是德科技開放實(shí)驗(yàn)室主題日（Application Focus Day）從2012年正式舉辦以來，是德科技北京/上海/深圳/成都四個實(shí)驗(yàn)室為各個地區(qū)的用戶每年都帶來10場以上的技術(shù)專題活動。開放實(shí)驗(yàn)室主題日的目的是向用戶展示是德科技最高性能的測試設(shè)備，最先進(jìn)的測試手段，為產(chǎn)品驗(yàn)證最佳的測試方案。主題日一直受到廣大用戶的支持和好評，在業(yè)界得到了非常好的口碑，也創(chuàng)造了是德科技開放實(shí)驗(yàn)室的一個品牌形象。

電源模塊是電子產(chǎn)品心臟，70%以上的電子產(chǎn)品損壞都來自于電源部件，而功率開關(guān)器件則是電源模塊中最容易損壞的元器件。

為了選擇更好的功率開關(guān)器件，或者尋找器件損壞的原因，詳細(xì)的測試其靜態(tài)（B1505A/B1506A）和動態(tài)參數(shù)極為重要。特別是寬禁帶器件（SiC，GaN）的發(fā)展和廣泛應(yīng)用，開關(guān)速度越來越快，器件的開關(guān)損耗超過靜態(tài)損耗成為主要功耗來源，器件的動態(tài)參數(shù)也成為評估器件性能的重要參數(shù)，寬禁帶器件快速的開關(guān)速度給動態(tài)參數(shù)測試帶來了極大的挑戰(zhàn)。

動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)要求極低的回路電感、足夠的示波器/探頭和連接線帶寬、高精度和可重復(fù)的測試結(jié)果以及安全的測試環(huán)境。是德科技于2019年下半年在原先IGBT和SiC/SiMOSFET PD1500A雙脈沖測試平臺基礎(chǔ)上推出GaN MOSFET動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),目前已經(jīng)在諸多功率器件廠商、測試實(shí)驗(yàn)室、高校和研究所中廣泛使用。

該系統(tǒng)樣機(jī)于2021年5月17日下午到5月21日下午在成都開放實(shí)驗(yàn)室展示，以支持川渝地區(qū)功率器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。可以支持客戶TO247和D2PAK 封裝IGBT，Si/SiC MOSFET，TO-220封裝 CASCODEGaN MOSFET的測試，演示GaN System GS66508B、英諾賽科INN650D02等GaN MOSFET的實(shí)際測試，交流動態(tài)參數(shù)測試技術(shù)等。

PD1500A 測試項目：

開關(guān)特性（開關(guān)時間，延遲，能量，開關(guān)曲線等）

反向恢復(fù)特性（時間，電流，能量等）

Qg

IV曲線

短路測試，雪崩測試（coming soon）

原文標(biāo)題：是德科技開放實(shí)驗(yàn)室主題日: PD1500A 動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)應(yīng)用及演示 (成都，5月17日~21日）

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