在市場的關注熱潮之下，第三代半導體公司正處在抓住機會資本化的發(fā)展階段。近期就不斷有公司發(fā)布招股書，但也有公司終止了上市進程。

近日，江西瑞能半導體在一度徘徊著中止上市后決定了終止科創(chuàng)板掛牌計劃，此前還有天科合達終止上市計劃。山東天岳則是在前不久掛出招股書，開始走科創(chuàng)板上市流程，若其此后成功上市，將有望成為碳化硅半導體材料領域的第一股。

雖然其中部分公司終止上市的原因沒有確定性的答案，但通過梳理不難發(fā)現(xiàn)，第三代半導體產業(yè)處于偏上游端，前期需要背負巨大的資本開支，由此帶來的量產難度和較高成本，也導致處在偏下游端的公司尚沒有走到較大規(guī)模出貨的階段。

而第三代半導體產業(yè)的火熱，正是與目前市場上需求度較高的5G基站、新能源汽車等領域正在爆發(fā)息息相關。

21世紀經濟報道記者近日調研發(fā)現(xiàn)，除了目前已經聚焦在第三代半導體產業(yè)發(fā)展的公司之外，不少來自其他材料領域的公司，也在基于其對化合物半導體材料的研究，探索進入該產業(yè)領域。

有半導體材料公司高管告訴21世紀經濟報道記者，第三代半導體材料中，氮化鎵襯底的生長難度更大，而碳化硅的發(fā)展路線會更成熟，相關公司也較多。綜合來看，在海外，已有不少大廠在碳化硅市場占據(jù)了較大份額，且多是綜合性發(fā)展的大廠在推進，這與國內公司的發(fā)展路線不甚相同。當然他有信心，隨著未來國內公司的發(fā)展步伐加快，這種市場形勢將有所改變。

資本化潮起

第三代半導體雖然是近期才火熱起來的概念，但實際上已經悄然發(fā)展了多年。

宏觀來看，第三代半導體產業(yè)大約可以分為襯底-外延-器件-制造四大環(huán)節(jié)，其中襯底可理解為晶圓環(huán)節(jié)，外延是在襯底基礎上成長出合適的材料結構用于后續(xù)設計，器件則類似芯片設計。第三代半導體的其中一個難點就在于襯底部分。

前述高管告訴21世紀經濟報道記者，由于氮化鎵襯底生長速率較慢，且大尺寸的氮化鎵單晶生長難度大，才導致目前主要都采用碳化硅材料作為襯底材料。

因此其實在近期，甚至包括今后很長時間，氮化鎵的落地主要是作為外延環(huán)節(jié)存在。

如目前商用較快的氮化鎵快充產業(yè)鏈，主要為硅基作為襯底、生長異質的氮化鎵材料作為外延，以此進行產品設計；而發(fā)展很成熟的LED產業(yè)，此前也主要是以藍寶石材料作為襯底，采用異質的氮化鎵材料作為外延，再進行相關顯示功能的設計。

相比之下，碳化硅作為襯底，并以同質的碳化硅襯底進行外延生長，再進行產品設計就是相對可行的路線，且目前碳化硅襯底再生長氮化鎵外延進行產品設計也在陸續(xù)推進過程中。

如今的資本化潮起，一方面與資本市場平臺對科技類公司的開放性有關，另一方面也是在海內外廠商的共同推動下，相關技術商用已經在加速。

尤其在近兩年間，越來越多產業(yè)和投資資本相繼成為這些公司的股東方，比如華為旗下哈勃投資，在2019年左右相繼成為山東天岳和天科合達的股東，設備商中微公司，國家大基金等的身影也在積極閃現(xiàn)這些上游領域。

同時巧合的是，前述這三家企業(yè)都主要涉足的是碳化硅材料，其中山東天岳和天科合達為碳化硅襯底環(huán)節(jié)公司，瑞能半導體則處在器件環(huán)節(jié)。

至于其中一些公司為何最終選擇了暫時不通過科創(chuàng)板上市，或許可以從其招股書中看到一些端倪。

碳化硅襯底公司天科合達，招股書顯示其收入來源主要包括碳化硅晶片、其他碳化硅產品以及碳化硅單晶生長爐，主要用于產業(yè)鏈下游設計環(huán)節(jié)的產品來自碳化硅晶片部分，其他碳化硅產品方面，其用途一部分可作為生長新碳化硅晶體的“種子”晶片，另一部分則可用于設備測試和制造消費類寶石產品。

