按照最終外形來(lái)看，現(xiàn)在有無(wú)數(shù)種封裝方式，這個(gè)實(shí)在是太多了，比如 QFP,QFN,SOT,DIP,BGA 等等，所以我們今天不以這種方式介紹。所以現(xiàn)在按照封裝的發(fā)展歷史來(lái)介紹，以封裝工藝的方式來(lái)分類(lèi)。

第 1 代封裝：wire bond（俗稱(chēng)，打線(xiàn)）

這種封裝方式是最早出現(xiàn)的，雖然是第一代技術(shù)，但是直到現(xiàn)在也有很多芯片使用這種方式來(lái)封裝，就是因?yàn)榧夹g(shù)成熟，成本低。最后封裝成的模樣就是這樣子的。

先聊一下這種封裝流程

1切割

在封裝廠(chǎng)拿到 wafer 之后，先把 wafer 進(jìn)行切割，得到一顆一顆的芯片，將那些 CP 測(cè)試（下一次我們?cè)倭臏y(cè)試）通過(guò)的芯片單獨(dú)拿出來(lái)。這里要說(shuō)一個(gè)問(wèn)題，一顆芯片從在沒(méi)有做任何處理之前，那些引腳是長(zhǎng)這個(gè)樣子的，如下圖左下角的方形圖案（你先忽略那兩個(gè)圓形的東西，后面我就知道那兩個(gè)圓形是怎么來(lái)的了），這些引腳也有一個(gè)名字，叫做 pad。

2固定在 lead frame 上

將芯片放到 lead frame 上，并且用銀漿固化，其實(shí)就是將芯片和 lead frame 的底部粘住啦。lead frame 可以理解為引線(xiàn)框架，他是一個(gè)陣列結(jié)構(gòu)，如下圖

就是將芯片放到中間的凹槽，四周都是我們最終看到的引腳。在最終結(jié)束工藝之后，就把這些引腳“剪開(kāi)”，然后掰彎，最終形成我們看到的樣子。所以第二步完成之后，從側(cè)面看的話(huà)是下圖這個(gè)樣子。

這里要注意，就是芯片必須是正面朝向，當(dāng)正面朝上的時(shí)候，pad 也是朝上的。lead frame 的引腳在兩側(cè)。

3打線(xiàn)

用金線(xiàn)（或者是銅線(xiàn)，鋁線(xiàn)）將芯片的 pad 和 lead frame 連接起來(lái)。線(xiàn)的種類(lèi)會(huì)根據(jù)芯片的不同制程，或者是根據(jù)芯片 pad 的不同結(jié)構(gòu)來(lái)決定使用金線(xiàn)或者是銅線(xiàn)。在打線(xiàn)時(shí)，先讓金線(xiàn)在低端形成一個(gè)金球。

然后將金球壓倒芯片的 pad 上，然后通過(guò)施壓壓力或者改變溫度來(lái)焊接到 pad 上，這就會(huì)在 pad 上形成一個(gè)圓點(diǎn)，上面第二張圖中的圓點(diǎn)就是這么形成的。

然后將金線(xiàn)拉升，并且移動(dòng)到 lead frame 上方。當(dāng)然不要擔(dān)心金線(xiàn)會(huì)斷，因?yàn)榻鹁€(xiàn)不是固定長(zhǎng)度。可以在上面自動(dòng)生成金線(xiàn)。所以是這個(gè)樣子的。

然后再將末端的金線(xiàn)壓到 lead frame 上，再側(cè)向劃開(kāi)，切斷金線(xiàn)，所以會(huì)在 lead frame 上會(huì)形成切斷金線(xiàn)后的魚(yú)尾形狀（我畫(huà)不出魚(yú)尾形狀啦）。最終是這個(gè)樣子。

4注塑

也叫塑封。就是將連接好的芯片和 lead frame 放到模具中。然后將塑封材料灌進(jìn)去。加熱之后這些材料變成液體，再把芯片，金線(xiàn)和 lead frame 都包住。

5包裝

注塑完成后，工作就比較簡(jiǎn)單了，比如在芯片頂部打字，打 logo。除去 lead frame 上多余的塑封材料。在 lead frame 上電鍍一層特殊材料，防止外部環(huán)境對(duì)于引腳的破壞（比如潮濕，高溫等等）。最后將 lead frame 剪開(kāi)，得到我們想要的引腳方式。

