三星電子已開(kāi)始開(kāi)發(fā)先進(jìn)的極端紫外線（EUV）pellicle，以縮小與制造競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電的市場(chǎng)份額差距。

該公司的半導(dǎo)體研究所最近發(fā)布了一份招聘通知，以開(kāi)發(fā)一種滿足92%的EUV透射率的pellicle。該公司在2021年10月舉行的三星制造論壇上表示：“我們已經(jīng)開(kāi)發(fā)了一種EUV透射率為82%的pellicle，并計(jì)劃在年底前將透射率提高到88%?！蹦壳埃请娮庸疽呀?jīng)開(kāi)發(fā)了一種透射率為88%的pellicle。這意味著這家韓國(guó)科技巨頭在大約一年內(nèi)實(shí)現(xiàn)了目標(biāo)，并提出了一個(gè)新的發(fā)展路線圖，將傳輸率提高4個(gè)百分點(diǎn)。

三星電子還開(kāi)始研究高數(shù)孔徑（NA）的pellicle，這被稱為下一代EUV工藝。該公司在最新的招聘通知中提到了基于新材料的下一代pellicle的開(kāi)發(fā)。它宣布將與外部研究機(jī)構(gòu)合作開(kāi)發(fā)和評(píng)估由碳納米管和石墨烯制成的EUVpellicle。該公司還計(jì)劃挑選研究人員，負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)該公司自行開(kāi)發(fā)的納米石墨薄膜（NGF）的大規(guī)模生產(chǎn)設(shè)施。

一位分析師表示：“三星電子推動(dòng)EUVpellicle的開(kāi)發(fā)旨在迅速趕上排名第一的制造公司臺(tái)積電。”

EUVpellicle是曝光過(guò)程中使用光在半導(dǎo)體晶圓上打印電路形狀所必需的材料。它們用作遮蓋物，阻止異物附著在口罩上。pellicle通過(guò)最大限度地減少過(guò)程中的缺陷和延長(zhǎng)昂貴口罩的使用壽命來(lái)幫助降低成本。然而，由于大多數(shù)材料吸收的EUV光的特點(diǎn)，商業(yè)化很困難。專家表示，盡管三星電子提高了pellicle技術(shù)水平，但它尚未將這種材料引入其晶圓代工/DRAM生產(chǎn)線，認(rèn)為將這種材料應(yīng)用于批量生產(chǎn)線還為時(shí)過(guò)早。

自2019年以來(lái)，三星電子的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電一直在其批量生產(chǎn)線上使用自己開(kāi)發(fā)的EUVpellicle。這家臺(tái)灣制造巨頭于2021年宣布，它將比2019年增加20倍的EUVpellicle生產(chǎn)能力。

韓國(guó)公司，有望顯著提升EUV良率

一家韓國(guó)小公司開(kāi)發(fā)出一種材料，有望顯著提高荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備公司 ASML 的極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的良率。

半導(dǎo)體和顯示材料開(kāi)發(fā)商石墨烯實(shí)驗(yàn)室于11月14日宣布，其已開(kāi)發(fā)出用石墨烯制造小于5納米的EUV薄膜（pellicles）的技術(shù)，并已準(zhǔn)備好量產(chǎn)新型薄膜。

“以前，薄膜是由硅制成的。但我們使用了石墨烯，”Graphene Lab 首席執(zhí)行官 Kwon Yong-deok 說(shuō)?！皩?duì)于使用 ASML 的 EUV 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司來(lái)說(shuō)，石墨烯薄膜將成為良率的助推器?！?/p>

薄膜是一種薄膜，可保護(hù)光掩模表面免受空氣中分子或污染物的影響。對(duì)于5納米或以下的超微制造工藝至關(guān)重要。它是一種需要定期更換的消耗品。由于EUV設(shè)備的光源波長(zhǎng)較短，因此薄膜需要較薄以增加透光率。此前，硅已被用于制造薄膜，但石墨烯是一種更好的材料，因?yàn)樗裙韪?、更透明?/p>

EUV 薄膜必須能夠承受曝光過(guò)程中發(fā)生的 800 度或更高的高溫。由于其在高溫下的硬化特性，硅膠非常容易破裂。

全球薄膜市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2024 年將達(dá)到 1 萬(wàn)億韓元?！叭请娮?、臺(tái)積電和英特爾是石墨烯實(shí)驗(yàn)室的潛在客戶，”首席執(zhí)行官 Kwon 說(shuō)。

審核編輯 ：李倩