NP6P02DR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述
NP6P02DR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵電荷和
工作電壓低至1.8V。這
該器件適用于作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM
應(yīng)用程序。
一般特征
?VDS = -20v, id = -6a
RDS(上)(Typ) = 39 mΩ@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 58米Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無(wú)鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
應(yīng)用程序
?PWM程序
?負(fù)荷開(kāi)關(guān)
包
?DFN2 * 2-6L-B
訂購(gòu)信息
絕對(duì)最大額定值(除非另有說(shuō)明，TA=25℃)
熱阻評(píng)級(jí)
注:
電特性(除非另有說(shuō)明，TA=25℃)
審核編輯 黃昊宇
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