隨著半導(dǎo)體電子技術(shù)的進(jìn)步，老化測(cè)試已成為保證產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵流程。除了半導(dǎo)體元件外，PCB、IC 和處理器部件也都需要在老化條件下進(jìn)行測(cè)試。本篇文章納米軟件Namisoft小編將帶大家分享一下關(guān)于芯片老化測(cè)試系統(tǒng)的相關(guān)知識(shí)。

一、什么是芯片老化測(cè)試？

芯片老化測(cè)試是一種采用電壓和高溫來(lái)加速器件電學(xué)故障的電應(yīng)力測(cè)試方法。老化過(guò)程基本上模擬運(yùn)行了芯片整個(gè)壽命，因?yàn)槔匣^(guò)程中應(yīng)用的電激勵(lì)反映了芯片工作的最壞情況。根據(jù)不同的老化時(shí)間，所得資料的可靠性可能涉及到的器件的早期壽命或磨損程度。老化測(cè)試可以用來(lái)作為器件可靠性的檢測(cè)或作為生產(chǎn)窗口來(lái)發(fā)現(xiàn)器件的早期故障。一般用于芯片老化測(cè)試的裝置是通過(guò)測(cè)試插座與外接電路板共同工作從而得到的芯片數(shù)據(jù)來(lái)判斷是否合格。

半導(dǎo)體設(shè)備中的老化測(cè)試就是其中一種技術(shù)，半導(dǎo)體組件（芯片，模塊等）在組裝到系統(tǒng)之前會(huì)進(jìn)行故障測(cè)試。安排試驗(yàn)，使元件在特定電路的監(jiān)控下被迫經(jīng)歷一定的老化測(cè)試條件，并分析元件的負(fù)載能力等性能。這種測(cè)試有助于確保系統(tǒng)中使用組件（芯片，模塊等半導(dǎo)體器件）的可靠性。老化測(cè)試通過(guò)模擬設(shè)備在實(shí)際使用中受到的各種應(yīng)力、老化設(shè)備封裝和芯片的弱點(diǎn)，加快設(shè)備實(shí)際使用壽命的驗(yàn)證。同時(shí)可以在模擬過(guò)程中，引起固有故障的盡早突顯。

二、半導(dǎo)體故障分類(lèi)

1、早期故障：發(fā)生在設(shè)備運(yùn)行的初始階段，早期故障的發(fā)生率隨著時(shí)間的推移而降低。

2、隨機(jī)故障：發(fā)生的時(shí)間較長(zhǎng)，而且故障發(fā)生率也被發(fā)現(xiàn)是恒定的。

3、磨損故障：在組件保質(zhì)期結(jié)束時(shí)會(huì)出現(xiàn)。

通過(guò)曲線我們可以看出，如果半導(dǎo)體器件容易出現(xiàn)早期故障，則無(wú)需擔(dān)心隨機(jī)或磨損故障——其使用壽命在操作本身的早期階段就結(jié)束了。因此為了確保產(chǎn)品的可靠性，首先是減少早期故障。半導(dǎo)體中的潛在缺陷可以通過(guò)老化測(cè)試來(lái)檢測(cè)，當(dāng)器件施加的電壓應(yīng)力和加熱并開(kāi)始運(yùn)行時(shí)，潛在缺陷變得突出。大多數(shù)早期故障是由于使用有缺陷的制造材料和生產(chǎn)階段遇到的錯(cuò)誤而造成的。通過(guò)老化測(cè)試的器件，只有早期故障率低的組件才能投放市場(chǎng)。

三、芯片老化測(cè)試系統(tǒng)NSAT-2000

◆NSAT-2000電子元器件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)主要對(duì)電子系統(tǒng)的某些關(guān)鍵器件、設(shè)備及芯片，在加速壽命退化后，對(duì)代表其性能退化的電參量進(jìn)行測(cè)試，獲取測(cè)試數(shù)據(jù)，保證獲取數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)性和可靠性。

◆該系統(tǒng)可用于各類(lèi)二極管、三極管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、單向和雙向可控硅、普通和高速光耦、整流橋、共陰共陽(yáng)二極管及多陣列器件等各類(lèi)分立器件的功能和交參數(shù)測(cè)試

◆系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)二極管極性的自動(dòng)識(shí)別極性、最大整流電流、正向壓降測(cè)試；三極管直流電流放大倍數(shù)、穿透電流測(cè)試等；場(chǎng)效應(yīng)管飽和漏電流、夾斷電壓、開(kāi)啟電壓等測(cè)試）。

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