在美國2020年實行的芯片限制政策之下，我國的半導(dǎo)體行業(yè)面臨著巨大的壓力，減小對美國芯片的依賴、抵抗美國的制裁，我國決定加快半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。

2021年初，上海市公布報告稱2021年將繼續(xù)加快芯片行業(yè)的發(fā)展，爭取在2021年實現(xiàn)12nm制程工藝的量產(chǎn)。而在2020年，我國芯片制造龍頭企業(yè)中芯國際就已經(jīng)實現(xiàn)了12nm工藝的小規(guī)模試產(chǎn)。

2020年12月，中芯國際宣布試產(chǎn)第二代FinFET N+1芯片，該芯片的制程工藝將提升至12nm，各方面性能也有所提高，要知道在2020年初中芯國際才剛剛正式投產(chǎn)14nm生產(chǎn)線，一年內(nèi)居然直接完成了從14nm向12nm邁進的舉措，這樣一來上海12nm工藝芯片的量產(chǎn)也不會是很困難的事了。

雖然美國主要是為了打壓中國半導(dǎo)體行業(yè)才出臺了多項政策，但是隨著美國對芯片限制的增大，受影響的不再只有中國，就連歐洲也被卷入了這場風(fēng)波。

受到美國芯片限制政策的影響，歐洲方面決定在歐洲成立一個半導(dǎo)體聯(lián)盟來共同攻克半導(dǎo)體技術(shù)，據(jù)了解，歐洲的半導(dǎo)體聯(lián)盟將在未來兩到三年內(nèi)投入共計1450億歐元到半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)當(dāng)中去。

綜合整理自 科技在前方 虹國際 快科技

審核編輯 黃昊宇