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天域半導體將用6.3公頃來用于建設半導體科技項目

汽車玩家 ? 來源:網絡整理 ? 作者:網絡整理 ? 2022-04-19 11:05 ? 次閱讀
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近日,東莞松山湖管委會公布了《東莞市生態(tài)園2022年度土地征收成片開發(fā)方案》,內容顯示擬征地6.316公頃,將被用于保障天域半導體科技有限公司所建設的半導體項目的落地。

天域半導體將用這塊地來建設碳化硅外延材料研發(fā)及產業(yè)化項目,計劃2022年開始建設,將在2025年竣工投產,預計年營收將達到8.7億元,2028年可全面達產并實現(xiàn)84.7億元的年營收,該項目將建設全球第一條8英寸碳化硅外延晶片生產線。

該項目核心產品SiC外延片是第三代半導體產業(yè)鏈重要環(huán)節(jié),屬于高精尖產業(yè),天域半導體是SiC外延片領域國內領先的廠家之一,正利用該項目對其產業(yè)基礎進一步鞏固,緊跟國際SiC前沿技術前進的步伐。項目主要內容為新增產能達每年100萬片的6英寸、8英寸碳化硅外延晶片生產線;8英寸碳化硅外延晶片產業(yè)化關鍵技術的研發(fā);6英寸、8英寸碳化硅外延晶片的生產和銷售。

天域(TYSiC)成立于2009年,是中國第一家從事碳化硅 (SiC) 外延晶片市場營銷、研發(fā)和制造的民營企業(yè)。2010年,天域與中國科學院半導體研究所合作,共同創(chuàng)建了碳化硅研究所,該研究所由該領域最優(yōu)秀的人才組成。天域是中國第一家碳化硅半導體材料供應鏈的企業(yè)獲得汽車質量認證(IATF 16949) 。目前,天域在中國擁有最多的碳化硅外延爐-CVD。 憑著最先進的外延爐設備、外延技術和最先進的測試和表征能力,我們?yōu)槿蚩蛻籼峁?n-型 和 p-型 摻雜外延材料、制作肖特基二極管、JFET、BJT、MOSFET,GTO 和 IGBT等。

綜合整理自 樂居網 最資訊 集邦半導體觀察

審核編輯 黃昊宇

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