1 原理圖

以全NMOS管為例：

從上圖可看出，此電機(jī)驅(qū)動電路由4個NMOS管構(gòu)成，形如H型，故名全H橋電路。通過控制4個MOS管的導(dǎo)通與截止達(dá)到對中間電機(jī)的不同控制效果。NMOS管的柵極為高電平時導(dǎo)通，低電平時截止。

2 H橋工作模式

正轉(zhuǎn)模式

當(dāng)Q1、Q4的柵極為高電平，Q2、Q3為低電平時，Q1，Q4導(dǎo)通，如下圖所示，電機(jī)正向旋轉(zhuǎn)。

反轉(zhuǎn)模式

當(dāng)Q2、Q3的柵極為高電平，Q1、Q4為低電平時，Q2，Q3導(dǎo)通，如下圖所示，電機(jī)反向旋轉(zhuǎn)。

電流衰減模式

所謂衰減模式，可簡單理解為如何使電機(jī)停下：如果控制電機(jī)一直向一個方向旋轉(zhuǎn)不會產(chǎn)生問題。但是如果這是想讓電機(jī)停下，那么問題就來了。由于電機(jī)是感性負(fù)載，電流不能突變。在斷開電機(jī)兩端所加的電壓時，電機(jī)產(chǎn)生的反向電動勢很有可能損壞FET。因此想讓電機(jī)停下，除了斷開供電，還要形成一個續(xù)流的回路，釋放掉電機(jī)上的能量。 驅(qū)動和衰減模式圖：

圖中添上了FET的寄生二極管。 以左側(cè)正向旋轉(zhuǎn)的圖為例：

首先電機(jī)正向旋轉(zhuǎn)，電流流向如①線所示;

如果此時采取滑動/快衰減模式：四個MOSFET關(guān)斷，電機(jī)上的電流會通過Q2和Q3的寄生二極管繼續(xù)流動，如②線所示?？砂l(fā)現(xiàn)，此時電流的流向是與電源電壓相反的，因此電流衰減很快，當(dāng)電流衰減為0時，由于FET是關(guān)斷的，電源電壓不會加在電機(jī)上，電機(jī)會逐漸停下。

如果采取制動/慢衰減模式：Q2、Q4導(dǎo)通，Q1、Q3關(guān)斷。電機(jī)上的電流通過Q2和Q4繼續(xù)流動，如③線所示，電機(jī)上的能量會逐漸消耗在電機(jī)本身和Q2、Q3上，這樣的電流衰減相對較慢。

有一點(diǎn)需要特別注意： 快慢衰減指的是電流，而不是電機(jī)轉(zhuǎn)動的速度。

控制直流電機(jī)時，在快衰減模式下，由于電流迅速下降，那么電感電機(jī)上儲存的能量就會釋放很慢，簡單理解E=I^2R，電機(jī)會逐漸停止，因此該模式又叫滑動;

而在慢衰減模式下，電機(jī)的兩端類似于短接，電流很大且衰減慢，儲存的能量被瞬間釋放，此時電機(jī)會瞬間停止，因此該模式又叫制動。

審核編輯：湯梓紅