年，市場對存儲行業(yè)的信心在逐步積攢和恢復。

值得一提的是，多家存儲廠商和業(yè)內(nèi)專家都對于今年的市場給出了積極的預期。他們指出，當前全球存儲需求處于下行周期，但每個國家或地區(qū)市場受影響程度不同，今后恢復的程度也將有所不同。另外，在一些產(chǎn)品市場中，消費電子市場客戶的庫存已經(jīng)慢慢恢復至健康水平，相較其它應用市場，預計率先恢復。

也有專家指出，存儲芯片2月份就應該已經(jīng)到了底部，以智能手機為例，從下游產(chǎn)業(yè)鏈的一些信息來看，手機的庫存其實不高，PC的庫存也已經(jīng)降下來。雖然今年上半年的低迷市況在持續(xù)深化，但從全年整體來看，預計市況會越到下半年就越好。此外，IT企業(yè)將增加與產(chǎn)業(yè)高點相比價格大幅下降的存儲器半導體的使用量，市場需求也將逐漸回升。

總體來看，2023年全球閃存需求將回暖，供需趨于平衡。

現(xiàn)在，隨著ChatGPT帶動AI的新一波浪潮，訓練AI所需的數(shù)據(jù)以及新生成的數(shù)據(jù)均呈爆炸性增長；以新能源車為代表的智能汽車中智能座艙、自動駕駛、智慧交通等應用也在產(chǎn)生海量數(shù)據(jù)，這些新興應用都推動了對存儲的大量需求，成為NAND閃存市場新的成長動力。

因此，我們可以判斷：2023年下半年以后，消費級市場將陸續(xù)出現(xiàn)好轉的跡象，并且向大容量存儲提升趨勢明顯，工業(yè)和車規(guī)市場則保持穩(wěn)步增長。

|西部數(shù)據(jù)持續(xù)深耕閃存領域，抓住復蘇機遇

作為全球數(shù)據(jù)基礎架構的提供者，西部數(shù)據(jù)在 NAND 閃存領域擁有領先的創(chuàng)新技術、產(chǎn)能優(yōu)勢和縱向集成能力，并且具備強大的垂直整合能力。西部數(shù)據(jù)持續(xù)創(chuàng)新，應對即將而來的市場復蘇。

企業(yè)級固態(tài)硬盤縱向集成優(yōu)勢

西部數(shù)據(jù)在企業(yè)級 SSD 領域擁有三大核心技術優(yōu)勢，即集完全自主的 NAND Flash、先進的SSD 控制器和高性能固件于一體，這種縱向集成的能力能夠讓 SSD 實現(xiàn)性能和穩(wěn)定性的極致優(yōu)化，確保 SSD 生命周期穩(wěn)定的 I/O 一致性。

產(chǎn)能優(yōu)勢和市場領導力

西部數(shù)據(jù)與合作伙伴鎧俠攜手超過 20 年，不斷深化在閃存領域的研發(fā)和制造伙伴關系。雙方的合資工廠生產(chǎn)了全球超過 34%的閃存晶圓以及約 40%的商用閃存產(chǎn)品。

垂直的整合技術

西部數(shù)據(jù)擁有獨特的設計、調(diào)試和優(yōu)化能力，開發(fā)、制造并銷售的內(nèi)容囊括了從 NAND、固態(tài)硬盤、HDD 和平臺在內(nèi)的一系列品類，提供數(shù)據(jù)平臺、連接平臺、技術產(chǎn)品等豐富的產(chǎn)品組合，充分地滿足在當下和未來以數(shù)據(jù)為中心的環(huán)境，對性能、可靠性、總體擁有成本和可持續(xù)性的需求。

|西部數(shù)據(jù)豐富全面的閃存解決方案，賦能各行業(yè)的深入應用

西部數(shù)據(jù)在存儲領域深耕 50 多年，擁有包括西部數(shù)據(jù)、閃迪、西數(shù)、閃迪大師和 WD_BLACK 在內(nèi)的多個品牌，能夠提供從云數(shù)據(jù)中心、智慧視頻、汽車、手機移動端、IoT 到消費者個人 PC 等領域豐富的產(chǎn)品組合，支持每位用戶對于數(shù)字化美好生活的追求和向往。

