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退耦電容為什么不一定要100nF

GReq_mcu168 ? 來(lái)源:硬件攻城獅 ? 作者:硬件攻城獅 ? 2022-07-25 14:20 ? 次閱讀
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關(guān)于這個(gè)問(wèn)題,我們看看身邊的同行都是如何回答的吧:

工程師A:這個(gè)問(wèn)題其實(shí)。..說(shuō)白了主要是大家都在用,或者說(shuō)大部分時(shí)候it works。

其實(shí)多看一些電源完整性相關(guān)的資料能發(fā)現(xiàn)不少討論,100nF的去耦電容作用頻段一般認(rèn)為是幾MHz到二三十MHz,再配合板上的bulk電容,能實(shí)現(xiàn)從很低頻到二三十MHz這個(gè)頻段內(nèi)全程較低的電源阻抗,大部分的應(yīng)用已經(jīng)夠用了。另外一方面因?yàn)榇蠹倚纬闪擞?00nF去耦的習(xí)慣,這樣的電容通常也有大量的庫(kù)存,采購(gòu)價(jià)格也便宜,所以也沒(méi)必要標(biāo)新立異去選其它容值,比如82nF,效果可能差不多,但你這么用,采購(gòu)的同事肯定會(huì)找你的麻煩。

另外一方面,現(xiàn)在大量的高速IC尤其是高速數(shù)字IC會(huì)集成高頻去耦電容,所以片外只用搞一些相對(duì)低頻的去耦就夠了,一般做法就是搞一堆幾百nF級(jí)別的電容。而且片上集成的高頻去耦電容的效果比板上的強(qiáng)多了,板上去耦電容作用頻段的極限大概就兩三百M(fèi)Hz吧,對(duì)于現(xiàn)在動(dòng)輒幾百M(fèi)Hz往上的時(shí)鐘頻率來(lái)說(shuō)主要起安慰效果。

其他容值的去耦電容也不是不用,低頻模擬電路就會(huì)用上uF級(jí)別的去耦電容,PLL啊時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器啥的又可能用上pF級(jí)別的,需要具體情況具體分析,分析不來(lái)懟個(gè)100nF上去大部分情況下沒(méi)啥問(wèn)題。我最近遇到個(gè)問(wèn)題,用1nF的去耦電容效果比用100nF的好,因?yàn)樾枰饔玫念l段是200MHz左右。

工程師B:放很多100nf是粗糙的設(shè)計(jì),合理的做法是做PDN仿真,在電源平面所有頻段控制阻抗?jié)M足要求。

a7d24e0c-0be0-11ed-ba43-dac502259ad0.png

100nF電容成本較低,在不做詳細(xì)分析時(shí),多放置一些,可以在1~100MHz之間都提供較低的交流阻抗,因此一般也沒(méi)什么問(wèn)題。

不考慮成本,同封裝下容量越大濾波效果越好,1uF 0402比100nF 0402在全頻段濾波效果都好。

工程師C:100nF電容可以更好地去除高頻分量,小電容通常具有低ESR、低引線和內(nèi)部電感、較高的自諧振頻率和較高頻率下的低阻抗。所以,在高頻數(shù)字電路PCB板上,100nF很重要,然后作為一種設(shè)計(jì)習(xí)慣,這種方式被應(yīng)用于很多數(shù)字電路設(shè)計(jì)中,成為一種規(guī)范。但其實(shí),在以往調(diào)試很多電路板時(shí),這種退耦效果可能并不能量化和直觀體現(xiàn)出來(lái),是極端環(huán)境下的一種性能提升。

a7dffda4-0be0-11ed-ba43-dac502259ad0.png

退藕電容并不是一個(gè)精確數(shù)值,因?yàn)槊總€(gè)電路的情況都不一樣,也不一定要100nF,而且常用較多的100nF是5%精度,對(duì)精度要求并不高,但100nF電容量大,封裝可以做到很小,容易制造,成本低,方便采購(gòu)。前提是100nF對(duì)大部分?jǐn)?shù)字IC來(lái)說(shuō),有較好的表現(xiàn)。

最后,你們對(duì)這個(gè)問(wèn)題,怎么看,歡迎將你的想法打在評(píng)論區(qū)?

審核編輯:彭靜
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原文標(biāo)題:退耦電容為什么通常選擇100nF,而不是其他電容值?

文章出處:【微信號(hào):mcu168,微信公眾號(hào):硬件攻城獅】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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