臺(tái)積電2nm先進(jìn)制程首次亮相
臺(tái)積電2nm先進(jìn)制程首次亮相
上個(gè)月，臺(tái)積電度在北美技術(shù)論壇上宣布即將推出2nm芯片，將采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
據(jù)了解，臺(tái)積電2nm芯片在性能和功效方面都有明顯提升，與3nm芯片相比，性能提升10%-15%，能耗降低25%-30%。2nm芯片還使用了納米片電晶體管與背面配電線路技術(shù)，可有效避免漏電損耗問題。
值得一提的是，臺(tái)積電還將在2024年引入ASML最強(qiáng)光刻機(jī)，2025年開始用以制造芯片，可想而知，未來臺(tái)積電更為先進(jìn)的制程工藝將極度依賴High-NA EUV光刻機(jī)。
綜合整理自Tech情報(bào)局、新智元
審核編輯：湯梓紅
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