3DIC架構(gòu)并非新事物，但因其在性能、成本方面的優(yōu)勢及其將異構(gòu)技術(shù)和節(jié)點整合到單一封裝中的能力，這種架構(gòu)越來越受歡迎。隨著開發(fā)者希望突破傳統(tǒng)二維平面IC架構(gòu)的復雜度和密度限制，3D集成提供了引入更多功能和增強性能的機會，同時可滿足尺寸限制與成本要求。

3D結(jié)構(gòu)有許多優(yōu)點，例如性能通常由訪問內(nèi)存所需的時間和功耗決定。通過3D集成，存儲器和邏輯電路可以集成到單個3D堆棧中。這種方法通過微間距互連大大增加了內(nèi)存總線的寬度，同時通過縮短互連線路減少了傳播延遲。這種連接可以使3D設(shè)計的內(nèi)存訪問帶寬達到幾十Tbps，而領(lǐng)先的2D設(shè)計帶寬僅能達到數(shù)百Gbps。

從成本角度講，配有不同部件的大型系統(tǒng)在芯片實現(xiàn)方面有多種優(yōu)點。異構(gòu)集成并不是將整個芯片放置在最復雜或最昂貴的技術(shù)節(jié)點上，而是針對系統(tǒng)的不同部分使用“恰當”節(jié)點。例如，先進節(jié)點僅用于系統(tǒng)的關(guān)鍵部分，而成本較低的節(jié)點則用于不太關(guān)鍵的部分。

增加垂直維度改變了集成電路設(shè)計策略

由于設(shè)計必須從3D角度考慮，而不是僅考慮典型2D平面設(shè)計的x、y，因此，必須增加z維度進行全面管理——從架構(gòu)設(shè)計到邏輯驗證和路由連接——包括凸塊和通硅孔（TSV）、熱量和電源分配網(wǎng)絡(luò)（PDN）的新權(quán)衡（例如基于中介層與3D堆棧、邏輯內(nèi)存與內(nèi)存邏輯，以及混合鍵合與凸塊），優(yōu)化PPA仍然是一個關(guān)鍵指導因素。然而，由于3DIC的出現(xiàn)實現(xiàn)了立方毫米優(yōu)化，因為不僅僅考慮兩個方向，而且在所有的權(quán)衡決策中還必須考慮垂直維度。

更為復雜的是，3DIC的集成度更高，傳統(tǒng)電路板和手工封裝技術(shù)已經(jīng)不合時宜，例如高速互連的凸塊布局和定制布局，這導致了額外的瓶頸出現(xiàn)。最重要的是，以前不同學科之間的相互依賴性現(xiàn)在則需要在聯(lián)合設(shè)計方法（人員和工具）中予以考慮，這涉及到設(shè)計IP、芯片封裝、架構(gòu)、實現(xiàn)和系統(tǒng)分析等所有階段。

采取芯片優(yōu)先的方法

盡管采用與印刷電路板（PCB）設(shè)計類似的方式考慮3D架構(gòu)似乎是一種顯而易見的選擇，但3DIC最好采用芯片優(yōu)先的方法——即優(yōu)化（整個芯片的）設(shè)計IP并共同設(shè)計芯片系統(tǒng)和封裝方法。在3DIC方法中，新思科技正在將IC設(shè)計的關(guān)鍵概念和創(chuàng)新成果引入3DIC領(lǐng)域。這需要考察3DIC的各個方面，例如架構(gòu)設(shè)計、將高度自動化能力引入手動任務中、擴展解決方案以支持高級封裝的高集成度，以及將簽核分析集成到設(shè)計流程中。

3DIC將封裝（過去采用類似PCB的工具進行管理）與芯片集成在一起。PCB工具沒有連接在一起，無法適應規(guī)模和工藝的復雜性。典型的PCB中可能有10，000個接點。但在復雜的3DIC中，接點數(shù)量很快會達到數(shù)十億，規(guī)模遠遠超出了過去以PCB為中心的方法所能管理的范圍。對于以IP優(yōu)化方式堆疊的裸晶，現(xiàn)有的PCB工具無法提供幫助。此外，PCB工具不能利用RTL或系統(tǒng)設(shè)計決策?，F(xiàn)實情況是，單一的設(shè)計工具不可能處理3DIC的所有方面（IP、芯片、中介層、封裝），這對完整堆棧的組裝和可視化提出了迫切的需求。

新思科技3DIC Compiler作為一個為3DIC系統(tǒng)集成和優(yōu)化而構(gòu)建的平臺可以做到這些。該解決方案專注于多芯片系統(tǒng)，如硅片上芯片中介層（2.5D）、晶片上芯片、晶片上晶片、芯片上芯片和3D SoC。

PPA三要素

通常，在想到大型的復雜SoC時，首先考慮優(yōu)化的是面積。芯片開發(fā)者希望在芯片中集成盡可能多的功能，并提供盡可能高的性能。但隨后，所需的功耗和熱量始終要符合要求，特別是在移動、可穿戴AR和物聯(lián)網(wǎng)等應用領(lǐng)域（在數(shù)據(jù)中心的高性能計算等領(lǐng)域也越來越重要，因為總體能耗也是優(yōu)先考慮的事項）。實現(xiàn)3D結(jié)構(gòu)使開發(fā)者能夠持續(xù)增加產(chǎn)品的功能，而不會超過占位面積和高度的限制，同時還降低芯片成本。

但是，單獨的工具只能解決設(shè)計3DIC時的部分復雜挑戰(zhàn)。這就形成了巨大的設(shè)計反饋回路，無法及時將這些反饋整合在一起，形成每立方毫米最佳PPA的最佳解決方案。在多裸晶環(huán)境中，必須對整個系統(tǒng)進行分析和優(yōu)化。孤立地對單個裸晶進行功耗和熱量分析是不夠的。更有效的解決方案是采用統(tǒng)一的平臺，將整個系統(tǒng)的信號、功耗和熱量分析整合到單個緊密耦合的解決方案中。

這正是3DIC Compiler的用武之地——通過一套完整的功耗和熱量分析能力實現(xiàn)早期分析。該解決方案通過全面的自動化功能減少了迭代次數(shù)，同時提供功耗完整性、熱量和噪聲感知優(yōu)化。這有助于開發(fā)者更好地了解系統(tǒng)性能，并圍繞系統(tǒng)架構(gòu)、在何處插入TSV以及最高效的裸晶堆疊方法進行探索。另外，它還有助于更有效地了解如何將各種設(shè)計要素組合在一起，甚至以某些方式將設(shè)計工程師與傳統(tǒng)的2D設(shè)計技術(shù)聯(lián)系起來。

3DIC是實現(xiàn)每立方毫米最佳PPA的理想平臺

通過將硅片垂直堆疊到單個封裝器件中，3DIC不斷證明其在性能、功耗和面積方面能夠持續(xù)支持摩爾定律。

盡管使用集成設(shè)計平臺設(shè)計3D架構(gòu)時會出現(xiàn)新的細微差異，但以最低功耗實現(xiàn)最高性能的可能性使3D架構(gòu)成為極具吸引力的選擇。隨著芯片開發(fā)者努力實現(xiàn)每立方毫米的最佳PPA，3DIC必將得到更廣泛的應用。

編輯：jq