針對消費者個人 PC 的內(nèi)置 SSD

如今，數(shù)字化的工作與生活方式正深刻影響著每一個人。消費者對于體驗的需求是圍繞著內(nèi)容的創(chuàng)造與消費不斷升級的。全球范圍內(nèi)已有 69 億臺設備正用于內(nèi)容創(chuàng)造或內(nèi)容消費，并且這些設備的正變得愈發(fā)強大。

消費者辦公、生活娛樂的習慣和偏好不斷變革，尤其是游戲市場對于沉浸式體驗的追求持續(xù)提升，對硬件系統(tǒng)配置提出了更高的要求。因此，玩家們希望升級游戲設備來滿足高配置游戲的需求，并為將來的游戲更新和下載增加存儲空間。

西部數(shù)據(jù)旗下 WD_BLACK、WD Blue 和 WD Green 等系列的內(nèi)置 SSD 具有大容量、高性能、低功耗、高性價比等優(yōu)勢，可滿足消費者為個人 PC 或游戲主機設備擴容的需求。值得一提的是，WD_BLACK 品牌專為游戲玩家而生，通過將創(chuàng)新閃存技術應用于游戲娛樂場景，以豐富的存儲解決方案滿足玩家對高性能和個性化的豐富需求。其中，以 WD_BLACK SN770 NVMe SSD、WD_BLACK SN850X NVMe SSD 為代表的 PCIe 4.0 游戲存儲解決方案能夠為廣大硬核玩家和游戲發(fā)燒友帶來酣暢淋漓的游戲體驗。

?WD_BLACK SN850XNVMeSSD

作為 WD_BLACK 系列的旗艦產(chǎn)品，WD_BLACK SN850X NVMe SSD 搭載了西部數(shù)據(jù)自研主控及 PCIe Gen4 技術，主要針對追求極致性能的硬核玩家，可提供高達 7,300 MB/s 的順序讀取速度和 6,600MB/s 的順序寫入速度（2TB 和 4TB 容量版本），隨機讀取和寫入 IOPS 高達1,200K (2TB 和 4TB 容量版本)和 1,100K，并提供從 1TB 至 4TB 多個容量版本。這款產(chǎn)品具 有更低的延遲，預加載技術和自適應熱能效管理，玩家可以獲得更快的加載速度、更豐富的視覺表現(xiàn)以及強勁的散熱性能，游戲體驗顯著提升。

玩家可下載帶有最新 Game Mode 2.0 的 WD_BLACK 儀表板（僅限 Windows 系統(tǒng)），它提升了 PC 的出色性能，保證玩家在暢玩、直播、錄制、乃至奪得游戲勝利的過程中獲得更好的體驗。該產(chǎn)品將提供可選加裝散熱片版本（1TB 和 2TB 容量版本），有助于時刻保持高性能，并加裝了 RGB 燈效以配合其他游戲裝備。

?WD_BLACK SN770NVMeSSD

WD_BLACK SN770 NVMe SSD 面向廣大游戲發(fā)燒友，作為搭載西部數(shù)據(jù)自研主控和NAND 閃存顆粒的第四代 DRAM-less SSD，采用了 PCIe Gen4 接口，可提供高達5,150MB/s 的讀取速度（1TB 和 2TB 容量版本）和 4,900MB/s 的寫入速度（1TB 容量版本），在加快游戲響應的同時也能減少卡頓，并提供流暢的流媒體傳輸，為玩家?guī)碛心抗捕玫男阅芴嵘?/p>

針對手機和移動設備

GPS、高帶寬連接、攝像頭、加速度傳感器、激光雷達等技術的融合，讓手機成為了具備多傳感器的內(nèi)容平臺，催生出幾年前無法想象的全新產(chǎn)業(yè)，也同時使手機成為了最終的邊緣節(jié)點，帶來與日俱增的數(shù)據(jù)讀寫需求。

