亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

30V場(chǎng)效應(yīng)管 N溝道 大電流RGB燈帶專(zhuān)用調(diào)光MOS管HC3400M介紹

DC-DC低壓線性恒流芯片方案 ? 來(lái)源:DC-DC低壓線性恒流芯片方案 ? 作者:DC-DC低壓線性恒流 ? 2022-03-23 11:54 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

型號(hào):HC3400M

參數(shù):30V 5.8A

類(lèi)型:N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

內(nèi)阻27mR(Vgs=10V)

低結(jié)電容635pF

封裝:SOT23-3

低開(kāi)啟電壓0.7V

可免費(fèi)申請(qǐng)樣品和DEMO測(cè)試,免費(fèi)技術(shù)支持。

100V大電流系列:2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N10、25N0、30N10、35N10、40N10、50N10

SOT23-3封裝、SOT223封裝、SOP8封裝、TO-252封裝、DFN封裝

60V大電流系列:5N06、10N06、20N06、25N06、30N06、35N06、40N06、50N06、60N06、70N06

30V大電流系列:3400、3404、2301、2300、9926、30N03、20N03、50N03、70N03、100N03、110N03

HC037N06L.jpg

HC510.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 場(chǎng)效應(yīng)管

    關(guān)注

    47

    文章

    1267

    瀏覽量

    69597
  • MOS管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    110

    文章

    2711

    瀏覽量

    74124
  • 調(diào)光
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    239

    瀏覽量

    36180
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專(zhuān)用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS

    N溝道功率MOSFET 美容儀加濕器專(zhuān)用HC3400Y 高性能30V5.7AMOS
    發(fā)表于 10-31 09:35

    ZK30N140T:Trench工藝賦能的30V/140AN溝道MOS,重塑低壓大電流應(yīng)用新標(biāo)桿

    在低壓大電流功率電子領(lǐng)域,MOS的導(dǎo)通損耗、電流承載能力與封裝適配性,直接決定了終端設(shè)備的能效、可靠性與設(shè)計(jì)靈活性。中科微電推出的ZK30N
    的頭像 發(fā)表于 10-22 09:42 ?154次閱讀
    ZK<b class='flag-5'>30N</b>140T:Trench工藝賦能的<b class='flag-5'>30V</b>/140AN<b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>,重塑低壓大<b class='flag-5'>電流</b>應(yīng)用新標(biāo)桿

    FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-23 15:03 ?2次下載

    貼片MOS場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)如何識(shí)別?

    貼片MOS場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)的識(shí)別需結(jié)合命名規(guī)則、封裝特征及參數(shù)查詢(xún)?nèi)矫孢M(jìn)行,以下是具體方法: 一、型號(hào)命名規(guī)則解析 貼片MOS的型號(hào)通常由制造商標(biāo)識(shí)、基本型號(hào)、功能標(biāo)識(shí)、封裝形式及技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 08-05 14:31 ?1515次閱讀
    貼片<b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>場(chǎng)效應(yīng)管</b>型號(hào)如何識(shí)別?

    MOS的工作原理:N溝道與P溝道的區(qū)別

    MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子設(shè)備中最常用的半導(dǎo)體器件之一。它通過(guò)電場(chǎng)效應(yīng)控制電流的導(dǎo)通與截止,廣泛應(yīng)用于放大、開(kāi)關(guān)和信
    的頭像 發(fā)表于 05-09 15:14 ?1783次閱讀
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>的工作原理:<b class='flag-5'>N</b><b class='flag-5'>溝道</b>與P<b class='flag-5'>溝道</b>的區(qū)別

    LT8618FD共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書(shū)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT8618FD共漏N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 03-25 18:04 ?0次下載

    如何區(qū)分場(chǎng)效應(yīng)管mos三個(gè)引腳

    場(chǎng)效應(yīng)管mos三個(gè)引腳怎么區(qū)分
    發(fā)表于 03-07 09:20 ?0次下載

    場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)

    場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)
    發(fā)表于 01-08 13:44 ?3次下載

    場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 如何降低場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲

    在設(shè)計(jì)場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路時(shí),降低場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲是至關(guān)重要的。以下是一些有效的措施來(lái)降低場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲: 一、電源噪聲的抑制 選擇穩(wěn)定的電源 : 使用低噪聲、穩(wěn)定的電源為場(chǎng)效應(yīng)管供電,可以
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:17 ?1763次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)介紹 如何測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管的功能

    參數(shù)介紹 最大漏極電流(IDmax) :場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的最大漏極電流,超過(guò)此值可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞。 最大漏源電壓(VDSmax) :場(chǎng)效應(yīng)管
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:02 ?4219次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì) 場(chǎng)效應(yīng)管的負(fù)載能力分析

    場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì) 高輸入阻抗 :場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高,這意味著它們需要的驅(qū)動(dòng)電流非常小,這對(duì)于低功耗應(yīng)用非常有利。 低噪聲 :場(chǎng)效應(yīng)管由于其高輸入阻抗和低導(dǎo)通電阻,通常比雙極型晶體
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:58 ?2101次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管常見(jiàn)問(wèn)題及解決方案

    場(chǎng)效應(yīng)管常見(jiàn)問(wèn)題及解決方案 1. 場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理 場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制型器件,其工作原理是通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的電流。場(chǎng)效應(yīng)管
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:57 ?2180次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管與晶體的區(qū)別是什么呢

    場(chǎng)效應(yīng)管與晶體在多個(gè)方面存在顯著的區(qū)別,以下是對(duì)這兩者的比較: 一、工作原理 場(chǎng)效應(yīng)管 : 導(dǎo)電過(guò)程主要依賴(lài)于多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng),因此被稱(chēng)為單極型晶體。 通過(guò)柵極電壓(uGS)來(lái)
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:55 ?3365次閱讀

    常見(jiàn)場(chǎng)效應(yīng)管類(lèi)型 場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理

    場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,它利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的流動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)管的主要類(lèi)型有結(jié)型
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:52 ?2918次閱讀

    晶體場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別 晶體的封裝類(lèi)型及其特點(diǎn)

    通過(guò)改變溝道中的電場(chǎng)來(lái)控制源極和漏極之間的電流。 輸入阻抗 : 晶體 :輸入阻抗相對(duì)較低,因?yàn)榛鶚O需要電流來(lái)控制。 場(chǎng)效應(yīng)管 :輸入阻抗非
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?1454次閱讀