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基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK

2234303793 ? 來源:國芯思辰 ? 作者:國芯思辰 ? 2022-12-14 14:58 ? 次閱讀
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隨著新能源汽車的普及,充電樁也成了日常配套的生活設施。目前市面上充電樁電源模塊的轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)可以做到99%,對于車輛快速且高效的充電有很大的意義。然而這對于設計者來說,功率器件的選型尤為重要。

本文推薦基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中,可以有效降低熱損耗,提高工作效率,同時也可以減小變壓器等器件的體積。

基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的電路框圖如下:

a1b56dd8-7b61-11ed-8abf-dac502259ad0.jpg

充電樁電源模塊功率段部分框圖

基本半導體的碳化硅MOSFET B1M032120HK,耐壓1200V,Rds 32mΩ,持續(xù)電流84A,T0247-4封裝,用于充電樁電源模塊上有以下優(yōu)勢:

1、Rds 32mΩ,相較于傳統(tǒng)的Si MOSFET,導通內(nèi)阻更低,損耗更小,可以提高系統(tǒng)效率;

2、反向恢復時間典型值僅27nS,開關(guān)頻率更快,周邊器件可以小型化,節(jié)省空間;

3、耐壓1200V,電流典型值84A,對于目前市面上三相380VAC的電源模塊,不管哪個功率段的都適用;

4、TO247-4封裝,為功率器件的常用封裝,可以與市面上科銳C3M0032120K、羅姆SCT3040KR、英飛凌IMZ120R045M1、安森美NTH4L040N120SC1等眾多的品牌器件直接進行兼容替換使用;

5、結(jié)溫-55℃~+150℃,寬溫工作范圍,可以滿足產(chǎn)品在惡劣環(huán)境下的使用,保證產(chǎn)品的性能;

另外,基本半導體為國產(chǎn)SIC MOSFET功率器件知名品牌,目前已有很多頭部大客戶的成功應用案例,設計者可以放心選用。

審核編輯 :李倩

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原文標題:耐壓1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK替代C3M0032120K用于充電樁電源模塊上,Rds為32mΩ

文章出處:【微信號:國芯思辰,微信公眾號:國芯思辰】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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