5. 時鐘電路（下）

5.6 HOCO精度

RA2 MCU內(nèi)部高速片上振蕩器（HOCO）的運行頻率為24 MHz、32 MHz、48 MHz，精度為+/-2%或更高。HOCO的精度規(guī)格適用于各種環(huán)境工作溫度（Ta）范圍。有關(guān)詳細信息，請參見《硬件手冊》中“電氣特性”章節(jié)的內(nèi)容。

HOCO可以用作時鐘生成電路的輸入。當以這種方式使用HOCO時，不需要外部振蕩器。當因空間限制或其他限制而需要減少PCB設(shè)計中的元件數(shù)量時，這可能是一個優(yōu)勢。不過，此時會因時鐘精確度問題而產(chǎn)生性能影響和限制，因此應(yīng)針對您的應(yīng)用進行評估。

RA2E2產(chǎn)品沒有外部晶振和外部時鐘輸入，必須選擇其內(nèi)部時鐘（HOCO、MOCO、LOCO）作為主系統(tǒng)時鐘。

5.7 閃存接口時鐘

RA2A1產(chǎn)品對內(nèi)部閃存（ROM和DF）進行編程和擦除操作以及從數(shù)據(jù)閃存讀取數(shù)據(jù)時，閃存接口時鐘（FCLK）用作運行時鐘。而其他RA2產(chǎn)品進行編程和擦除操作時，ICLK用作運行時鐘。

因此，相關(guān)時鐘的頻率設(shè)置會直接影響從數(shù)據(jù)閃存讀取數(shù)據(jù)所需的時間。如果用戶的程序正在從數(shù)據(jù)閃存中讀取數(shù)據(jù)，或者正在對內(nèi)部閃存執(zhí)行編程或擦除操作，則建議使用最大FCLK/ICLK頻率。

當寫入或擦除代碼閃存（ROM）或數(shù)據(jù)閃存時，時鐘必須以至少1 MHz的頻率運行。請注意，時鐘頻率對從ROM讀取數(shù)據(jù)或?qū)?a href="http://qiaming.cn/tags/ram/" target="_blank">RAM進行讀寫操作沒有任何影響。

5.8 電路板設(shè)計

有關(guān)使用CGC的更多信息和電路板設(shè)計建議，請參見《硬件手冊》中“時鐘生成電路（CGC）”一章的“使用注意事項”部分。

通常，晶體諧振器及其負載電容應(yīng)盡可能靠近MCU時鐘引腳（XTAL/EXTAL、XCIN/XCOUT）放置。避免在晶體諧振器和MCU之間連接任何其他信號走線。盡量減少每條走線上使用的連接通孔數(shù)量。

5.9 外部晶體諧振器選擇

大多數(shù)RA2產(chǎn)品的外部晶體諧振器可以用作主時鐘源。外部晶體諧振器可跨MCU的EXTAL和XTAL引腳連接。外部晶體諧振器的頻率必須處于主時鐘振蕩器的頻率范圍內(nèi)。

晶體諧振器的選擇在很大程度上取決于各個獨特的電路板設(shè)計。由于適合與RA2 MCU產(chǎn)品配合使用的可用晶體諧振器的選擇可能很多，因此請仔細評估所選晶體諧振器的電氣特性，以確定具體的實現(xiàn)要求。

下圖給出了典型的晶體諧振器連接示例。

圖10. 晶體諧振器連接示例

選擇晶體諧振器和相關(guān)電容時，必須仔細評估。如果晶體諧振器制造商有相關(guān)建議，可以添加外部反饋電阻（R_f）和阻尼電阻（R_d）。

圖11. 晶體諧振器的等效電路

CL1和CL2的電容值選擇會影響內(nèi)部時鐘的精確度。要了解CL1和CL2值的影響，應(yīng)使用上圖中晶體諧振器的等效電路來模擬該電路。為了獲得更準確的結(jié)果，還應(yīng)考慮與晶體諧振器元件之間的布線相關(guān)的雜散電容。

5.10 外部時鐘輸入

大多數(shù)RA2產(chǎn)品的數(shù)字時鐘輸入可以用作主時鐘源。圖12給出了連接外部時鐘輸入的示例。若使用外部時鐘信號運行振蕩器，請將MOMCR.MOSEL位設(shè)為1。XTAL引腳變?yōu)楦咦杩埂?/p>

圖12. 晶體諧振器的等效電路

注：外部時鐘頻率的輸入操作只能在主時鐘振蕩器停止時運行。請不要在主時鐘振蕩器停止位（MOSCCR.MOSTP位）為0時更改外部時鐘頻率的輸入。