據(jù) IDC 預測，到 2025 年，隨著高清分辨率、5G 和 AR 等創(chuàng)新技術的應用，手機和平板電腦的數(shù)據(jù)存儲量將增加一倍，達到 457EB。而且隨著應用和游戲變得越來越復雜，需要的文件也越來越大，這也對順序寫入提出了更高的要求。為了應對用戶對于手機的平均容量和處理多媒體應用的高性能需求，西部數(shù)據(jù)持續(xù)改進移動存儲產(chǎn)品，為新一代 5G 智能手機用戶帶來全新體驗。

?西部數(shù)據(jù)iNANDMC EU551 嵌入式閃存器件

西部數(shù)據(jù)的 UFS 3.1 iNAND MC EU551 是西部數(shù)據(jù)用于 5G 智能手機的第二代 UFS 3.1 存儲解決方案，為消費者提供了超高分辨率相機、增強現(xiàn)實/虛擬現(xiàn)實、游戲和 8K 視頻等新興應用所需的高性能存儲。

和西部數(shù)據(jù)的上一代產(chǎn)品相比，iNAND MC EU551 嵌入式閃存器件的隨機讀取性能提升約100% ，隨機寫入性能提升約 40%，有助于支持混合工作負載體驗，例如同時運行多個應用；順序寫入性能提升約 90%，有助于達到新的 5G 和 Wi-Fi 6 的下載速度，讓用戶在下載8K 視頻等富媒體文件時擁有更卓越的體驗，并提高連拍模式等應用的性能；順序讀取性能提升約 30%，通過縮短啟動時間以更快啟動應用，實現(xiàn)更快的上傳速度。

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iNAND MC EU551 嵌入式閃存器件提供從 128GB 至 512GB 等多個容量規(guī)格。產(chǎn)品的工作溫度范圍從-25C 到 85C，可滿足在極端環(huán)境條件下運行，并擁有熱保護功能、寫入加速器、主機性能加速器、增強的存儲設備健康報告等豐富功能。iNAND MC EU551 嵌入式閃存器件旨在滿足 JEDEC UFS 3.1 規(guī)范要求，并采用基于西部數(shù)據(jù)第七代 SmartSLC 的領先的 Write Booster 技術。產(chǎn)品還支持 Host PerformanceBooster 2.0 版本，進一步融合了 JEDEC 標準的全新進展。

?針對自動駕駛和網(wǎng)聯(lián)汽車

車聯(lián)網(wǎng)、自動駕駛等新技術的商業(yè)化落地，對汽車新四化的發(fā)展起到了巨大的推動作用，同時也對車載存儲解決方案的安全性、可靠性、大容量、高性能以及復雜的場景應用提出了更嚴苛的要求。西部數(shù)據(jù)提供包括 SD Card、e.MMC、UFS 及 NVMe SSD 在內(nèi)的不同規(guī)格的車規(guī)級及企業(yè)級存儲產(chǎn)品，支持端 - 邊 - 云新型數(shù)據(jù)架構在汽車領域的應用，滿足當前和未來單車智能及車路協(xié)同的多樣化需求，賦能汽車領域的改革與發(fā)展，為人們帶來更安全、優(yōu)質(zhì)的駕駛體驗。

?西部數(shù)據(jù)iNANDAT EM132 嵌入式閃存盤

西部數(shù)據(jù) iNAND AT EM132 嵌入式閃存盤采用 64 層 3D NANDTLC閃存技術，產(chǎn)品生命周期超越了 2D NAND，以滿足不斷變化的應用需求和不斷增長的容量需求。西部數(shù)據(jù) iNANDAT EM132 嵌入式閃存盤通過了 IATF16949 認證，符合 AEC-Q100 標準，并遵守 ISO26262 NAND 閃存安全機制指南，還囊括了專為密集型汽車工作負載而設計的豐富汽車功能，包括：先進的運行狀況監(jiān)控、熱管理、自動和手動讀取刷新、強大的電源管理、數(shù)據(jù)保存性超過JEDEC 標準、采用先進的數(shù)據(jù)保護和糾錯技術等等。

