STMicroelectronics VIPERGAN50高壓轉(zhuǎn)換器是一款先進(jìn)的準(zhǔn)諧振離線高壓轉(zhuǎn)換器,設(shè)有E-mode GaN HEMT。VIPERGAN50設(shè)計(jì)用于中等功率
發(fā)表于 10-31 11:07
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電感器-電感器-電容器 (LLC)諧振轉(zhuǎn)換器具有幾個(gè)極具吸引力的特性,適用于需要隔離式直流/直流轉(zhuǎn)換器
發(fā)表于 09-03 11:49
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傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅
發(fā)表于 05-10 13:38
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尖峰電壓和系統(tǒng) EMC 的抑制為目標(biāo)。實(shí)際應(yīng)用中,選擇緩沖吸收電路參數(shù)時(shí),為防止 SiC-MOSFET開關(guān)在開通瞬間由于吸收電容器上能量過多、需通過自身放電進(jìn)而影響模塊使用壽命,需要對(duì) RC 緩沖吸收
發(fā)表于 04-23 11:25
。
圖中的波形從上往下依次為柵極電壓Vgs、漏源電壓Vds和漏源電流Ids。在測試過程中,SiC MOSFET 具有極快的開關(guān)速度,可在十幾納秒內(nèi)完成開關(guān)轉(zhuǎn)換。然而,由于高速開關(guān)過程中
發(fā)表于 04-08 16:00
的電阻值達(dá)到極值(最大或者最?。?b class='flag-5'>諧振分為 串聯(lián)諧振和并聯(lián)諧振。3)當(dāng)工作在 discontinuous conduction mode 時(shí),轉(zhuǎn)換器會(huì)偵測到drain (漏極)電壓波谷
發(fā)表于 03-07 15:25
本文介紹反激式轉(zhuǎn)換器 RCD 緩沖電路的設(shè)計(jì)指南。當(dāng) MOSFET 關(guān)斷時(shí),由于主變壓器的漏電感 (Llk) 與 MOSFET 的輸出電容
發(fā)表于 03-04 09:57
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conduction mode 時(shí),轉(zhuǎn)換器會(huì)偵測到drain (漏極)電壓波谷并在drain電壓最小時(shí)開啟MOSFET.當(dāng)工作在 continuousconductionmode 時(shí),轉(zhuǎn)換器會(huì)工作在固定工作頻率。工作
發(fā)表于 02-26 16:40
MOSFET(U-MOSFET)作為新一代功率器件,近年來備受關(guān)注。本文將詳細(xì)解析溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)、特性、制造工藝、應(yīng)用及
發(fā)表于 02-02 13:49
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發(fā)表于 01-22 16:10
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隔離型 (ΔΣ)1 位數(shù)字調(diào)制轉(zhuǎn)換器件
AMC1204 和 AMC1204B, 這是一款適用于追求零缺陷的高可靠性汽車電子應(yīng)用的隔離模擬信號(hào)采集器件
特點(diǎn)是: 這是
發(fā)表于 01-21 09:18
的相關(guān)內(nèi)容,包括 LLC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)在隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器電源設(shè)計(jì)中的應(yīng)用、具體設(shè)計(jì)方案、變壓器設(shè)計(jì)、整流二極管選擇等方面,旨在為 IGBT 和 Si/S
發(fā)表于 01-08 14:17
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SiC-MOSFET單管及碳化硅模塊在逆變焊機(jī)中的應(yīng)用
發(fā)表于 12-30 15:23
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用LMG3624EVM-081 65W USB-C PD高密度準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器.pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 11-09 14:47
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評(píng)論