招股書顯示，“其他碳化硅產品”項目的收入占據(jù)了天科合達自2018年至2020年Q1大約37%-39%的比重，在2017年甚至高達52%，來自“碳化硅晶片”的收入直到2020年Q1才達到超過六成收入貢獻。這也顯示出即便在產業(yè)層面，其產品商用進程還并未走到大爆發(fā)階段，公司盈利尚且需要來自其他業(yè)務的較多支撐，而非專注來自第三代半導體產業(yè)的設計應用貢獻。

瑞能半導體則可能主要來自研發(fā)投入方面。招股書顯示，在2017-2018年間，該公司的研發(fā)投入占營業(yè)收入比重不足4%，2019年達到了科創(chuàng)板要求，但在2020年Q1該比重再度下滑到4.9%。

這些細微的經營數(shù)據(jù)，顯示出第三代半導體產業(yè)目前在國內雖面臨著龐大市場，但也還處在階段性發(fā)展的道路上。有行業(yè)人士曾再三向記者表示，目前資本市場對于這一概念的關注，或許存在熱度過高的情形。

碳化硅發(fā)展路徑

綜合觀察這三家主要企業(yè)的招股書，也可以大致了解第三代半導體產業(yè)的發(fā)展路徑和商用進程。尤其是處在襯底環(huán)節(jié)的公司，其一方面要承載較大資金壓力，同時還要維持對核心研發(fā)人員的投入，這條路并不那么容易走。

其中山東天岳是資金壓力較大的公司。招股書顯示，截至2020年12月，公司累計未彌補虧損為-15,758.09萬元?？紤]到公司計劃在碳化硅材料領域持續(xù)投入，或繼續(xù)進行股權激勵，可能導致未來一定期間無法盈利。

具體來看，公司在2018-2020年間，歸屬于母公司股東的凈利潤分別為-4,213.96萬元、 -20,068.36萬元、-64,161.32萬元，面臨較大的虧損表現(xiàn)。

同時公司在此期間的營業(yè)收入分別為13,613.40萬元、26,855.84萬元和42,481.19萬元。公司方面解釋，收入逐年增長，凈利潤卻逐年下降，主要系2019年和2020年實施股權激勵所致。

天科合達雖然實現(xiàn)了勉強盈利，但除了前面提到的其他業(yè)務收入貢獻較大之外，還有較多的政府資金補助在支持。

公司招股書顯示，在2018年、2019年和2020年Q1三個財務時期，公司獲得的政府補助占同期公司利潤總額的比例分別為534.05%、73.14%和144.75%。橫向來看，其“同行”山東天岳獲得的政府補助金額占同期公司收入比例近些年大約在8%-10%左右。

前述半導體材料公司高管向21世紀經濟報道記者表示，半導體襯底領域在前期發(fā)展的確十分困難，其所在公司也曾一度面臨不少高管想放棄繼續(xù)“流血”發(fā)展的路徑，好不容易挨過了痛苦虧損的日子，但新技術的不斷演進，又要求公司必須持續(xù)不斷投入資金研發(fā)。

此外，不止于所在的襯底領域，一些半導體材料領域的公司還需要向偏下游的器件領域延伸，親身入局才能做出更符合市場需求的產品。

不過好在，雖然正歷經艱辛發(fā)展時期，這些奔赴資本市場的公司已經在行業(yè)內取得了不錯的成績。根據(jù)國際行業(yè)咨詢機構Yole統(tǒng)計，2019年及2020年間，山東天岳已躋身半絕緣型碳化硅襯底市場的世界前三。

橫向對比全球主要廠商，前述主要廠商目前采取的發(fā)展路徑也不甚相同。當前在碳化硅市場處于相對領先地位的CREE公司，采取的是涵蓋襯底、外延及器件制作較全面產業(yè)鏈的模式，國內正奔赴資本市場的主要公司，則采取的是參與單個產業(yè)鏈環(huán)節(jié)。

在技術先進性方面，國內與海外的差距正在縮小。根據(jù)公開信息，CREE公司目前能夠批量供應4英寸至6英寸導電型和半絕緣型碳化硅襯底，已成功研發(fā)并開始建設8英寸產品生產線。前述國內公司主要產品是4英寸半絕緣型碳化硅襯底，6英寸相關產品已形成小批量銷售。

綜合來說，在目前階段，第一代硅基半導體材料依然是目前市面上近九成半導體產品的襯底，第三代半導體材料的市場基數(shù)還較小。與此同時，當前由于高品質碳化硅襯底生產成本仍然較高，成為制約短期內碳化硅襯底器件大規(guī)模應用的掣肘之一。

但長期來看，第三代半導體材料具備的耐高溫、耐高壓、高頻、大功率等特點，將可以承接“新基建”和5G等機遇，將助推產業(yè)鏈公司可以有更快發(fā)展的預期。

責任編輯：haq