亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星在存儲(chǔ)領(lǐng)域投資217億美元,DDR5蓄勢(shì)待發(fā)

21克888 ? 來(lái)源:電子發(fā)燒友 ? 作者:程文智 ? 2021-01-30 06:27 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/程文智)最近,據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星電子預(yù)計(jì)今年在半導(dǎo)體行業(yè)投資35萬(wàn)億韓元(約316億美元),其中,存儲(chǔ)半導(dǎo)體投資約24萬(wàn)億韓元(約217億美元),晶圓代工領(lǐng)域投資11萬(wàn)億韓元(約99億美元)。報(bào)道稱此次投資將會(huì)主要集中在西安二期工廠和平澤P2工廠。據(jù)悉,存儲(chǔ)相關(guān)設(shè)備的投資已經(jīng)先行。

西安二期為NAND Flash工廠,目前已訂購(gòu)的設(shè)備將在今年6-7月交付產(chǎn)線用于生產(chǎn)128層V6 3D NAND。消息稱,西安二期工廠建成后合計(jì)月產(chǎn)能可達(dá)12萬(wàn)片,約占三星電子全球產(chǎn)量的40%。

而平澤P2工廠為NAND Flash、DRAM和晶圓代工混合產(chǎn)線,產(chǎn)線擴(kuò)充之后預(yù)計(jì)NAND Flash月產(chǎn)能將增加18-30K;DRAM月產(chǎn)能將增加30-60K;晶圓代工月產(chǎn)能增加20K。

據(jù)了解,三星電子已經(jīng)開(kāi)始訂購(gòu)相關(guān)的半導(dǎo)體設(shè)備。韓國(guó)媒體報(bào)道特別指出,三星電子已于本月15日與DI簽署了一份合同,為下一代DRAM存儲(chǔ)器的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品DDR5購(gòu)買(mǎi)價(jià)值3130萬(wàn)美元(345億韓元)的半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備。其實(shí),三星電子在2020年2月份就宣布了成功研發(fā)出了DDR5芯片,預(yù)計(jì)2021年下半年可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

DDR5今年將接棒DDR4,它有哪些優(yōu)點(diǎn)?
自2012年9月,JEDEC協(xié)會(huì)宣布DDR4 SDRAM的最終規(guī)格到現(xiàn)在已經(jīng)過(guò)去9年了。如今JEDEC協(xié)會(huì)在2020年7月正式發(fā)布了新的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5-SDRAM最終規(guī)格,預(yù)示著DDR5將會(huì)接棒DDR4成為新的主流標(biāo)準(zhǔn)。

從JEDEC協(xié)會(huì)公布的信息來(lái)看,與上一代DDR4標(biāo)準(zhǔn)相比,DDR5將主電壓從1.2 V降低至1.1 V,最大芯片密度提高了4倍,最大數(shù)據(jù)速率提高一倍,突發(fā)長(zhǎng)度增加一倍,存儲(chǔ)單元組數(shù)增加一倍??梢哉f(shuō)在速度、容量、能耗和穩(wěn)定性等方面,DDR5都來(lái)了一次全面的提升。
圖:DDR5標(biāo)準(zhǔn)與DDR4標(biāo)準(zhǔn)的密度、速率和電壓比較。(來(lái)源:Synopsys)

雖然DDR5的最高速率可高達(dá)6400Mbps,但能達(dá)到這個(gè)速率的產(chǎn)品近期應(yīng)該不會(huì)出現(xiàn),最先推出的產(chǎn)品應(yīng)該是4800Mbps的產(chǎn)品,隨后才會(huì)推出5600Mbps,再然后才會(huì)有6400Mbps的產(chǎn)品出現(xiàn)。

其實(shí)從速率方面來(lái)看,DDR5發(fā)展還沒(méi)有LPDDR5快,LPDDR5的速率會(huì)更快,有業(yè)界人士表示,如果應(yīng)用更加注重性能而看重容量,則可以先選擇LPDDR5的產(chǎn)品。

圖:DDR5的關(guān)鍵特性分析。(來(lái)源:Synopsys)

新的DDR5除了容量更大,速度更快之外,也有一些殺手锏,比如雙通道DIMM、突發(fā)長(zhǎng)度、占空比調(diào)節(jié)器、片上ECC等等。

具體來(lái)說(shuō),雙通道DIMM可以操控更多的核數(shù)量,以提升通道效率,進(jìn)而優(yōu)化內(nèi)存整體的能效。

片上ECC則強(qiáng)化了片上RAS,減輕了控制器的負(fù)擔(dān)。

增加了數(shù)據(jù)突發(fā)長(zhǎng)度,DDR5將缺省的數(shù)據(jù)突發(fā)長(zhǎng)度(Burst Length)從DDR4標(biāo)準(zhǔn)的BL8增加到了BL16,這樣就提高了命令/地址和數(shù)據(jù)總線的效率。也就是說(shuō),相同的CA總線讀寫(xiě)事務(wù)可以在數(shù)據(jù)總線上實(shí)現(xiàn)兩倍的數(shù)據(jù)量,同時(shí)限制在同一Bank內(nèi)受到IO/陣列時(shí)序限制的風(fēng)險(xiǎn)。突發(fā)長(zhǎng)度的增加也可減少相同的64B緩存線數(shù)據(jù)負(fù)載存取所需的IO數(shù)量,減少存取特定數(shù)據(jù)量所需的命令,這對(duì)于功耗的控制十分有利。

此外,還有有占空比調(diào)節(jié)器、DRAM接收DQ均衡、內(nèi)部DQS延遲監(jiān)控等關(guān)鍵特性。
圖:DDR4特性與DDR5特性對(duì)比(一)。
圖:DDR4特性與DDR5特性對(duì)比(二)。

