4月20日，DRAM大廠南亞科宣布，將在新北市泰山南林科技園區(qū)興建一座雙層無塵室的 12 吋先進晶圓廠，采用自主研發(fā)的 10nm制程技術(shù)，規(guī)劃建置 EUV 極紫外光微影生產(chǎn)技術(shù)，月產(chǎn)能約 4.5 萬片，計劃今年底動工、2024 年開始第一階段 1.5 萬片量產(chǎn)，總投資額達新臺幣 3000 億元。

進入2021年，全球存儲芯片出現(xiàn)了漲價、缺貨的情況。根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，目前正值DRAM原廠與各大PC OEMs議定2021年第二季合約價的關(guān)鍵時期。雖然合約價議定尚未完成，但根據(jù)現(xiàn)在已經(jīng)擬定的交易當中，以主流模組DDR4 1G*8 2666Mbps均價來看，其季漲幅已接近25%。此外，TrendForce集邦咨詢研究表明，Server DRAM價格漲幅也同步擴大，加上原先已預(yù)期第二季Specialty DRAM DDR3、DDR4、mobile DRAM與graphics DRAM價格都將高漲，預(yù)估第二季整體DRAM均價漲幅將自原先的13~18%；上調(diào)至18~23%，而實際漲幅依照DRAM原廠產(chǎn)品比重不同也有差異。

美光執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生對電子發(fā)燒友記者表示：”展望2021年，我們看到全球GDP增長約5%，而根據(jù)不同分析師的預(yù)測，半導體產(chǎn)業(yè)預(yù)計增長可達12%，整個產(chǎn)業(yè)的金額將達5020億美元。整個半導體產(chǎn)業(yè)預(yù)計增長可達12%，而在半導體產(chǎn)業(yè)當中的內(nèi)存與存儲技術(shù)這一領(lǐng)域，預(yù)計增長可達19%，在內(nèi)存與存儲技術(shù)領(lǐng)域，DRAM產(chǎn)值相比之下又會比NAND增長的更快?！睒I(yè)界大佬一致看好5G基礎(chǔ)設(shè)施、手機、數(shù)據(jù)中心和智能汽車帶來的DRAM在未來3-5年的持續(xù)增長。

南亞科董事長吳嘉昭表示，擬定新建的先進晶圓廠將以 7 年分三階段投資，計劃 2021 年底動工，2023 年底完工開始試產(chǎn)，并于 2024 年開始第一階段量產(chǎn)，產(chǎn)出顆粒數(shù)將較現(xiàn)有產(chǎn)能增加；新廠預(yù)計可提供 2000 個工作機會，創(chuàng)造上中下游千億元以上產(chǎn)值，并間接創(chuàng)造產(chǎn)業(yè)鏈數(shù)千個就業(yè)機會。

吳嘉昭強調(diào)，此次投資興建的新廠，是臺灣首個自主研發(fā) 10納米的生產(chǎn)工廠，南亞科過去歷經(jīng)產(chǎn)業(yè)不景氣、同業(yè)整并等艱困挑戰(zhàn)，目前為 DRAM 市場關(guān)鍵供貨商，現(xiàn)在并全力發(fā)展 LPDD5，盼透過先進制程研發(fā)能力，為臺灣 DRAM 產(chǎn)業(yè)能更健康穩(wěn)固。

南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，近年來更積極導入人工智能技術(shù)，加速 10 納米級技術(shù)及產(chǎn)品的自主創(chuàng)新研發(fā)，2020 年成功開發(fā)出 10 納米 DRAM技術(shù)，并規(guī)劃今年導入量產(chǎn)，未來可生產(chǎn) DDR5、LPDDR5 及 16Gb 高容量等 DRAM 產(chǎn)品，以因應(yīng)未來 5G 與智慧世代發(fā)展。

本文資料來自臺灣矩亨網(wǎng)和全球半導體觀察，本文編輯整理分享。