為我們重點(diǎn)介紹了AI芯片在封裝、工藝、材料等領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新。
一、摩爾定律
摩爾定律是計(jì)算機(jī)科學(xué)和電子工程領(lǐng)域的一條經(jīng)驗(yàn)規(guī)律,指出集成電路上可容納的晶體管數(shù)量每18-24個月會增加一倍,同時(shí)芯
發(fā)表于 09-15 14:50
。那該如何延續(xù)摩爾神話呢?
工藝創(chuàng)新將是其途徑之一,芯片中的晶體管結(jié)構(gòu)正沿著摩爾定律指出的方向一代代演進(jìn),本段加速半導(dǎo)體的微型化和進(jìn)一步集成,以滿足AI技術(shù)及高性能計(jì)算飛速發(fā)展的需求。
發(fā)表于 09-06 10:37
低延時(shí),快速響應(yīng)?!贝送?,李斌還表示,這款芯片對全行業(yè)開放,誰想用都可以找我們,還可以降本。 ? 據(jù)悉,神璣NX9031芯片和底層軟件均實(shí)現(xiàn)自主設(shè)計(jì),擁有超過500億顆晶體管。
發(fā)表于 07-08 10:50
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在半導(dǎo)體工藝演進(jìn)到2nm,1nm甚至0.7nm等節(jié)點(diǎn)以后,晶體管結(jié)構(gòu)該如何演進(jìn)?2017年,imec推出了叉片
發(fā)表于 06-20 10:40
導(dǎo)語薄膜晶體管(TFT)作為平板顯示技術(shù)的核心驅(qū)動元件,通過材料創(chuàng)新與工藝優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)了從傳統(tǒng)非晶硅向氧化物半導(dǎo)體、柔性電子的技術(shù)跨越。本文將聚焦于薄膜晶體管制造技術(shù)與前沿發(fā)展。
發(fā)表于 05-27 09:51
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晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計(jì),源極跟隨器電路設(shè)計(jì),F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計(jì)與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計(jì),電流反饋型OP放大器的設(shè)計(jì)與制作,進(jìn)晶體管
發(fā)表于 04-14 17:24
這本書介紹了晶體管的基本特性,單管電路的設(shè)計(jì)與制作, 雙管電路的設(shè)計(jì)與制作,3~5管電路的設(shè)計(jì)與制作,6管以上電路的設(shè)計(jì)與制作。書中具體內(nèi)容
發(fā)表于 02-26 19:55
FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu),旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管
發(fā)表于 02-17 14:15
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)計(jì)劃從2025年1月起對3nm、5nm先進(jìn)制程和CoWoS封裝工藝進(jìn)行價(jià)格調(diào)整。 先進(jìn)制程2025年喊漲,最高漲幅20% 其中,對3nm、5nm
發(fā)表于 01-03 10:35
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Rapidus 的 2nm 制程生產(chǎn)流程之中。 IBM 宣稱,當(dāng)制程推進(jìn)到 2nm 階段時(shí),晶體管的結(jié)構(gòu)會從長久以來所采用的 FinFET(鰭式場效應(yīng)
發(fā)表于 12-12 15:01
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如何測試晶體管的性能 晶體管是電子電路中的基本組件,其性能測試對于確保電路的可靠性和穩(wěn)定性至關(guān)重要。以下是測試晶體管
發(fā)表于 12-03 09:52
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可以作為開關(guān)使用,控制電流的流動。在數(shù)字電路中,晶體管通常用于構(gòu)建邏輯門,實(shí)現(xiàn)二進(jìn)制信號的邏輯運(yùn)算。 信號放大 :晶體管還可以放大信號,這對于信號的傳輸和處理至關(guān)重要。 電流控制 :晶體管
發(fā)表于 12-03 09:46
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晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 工作原理 : 晶體管 :晶體管(BJT)基于雙極型晶體管的原理,即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流。
發(fā)表于 12-03 09:42
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本文通過圖文并茂的方式生動展示了MOSFET晶體管的工藝制造流程,并闡述了芯片的制造原理。 ? MOSFET的工藝流程 芯片制造
發(fā)表于 11-24 09:13
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臺積電近期成為了高性能芯片代工領(lǐng)域的明星企業(yè),其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息,臺積電的3nm和5nm工藝產(chǎn)能利用率均達(dá)到了極高水平,其
發(fā)表于 11-14 14:20
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