在各種不利因素尚未紓解前，DRAM現(xiàn)貨供應(yīng)商仍面臨庫(kù)存積壓?jiǎn)栴}，月底到貨亦顯著影響價(jià)格走勢(shì)，工廠端補(bǔ)貨態(tài)度普遍并不積極，即便議價(jià)空間擴(kuò)大，此策略仍無(wú)法彰顯任何效力，整體交易情況持續(xù)衰退。

NAND Flash市場(chǎng)整體動(dòng)能停滯，買氣蕭條，多方因素造成供需雙方態(tài)度保守觀望，供應(yīng)端資金鏈緊縮，紛紛主動(dòng)釋出低價(jià)以求套現(xiàn)，工廠端則因終端需求不甚明朗，并未積極備貨，顆粒賣壓逐漸浮現(xiàn)，除了Kioxia/Micron特定高容量規(guī)格，仍受SSD需求拉抬，詢單表現(xiàn)相對(duì)穩(wěn)定，但也仍持續(xù)受限于交期及價(jià)格偏高，雙方交集有限，而其余顆粒價(jià)格表現(xiàn)皆不理想，呈現(xiàn)疲軟滑落姿態(tài)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布致態(tài)TiPlus5000 SSD

長(zhǎng)江存儲(chǔ)今天推出了新款消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品致態(tài)TiPlus5000，該產(chǎn)品采用基于晶棧 2.0（Xtacking2.0）架構(gòu)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)第三代三維閃存芯片，支持PCI-E 3.0 x4接口、NVMe 1.3協(xié)議，連續(xù)讀取速度高達(dá)3500 MB/s，最大容量能到2TB，大容量足容設(shè)計(jì)、持久的寫(xiě)入壽命，給消費(fèi)者帶來(lái)更多存儲(chǔ)選擇。

致態(tài)TiPlus5000有512GB、1TB、2TB三個(gè)容量可選，采用DRAMless設(shè)計(jì)，支持HMB、SLC Cache、智能溫控等技術(shù)，所有容量的連續(xù)讀取速度均可達(dá)到3500MB/s，寫(xiě)入速度512GB是為2700MB/s，1TB的是3100MB/s，2TB的是3200MB/s，隨機(jī)性能方面，三個(gè)容量是4K隨機(jī)讀寫(xiě)IOPS分別為235K/380K、465K/390K、550K/400K，耐久度則是每512GB 300TBW，質(zhì)保期5年。

翠亨新區(qū)打造芯片行業(yè)集聚高地

4月8日，編號(hào)為G28-2021-0095的中山翠亨新區(qū)國(guó)有建設(shè)用地正式摘牌，莊嚴(yán)科技（廣東）有限公司以11.75億元，成功競(jìng)得該商業(yè)項(xiàng)目用地。這是2022年翠亨新區(qū)推出的首宗公開(kāi)出讓重大招商項(xiàng)目地塊，也是全市首個(gè)以產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn)加經(jīng)濟(jì)、科技指標(biāo)約束的商業(yè)用地項(xiàng)目。

莊嚴(yán)控股表示，競(jìng)得用地后，集團(tuán)將依托其自身在半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈的優(yōu)勢(shì)和能力，引進(jìn)和培育集成電路研發(fā)、設(shè)計(jì)及其上下游“專精特新”的科技企業(yè)，在翠亨新區(qū)打造芯片行業(yè)集聚高地。

從招標(biāo)公告來(lái)看，該用地項(xiàng)目定位為“灣區(qū)芯城”

DDR5的五大技術(shù)升級(jí)

新一代內(nèi)存DDR5已經(jīng)問(wèn)世，DDR5內(nèi)存主要有以下五大技術(shù)升級(jí)

1、跑得快。從原來(lái)的“2133MHz”跨越式增長(zhǎng)至“4800MHz”，最高可達(dá)到6400MHz，未來(lái)6400MHz也許將成為主流配置水平。

2、DRAM容量提升——容量更大

DDR5時(shí)代，單顆Die的容量上到64Gb的高度?？梢赃@么說(shuō)，DDR4時(shí)代容量上最高可達(dá)到32GB，這算是內(nèi)存中的王者級(jí)別了，但是DDR5時(shí)代卻不一樣。

3、工作電壓更低——功耗更低、超頻更強(qiáng)：DDR5內(nèi)存工作電壓值最低可以到1.1伏，實(shí)現(xiàn)了20%左右的降低。

4、On-die ECC下放——糾錯(cuò)能力更強(qiáng)、運(yùn)行更穩(wěn)定。

5、雙32位尋址通道 單通道變雙通道——延遲更低、效率倍增

文章綜合全球半導(dǎo)體觀察、IT科技發(fā)燒友、超能網(wǎng)、中山網(wǎng)

編輯：黃飛