上面這五部就是 wire bond 封裝方式最簡(jiǎn)單的流程。這一套工藝在現(xiàn)代封裝技術(shù)中已經(jīng)很成熟了，成本也低。但是里面的很多細(xì)節(jié)還是比較關(guān)鍵的。比如這些制程里面對(duì)溫度的控制，特別是在拉線(xiàn)過(guò)程中，金線(xiàn)的弧度，高度以及拉力，金球的大小等等。這些參數(shù)直接影響芯片的質(zhì)量，甚至?xí)剐酒瑹o(wú)法使用。

第 1.5 代封裝：CSP（Chipe-Size Package）

在上面的 wire bond 中，有一個(gè)很大的問(wèn)題，就是最終出來(lái)的芯片比實(shí)際的芯片要大很多，因?yàn)?lead frame 和芯片之間是有距離的。為了解決這個(gè)問(wèn)題，人們發(fā)明了 CSP 封裝技術(shù)。它的思想很簡(jiǎn)單，就是去掉 lead frame，用一塊基板代替。

基板的作用就是將導(dǎo)線(xiàn)從 pad 引過(guò)來(lái)之后，基板里面有自己的一些電路，將這些導(dǎo)線(xiàn)引到下面的焊接點(diǎn)上（焊接點(diǎn)也是球型）。這樣就形成了外部電壓通過(guò)焊接點(diǎn)，基板（導(dǎo)線(xiàn)）與芯片的 pad 交流。

所以最終出現(xiàn)的芯片是這樣的。當(dāng)然下面的芯片有可能不是用這種方式封裝，但是最終的樣子是一樣的。

第 2 代封裝:flip chip（倒裝封裝）

在聊完上面兩種方式之后。我們會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)問(wèn)題，不能批量化操作，也就是必須在晶圓切割成每個(gè)芯片之后才能封裝，成本太高。為了解決這個(gè)問(wèn)題，發(fā)明了 flip chip 這種方式。

只所以叫做倒裝，是因?yàn)樵谇懊娴姆庋b方式中，芯片是正面朝上放到基板上面的。而 flip chip 是正面朝下放置。

這種封裝方式有一個(gè)特殊的工藝流程，就是 bump。大家可以理解為長(zhǎng)金球（錫球）。

要想長(zhǎng)金球，首先要做的就是重新布局芯片 pad 的的位置，利用和芯片制造中相同的后段技術(shù)，將邊緣部位的 pad，安排到芯片中央來(lái)。這句話(huà)就是 bump 的核心目的。

大體思路就是將芯片的 pad 通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)（紅色）借接出來(lái)，然后在想要的位置上重新做一個(gè) pad，實(shí)際圖形長(zhǎng)這樣子，中間的哪些深色部分就是導(dǎo)線(xiàn)。

大家可能會(huì)問(wèn)，為什么不在芯片的 pad 上直接長(zhǎng)錫球呢？因?yàn)楫?dāng)芯片的引腳太多時(shí)，直接長(zhǎng)金球的方式危險(xiǎn)系數(shù)會(huì)大大提高，很容出現(xiàn)兩個(gè)引腳短接的情況。這樣重新分配 pad 布局的過(guò)程叫做 RDL（re-distribution layer）。準(zhǔn)確的說(shuō)它是指連接新 pad 和舊 pad 的這一層，但是大家在使用的時(shí)候，就不再區(qū)分，直接把這個(gè)過(guò)程叫做 RDL。

到這里之后，后面一步就是 bump，也就是長(zhǎng)金球（錫球）。長(zhǎng)金球的過(guò)程就不再多說(shuō)了，和芯片制造工藝中的曝光，刻蝕差不多。最終形成的是這個(gè)樣子。

直到長(zhǎng)完球（bump）之后，整個(gè) wafer 還沒(méi)有被切割，所以這些都是批量操作，成本特別低。這些操作完成后再進(jìn)行晶圓級(jí)測(cè)試。也正是因?yàn)?bump 過(guò)程是在 wafer 上制作的，所以大家都把它叫做 WLCSP（wafer level CSP）。

測(cè)試完成之后再切割，把好的芯片拿出來(lái)。最后倒扣到基板上面。就這樣，外部電壓通過(guò)焊接點(diǎn)以及 bump 產(chǎn)生的球與芯片交流。

這種封裝方式，最省面積，封裝出來(lái)的芯片大小和原始大小相差不大。所以這種方式也是比較主流的封裝方式，一般用在高端產(chǎn)品上。在這一套流程中，bump 的過(guò)程是最為關(guān)鍵的，包括球的大小，導(dǎo)電性等等。