< 西部數(shù)據(jù) iNAND AT EM132 嵌入式閃存盤 >

?西部數(shù)據(jù)iNANDAT EU312 UFS 嵌入式閃存盤

西部數(shù)據(jù)公司的 iNAND AT EU312 UFS 嵌入式閃存盤豐富了其高質(zhì)量、高耐用性的汽車儲存解決方案，用以滿足對先進汽車系統(tǒng)和自動駕駛車輛的需求(如高級駕駛輔助系統(tǒng) ADAS)。

該嵌入式閃存盤采用 UFS 2.1 接口，可提供高容量和相比較此前基于 e.MMC 產(chǎn)品更強的性能，滿足了汽車設備嚴格的質(zhì)量和可靠性要求。

iNAND AT EU312 UFS 嵌入式閃存盤能夠提供 16GB 至 256GB 的容量選擇，并擁有高達550/800 MB/s 的更高寫入/讀取速度。其具有先進的內(nèi)存管理固件和硬件，如穩(wěn)健的誤差校正碼（ECC）， 并符合 JEDEC47、ISO26262 和 AEC-Q100 二級三級標準，保障了汽車質(zhì)量和可靠性，并提供了一系列 OEM 智能特征，如增強的電源故障保護、全面的內(nèi)存健康狀態(tài)監(jiān)控、增強的 SLC LUN 和 OEM 可配置啟動分區(qū)。

< 西部數(shù)據(jù) iNAND AT EU312 UFS 嵌入式閃存盤 >

?針對工業(yè)自動化與物聯(lián)網(wǎng)

數(shù)字化的高速普及正在顛覆性地影響著各個行業(yè)，催生出工業(yè)自動化、智能化和 IoT 等諸多新型應用場景。激增的數(shù)據(jù)量和日益復雜的交互場景也對數(shù)據(jù)存儲提出了更高且更多樣化的要求。

工規(guī)級的存儲產(chǎn)品可分為嵌入式的存儲產(chǎn)品和可插拔式的存儲產(chǎn)品兩大類?？刹灏问降拇鎯Ξa(chǎn)品常見的有 PCIe 協(xié)議 SSD，SATA 協(xié)議 SSD，以及 SD 存儲卡和 Micro SD 存儲卡幾種類型。嵌入式存儲產(chǎn)品，目前市場上主流產(chǎn)品有 e.MMC 和 UFS 兩種，相比較于 e.MMC 產(chǎn)品，UFS 產(chǎn)品的協(xié)議接口讀寫速度更快，同時應用場景也更復雜。

?西部數(shù)據(jù)iNANDIX EM132 嵌入式閃存盤

西部數(shù)據(jù) iNAND IX EM132 嵌入式閃存盤是西部數(shù)據(jù)專為工業(yè)及物聯(lián)網(wǎng)設備設計的 3D NANDe.MMC，其中搭載了西部數(shù)據(jù)的高可靠性64 層 3D NAND 閃存。該產(chǎn)品有兩種版本的寬溫范圍，分別是-25°C 至+ 85°C 以及-40°C 至 85°C。該產(chǎn)品相較于 2D NAND e.MMC 擁有更長的使用壽命，為基于高級操作系統(tǒng)、傳感器融合和機器學習技術的工業(yè)和消費應用提供更高的容量選擇。該產(chǎn)品還有專為密集型工業(yè)工作負載而設計的功能特性，包括高級運行狀況管理、熱管理、智能分區(qū)、自動和手動讀刷新、強大的電源管理等。

< 西部數(shù)據(jù) iNAND IX EM132 嵌入式閃存盤 >

?西部數(shù)據(jù)iNANDIX EU312 UFS EFD

基于先進的 3D NAND 閃存，西部數(shù)據(jù) iNAND IX EU312 UFS EFD 將 UFS 的高性能及工業(yè)級的高耐久性和大容量用于終端攝像頭和智慧視頻應用，支持高頻讀寫使用，包括 AI 視頻攝像機和邊緣設備。設備支持最高可達 768TBW（256GB 版本），耐久性強大，可滿足密集的讀寫要求。產(chǎn)品具備先進的 NAND 閃存管理固件，包括強大的錯誤校正碼（ECC）、讀取刷新、損耗均衡管理、以及不良區(qū)塊管理。

