H橋
因?yàn)殡娐烽L(zhǎng)得像字母H而得名,通常它會(huì)包含四個(gè)獨(dú)立控制的開(kāi)關(guān)元器件,例如下圖有四個(gè)MOSFET開(kāi)關(guān)元器件Q1、Q2、Q3、Q4。
它們通常用于驅(qū)動(dòng)電流較大的負(fù)載,比如電機(jī)。
				
H橋電路中間有一個(gè)直流電機(jī)M。
D1、D2、D3、D4是MOS-FET的續(xù)流二極管;
開(kāi)關(guān)狀態(tài)
下面以控制一個(gè)直流電機(jī)為例,對(duì)H橋的幾種開(kāi)關(guān)狀態(tài)進(jìn)行簡(jiǎn)單的介紹,其中正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)是人為規(guī)定的方向,實(shí)際工程中按照實(shí)際情況進(jìn)行劃分即可。
正轉(zhuǎn)
通常H橋用來(lái)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載,這里我們來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)直流電機(jī):
打開(kāi)Q1和Q4
關(guān)閉Q2和Q3
此時(shí)假設(shè)電機(jī)正轉(zhuǎn),電流依次經(jīng)過(guò)Q1、M、Q4 ,如下圖中紅色線條所示。
				
反轉(zhuǎn)
另外一種狀態(tài)則是電機(jī)反轉(zhuǎn),此時(shí)四個(gè)開(kāi)關(guān)元器件的狀態(tài)如下:
關(guān)閉Q1和Q4
打開(kāi)Q2和Q3
此時(shí)電機(jī)反轉(zhuǎn),電流依次經(jīng)過(guò)Q2、M、Q3 ,如下圖中紅色線條所示。
				
調(diào)速
如果要對(duì)直流電機(jī)調(diào)速,其中的一種方案就是:
關(guān)閉Q2和Q3
打開(kāi)Q1 ,Q4上給它輸入50%占空比的PWM波形
這樣就達(dá)到了降低轉(zhuǎn)速的效果,如果需要增加轉(zhuǎn)速,則將輸入PWM的占空比設(shè)置為100%,電流方向如下圖中紅色線條所示。
				
停止?fàn)顟B(tài)
這里以電機(jī)從正轉(zhuǎn)切換到停止?fàn)顟B(tài)為例。
正轉(zhuǎn)時(shí)Q1和Q4是打開(kāi)狀態(tài),這時(shí)候如果關(guān)閉Q1和Q4,直流電機(jī)內(nèi)部可以等效成電感,也就是感性負(fù)載,電流不會(huì)突變,那么電流將繼續(xù)保持原來(lái)的方向進(jìn)行流動(dòng),這時(shí)候我們希望電機(jī)里的電流可以快速衰減。
這里有兩種辦法。
第一種:
關(guān)閉Q1和Q4,這時(shí)候電流仍然會(huì)通過(guò)反向續(xù)流二極管進(jìn)行流動(dòng),此時(shí)短暫打開(kāi)Q1和Q3從而達(dá)到快速衰減電流的目的,電流方向如下圖中紅色線條所示。
				
第二種:
準(zhǔn)備停止的時(shí)候,關(guān)閉Q1、打開(kāi)Q2,這時(shí)候電流并不會(huì)衰減地很快,電流循環(huán)在Q2、M、Q4之間流動(dòng),通過(guò)MOS-FET的內(nèi)阻將電能消耗掉。
				
另外一種H橋電路
上文中是包含4個(gè)N型MOS管的H橋,另外還有包含2個(gè)N型、2個(gè)P型MOS管的H橋,下圖就是這種H橋電路。它由2個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2與2個(gè)N型場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q4組成,橋臂上的4個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管相當(dāng)于四個(gè)開(kāi)關(guān)。
				
相對(duì)于前文4個(gè)N型MOS管的H橋電路,此電路的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)就是無(wú)論控制臂狀態(tài)如何(絕不允許懸空狀態(tài)),H橋都不會(huì)出現(xiàn)“共態(tài)導(dǎo)通”(短路)。
MOS管開(kāi)關(guān)電路原理
P型MOS管在柵極為低電平時(shí)導(dǎo)通,高電平時(shí)關(guān)閉。
N型MOS管在柵極為高電平時(shí)導(dǎo)通,低電平時(shí)關(guān)閉。
正轉(zhuǎn)
場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制型元件,柵極通過(guò)的電流幾乎為“零”。
正因?yàn)檫@個(gè)特點(diǎn),在連接好上圖電路后,控制臂1置高電平(U=VCC)、控制臂2置低電平(U=0)時(shí),Q1、Q4關(guān)閉,Q2、Q3導(dǎo)通。
此時(shí),電機(jī)左端低電平、右端高電平,所以電流沿箭頭方向流動(dòng),設(shè)定此時(shí)為電機(jī)正轉(zhuǎn)。
本文由電子發(fā)燒友社區(qū)發(fā)布,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來(lái)源。如需社區(qū)合作及入群交流,請(qǐng)?zhí)砑?/span>微信EEFans0806,或者發(fā)郵箱liuyong@huaqiu.com。
原文標(biāo)題:【元件知識(shí)】H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的主要結(jié)構(gòu)
文章出處:【微信公眾號(hào):電子發(fā)燒友論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
- 
                                電路設(shè)計(jì)
                                +關(guān)注
關(guān)注
6729文章
2565瀏覽量
217432 - 
                                H橋
                                +關(guān)注
關(guān)注
6文章
132瀏覽量
32978 
原文標(biāo)題:【元件知識(shí)】H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的主要結(jié)構(gòu)
文章出處:【微信號(hào):gh_9b9470648b3c,微信公眾號(hào):電子發(fā)燒友論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
?DRV8833雙H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)文檔總結(jié)?
    
?DRV8848 雙H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
    
適合12V系統(tǒng)產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)16V/1A兩通道H橋驅(qū)動(dòng)芯片-SS6849H
    
?DRV8256E/P H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)文檔總結(jié)
    
DRV8251A H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
    
德州儀器DRV8231A H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
    
DRV8231 H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析與應(yīng)用指南
    
雙通道H橋驅(qū)動(dòng)并且每個(gè)H橋可提供4.0A電流的電流控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
    
DRV8245H-Q1EVM汽車級(jí)H橋驅(qū)動(dòng)器評(píng)估模塊技術(shù)解析
    
IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)及 應(yīng)用電路實(shí)例
Texas Instruments DRV8848 雙H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
    
H橋驅(qū)動(dòng)問(wèn)題
電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路之H橋基本知識(shí)
    
【H橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路原理】-學(xué)習(xí)筆記
    
          
        
        
【元件知識(shí)】H橋驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的主要結(jié)構(gòu)
                
 
           
            
            
                
            
評(píng)論