第 3 代封裝技術(shù)：InFO，HBM，CoWos

通過(guò)上面兩代封裝技術(shù)的發(fā)展，芯片封裝技術(shù)已經(jīng)可以滿(mǎn)足大部分的需求了，但市場(chǎng)往往是解決一個(gè)需求之后，又會(huì)產(chǎn)生最新的需求。通過(guò) flip chip 技術(shù)，我們解決了芯片封裝的大小問(wèn)題。但是這種技術(shù)隨著 pin 角增多也會(huì)出現(xiàn)很多麻煩，主要有下面兩個(gè)方面。

1面積縮小，但是 pin 角增多

因?yàn)樾酒诒M量縮小，pin 角在增多，芯片的面積已經(jīng)不能裝下這么多焊接點(diǎn)了。因?yàn)?flip chip 的封裝方式是將所有的 pin 腳都集中在一顆芯片的下方，所以我們把這種方式另外取一個(gè)名字，叫做 FanIn 方式的封裝，又叫扇入型封裝方式。如下圖

所以當(dāng) pin 角在增加的時(shí)候，芯片下面的面積根本不夠擺放這么多焊接點(diǎn)

2時(shí)序要求高

高性能芯片需要多個(gè)芯片集成封裝?，F(xiàn)在高性能的芯片對(duì)于時(shí)序（Timing）的要求特別高，所以?xún)深w芯片不能相距太遠(yuǎn)，這樣的話(huà)會(huì)更利于兩顆芯片進(jìn)行信息交流，提高數(shù)據(jù)處理速度，降低發(fā)熱。

在這兩個(gè)需求下，產(chǎn)生了 InFO（integrated Fan-out）的封裝方式。我們先看 Fan-Out 是什么意思。上面我們了解了 FanIn,那 fanout 就是剛好反過(guò)來(lái)。它是把引腳的焊接點(diǎn)引到芯片的外部，如下圖。這樣的話(huà)，即使芯片的 pin 角增多，也不會(huì)帶來(lái)上面的困擾。

那 integrated 是什么意思呢？就是多個(gè)芯片集成封裝。說(shuō)白了，就是將多個(gè)芯片放在一起封裝。將這兩種技術(shù)合成在一起就是 InFO 封裝方式。

我自己畫(huà)了一個(gè)圖來(lái)向大家稍微介紹一下吧。

假設(shè)有兩個(gè)芯片，一個(gè)是邏輯芯片，一個(gè)是存儲(chǔ)芯片?，F(xiàn)在需要把這兩個(gè)芯片封裝在一起，而且這兩個(gè)芯片的某些引腳是可以接在一起的。于是就運(yùn)用了芯片制作里面的金屬層布線(xiàn)的原理，在基板里面布線(xiàn)，然后將需要的連接在基板就完成，最后在基板的底部連接處焊接球。這樣就可以達(dá)到，既可以將多個(gè)芯片封裝在一起，也可以應(yīng)付 pin 腳多的情況。上面這種兩個(gè)芯片平行放置的方式較 Multi InFo 工藝。

如果像上面這種，兩個(gè)芯片是垂直放置，這種叫做 InFO-PoP 結(jié)構(gòu)。

很多人會(huì)問(wèn)，這種封裝方式不是面積增加了嗎，畢竟占用了芯片以外的地方。其實(shí)從得到的好處來(lái)說(shuō)，還是值的的。況且，InFo 的封裝面積可能比各個(gè)分別封裝的面積總和要少。

現(xiàn)在這種封裝技術(shù)只是使用在高端芯片中，比如蘋(píng)果的 A12 等，普通芯片是享受不了這種待遇的，因?yàn)檎娴暮苜F。臺(tái)積電封裝業(yè)務(wù)的很大一部分盈利都是靠 InFO 來(lái)的。

還有一種封裝方式是叫 CoWos（Chip-on-Wafer-on-Substrate），是一種將芯片和硅片（基底）集成在一起的封裝方式。這種封裝方式只有臺(tái)積電能做，而且是高度商業(yè)機(jī)密，技術(shù)不外露，所以我也知之甚少，在這里就不和大家介紹了。如果以后我了解到，再和大家更新。

當(dāng)然第三代封裝技術(shù)還有 AMD 推出的 HBM 技術(shù)，美光的 HMC 技術(shù)，其實(shí)都是大同小異。這里也不做介紹了。

審核編輯 ：李倩