< 西部數(shù)據(jù) iNAND IX EU312 UFS EFD>

?針對企業(yè)級數(shù)據(jù)中心

如今，云基礎設施逐漸往分布式架構發(fā)展，為不斷增長的“即服務”產(chǎn)品提供了彈性、可擴展性和可預測性。將存儲與計算分離，使大容量數(shù)據(jù)中心 NVMe SSD 成為熱門的細分品類——可提高存儲利用率，增加數(shù)據(jù)中心機柜密度，以適應虛擬化和多租戶環(huán)境。

?Ultrastar DC SN650NVMeSSD

Ultrastar DC SN650 NVMe SSD 是西部數(shù)據(jù)于 2022 年推出的 Ultrastar NVMe PCIe 4.0SSD，無論是對于持續(xù)推動云端數(shù)字化轉型，還是對于物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生的大量新數(shù)據(jù)的簡單存儲， 都加速了云服務的部署和數(shù)據(jù)中心的擴展。

西部數(shù)據(jù) Ultrastar DC SN650 NVMe SSD 提供高達 15.36TB 的容量，采用下一代 BiCS5 3DTLCNAND 和 PCIe 4.0 接口，通過增加單位 SSD 的虛擬化主機數(shù)量以及整合更大的數(shù)據(jù)集來提高存儲資源利用率。用于大數(shù)據(jù)分析和 AI/ML 的數(shù)據(jù)集，還可通過采用 DC SN650 NVMe SSD 而縮短時延并提高數(shù)據(jù)吞吐量，從而實現(xiàn)更快的洞察和實時分析。

|西部數(shù)據(jù)非常重視中國市場，為本土注入先進存儲新動能

西部數(shù)據(jù)非常重視在中國市場上的投入，持續(xù)布局本土化投資和創(chuàng)新，進一步幫助中國的企業(yè)級用戶應對數(shù)字化進程帶來在產(chǎn)品創(chuàng)新方面的挑戰(zhàn)。目前，西部數(shù)據(jù)在上海、深圳已擁有自己的全資工廠。同時，西部數(shù)據(jù)在上海浦東還打造了西部數(shù)據(jù)解決方案賦能中心，能夠支持企業(yè)級、OEM 客戶進行產(chǎn)品與解決方案的測試，加快上市。

西部數(shù)據(jù)持續(xù)與頭部客戶保持緊密合作，加大創(chuàng)新研發(fā)投入，加快創(chuàng)新技術落地，賦能傳統(tǒng)和新一代超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心以及 5G、AI、邊緣計算等新興應用場景，用優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品及服務推動數(shù)據(jù)生態(tài)基礎設施朝著低碳增效的方向健康發(fā)展。

西部數(shù)據(jù)公司副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理 蔡耀祥

西部數(shù)據(jù)公司副總裁兼中國區(qū)總經(jīng)理蔡耀祥表示：“在人工智能、自動駕駛、云計算、5G 和物聯(lián)網(wǎng)等新型技術的推動下，海量的數(shù)據(jù)，復雜的用例和 IT 架構對 NAND 閃存技術的創(chuàng)新及應用提出了更高的要求。作為全球數(shù)據(jù)基礎架構的提供者，西部數(shù)據(jù)在 NAND 閃存領域擁有領先的產(chǎn)能優(yōu)勢，核心的創(chuàng)新技術和強大的縱向集成能力。同時，基于對市場的敏銳洞察和用戶訴求的深刻理解，我們提供覆蓋云數(shù)據(jù)中心、汽車、IoT 到消費者個人 PC、手機移動端等各領域的閃存產(chǎn)品和解決方案，滿足用戶的多樣化存儲需求。此外，西部數(shù)據(jù)在上海擁有自己的半導體工廠和解決方案賦能中心，可以更好地支持本土客戶。西部數(shù)據(jù)長期投入中國市場，我們也計劃不斷深化與行業(yè)伙伴的交流合作，積極探索未來的發(fā)展道路，攜手共創(chuàng)數(shù)字時代的輝煌?！?br />
審核編輯黃宇