電子發(fā)燒友網報道（文/李誠）2月8日，有網友曬出了一張關于小米澎湃P1電荷泵芯片與南芯SC8571的晶圓絲印對比圖，該圖片的曝光讓眾多網友對小米澎湃P1一直聲稱自研的真實性產生了質疑，并一度登上了微博熱搜。

上圖為小米澎湃P1和南芯SC8571的芯片內部結構和晶圓絲印對比圖，通過對比發(fā)現(xiàn)兩款芯片的整體結構以及晶圓絲印編號上都存在著相似性，就連芯片上的電路連接部分也存在著很高的一致性。

在芯片性能方面，小米澎湃P1和南芯SC8571同屬于手機端應用的電荷泵芯片，同樣具備120W的超高功率快充能力。只不過小米澎湃P1支持120W的單電芯充電架構，而南芯SC8571僅支持120W的雙電芯充電架構。

2月8日下午，就小米澎湃P1芯片自研真實性的問題，合作企業(yè)上海南芯半導體科技股份有限公司在官方微博上為其發(fā)聲，就不實傳言進行辟謠。
聲明中明確指出，南芯半導體僅僅只是負責代工部分，小米澎湃P1芯片由小米設計完成，并不存在與網上相關的不實行為。

并且，南芯半導體還在說明中明確指出了小米澎湃P1和SC8571在電路拓撲結構、功能、芯片細節(jié)以及芯片定位等多個方面所存在的差異，以此證明這是兩款不同的充電芯片。其中在電路拓撲上的差異最為明顯，小米澎湃P1采用的是單電芯的拓撲架構，支持1:1、2:1和4:1三種轉換模式；而南芯SC857采用的是雙電芯的拓撲架構，支持4:2和2:2兩種模式。

談完芯片的區(qū)別，我們再來談談能力，在芯片自研的賽道上，小米在芯片制造方面完全不輸其他手機廠商。雖然小米第一款自研芯片反響平平，但小米積累了充足的芯片設計經驗，并在近兩年調整了芯片開發(fā)的方向，由手機外圍輕量級的芯片入手，于去年3月成功自研的ISP芯片小米澎湃C1，并在量產機型中得到了應用。該芯片的批量上機，進一步為小米鋪平了未來芯片發(fā)展的道路。

同時，小米在手機快充領域，一直都是標桿級的存在，無論是在有線充電領域還是無線充電領域。其中，澎湃P1是業(yè)界首顆實現(xiàn)120W單電芯快充的電荷泵芯片，單電芯的拓撲架構進一步提升了手機內部空間的利用率，提高了電能的轉換效率，減少了3%~4%的電量損失，在充電效率與功率密度方面也有不小的提升，填補了行業(yè)內120W單電芯快充的空白。

無線充方面，小米10Pro的30W無線充電功能，在2020年獲得了泰爾實驗室頒發(fā)國內首張快速無線充電能力五星證書。截至目前，小米的無線充電功率最高已提升到了100W，一度領先過國內外一眾企業(yè)。


結語

回顧小米手機近年來在快充領域的發(fā)展，可以小米手機發(fā)展得還是相當迅速的。從2016年開始，小米手機開始進入18W快充時代，4年后實現(xiàn)100W的突破，并成為了業(yè)界內首個量產120W快充的手機品牌，還是有理由相信小米在快充電源領域的實力。