DDR5將首先在服務(wù)器領(lǐng)域得到應(yīng)用
DDR5標(biāo)準(zhǔn)推出之后,三星電子、美光、SK海力士等內(nèi)存和模塊制造商都已經(jīng)積極行動(dòng)起來(lái)了,陸續(xù)推出了相關(guān)的樣品,為即將到來(lái)的新一波內(nèi)存升級(jí)潮積極備戰(zhàn)。按照以往的經(jīng)驗(yàn),2021年DDR5將最先進(jìn)入服務(wù)器市場(chǎng),之后隨著工藝穩(wěn)定和產(chǎn)能爬坡后,再逐漸向PC和消費(fèi)電子等領(lǐng)域滲透。

去年以來(lái),在線辦公和遠(yuǎn)程教育需求爆發(fā),云計(jì)算需求快速提升,拉動(dòng)服務(wù)器需求增長(zhǎng),直接推動(dòng)內(nèi)存接口芯片需求提高。據(jù)IDC預(yù)測(cè),2020年-2025年,中國(guó)X86服務(wù)器市場(chǎng)規(guī)模有望以年復(fù)合增長(zhǎng)率9.08%的速度穩(wěn)步增長(zhǎng),拉動(dòng)上游內(nèi)存接口芯片銷售量保持增長(zhǎng)勢(shì)態(tài)。對(duì)于DDR5內(nèi)存需求,IDC預(yù)計(jì)將從 2020年開(kāi)始增長(zhǎng), 到2021年底將占DRAM總市場(chǎng)的25%,這一市場(chǎng)份額將逐步提升, 并在2022年達(dá)到44%。

對(duì)市場(chǎng)的預(yù)測(cè),Omdia顯得更加保守一些,該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)DDR5需求將在2021年開(kāi)始激增,到2022年將占據(jù)全球DRAM市場(chǎng)的10%,到2024年將增長(zhǎng)到43%。

其實(shí)DDR5的普及速度,還是要看CPU產(chǎn)品的支持,在服務(wù)器領(lǐng)域則要看占據(jù)服務(wù)器CPU整體出貨量90%以上的英特爾的態(tài)度。從目前公開(kāi)的信息來(lái)看英特爾在2020年時(shí)打包票說(shuō)Sapphire Rapids處理器會(huì)正式采用DDR5,2021下半年開(kāi)始做小批量的生產(chǎn)。

AMD即將問(wèn)世的Milan平臺(tái)仍沿用當(dāng)前主流解決方案DDR4,預(yù)計(jì)下一代Genoa平臺(tái)會(huì)有導(dǎo)入DDR5的規(guī)格,不過(guò)該平臺(tái)量產(chǎn)時(shí)間約為2022年,若要正式搭載DDR5,AMD的服務(wù)器存儲(chǔ)器解決方案最快2023年才會(huì)問(wèn)世。

ARM陣營(yíng)方面,來(lái)自法國(guó)的初創(chuàng)公司SiPearl剛公布了代號(hào)“Rhea”(美洲鴕鳥(niǎo))的處理器產(chǎn)品,采用臺(tái)積電7nm工藝制造,集成多達(dá)72個(gè)CPU核心,Mesh網(wǎng)格式布局,支持4-6個(gè)通道的DDR5內(nèi)存控制器。其發(fā)布時(shí)間定在2021年,因此對(duì)DDR5的導(dǎo)入也不會(huì)早于這個(gè)時(shí)間。

考慮到生產(chǎn)成本問(wèn)題,服務(wù)器產(chǎn)品對(duì)存有溢價(jià)的DDR5產(chǎn)品接納程度較高,而PC產(chǎn)品對(duì)DDR5產(chǎn)品的規(guī)劃估計(jì)要到2022年才能落實(shí),也就是說(shuō)DDR5這兩年都將主要停留在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證階段。

據(jù)悉,英特爾12 代酷睿 Alder Lake (ADL)混合架構(gòu)處理器會(huì)支持DDR5,但最早也要到2021年Q3。AMD的Zen4已經(jīng)規(guī)劃了對(duì)DDR5的支持,發(fā)布時(shí)間也在2021年。DDR5要全面在PC上普及,看來(lái)至少還需要2年的時(shí)間。

產(chǎn)業(yè)鏈準(zhǔn)備就緒,DDR5蓄勢(shì)待發(fā)
雖然說(shuō)Intel和AMD都相繼推遲了他們?cè)谙M(fèi)級(jí)平臺(tái)上支持DDR5內(nèi)存的計(jì)劃,但追求性能且對(duì)價(jià)格不這么敏感的服務(wù)器平臺(tái)在2021年確實(shí)會(huì)上DDR5,至少I(mǎi)ntel的線路圖上2021年的Sapphire Rapids服務(wù)器處理器是支持PCI-E 5.0和DDR5的。而內(nèi)存廠商肯定會(huì)比平臺(tái)廠商先一步把DDR5內(nèi)存推向市場(chǎng)。

根據(jù)三大DRAM原廠官網(wǎng)及公司公告顯示,三星、美光、SK海力士2020年已經(jīng)完成DDR5內(nèi)存研發(fā),并具備大規(guī)模的量產(chǎn)能力:

SK海力士于2018年發(fā)布首顆2GB DDR5-6400模組,并于2020年10月宣布推出全球首款DDR5 DRAM;2020年1月,美光基于1znm制程技術(shù)的DDR5 RDIMM開(kāi)始送樣,性能較DDR4提高85%以上;三星則于2020年2月份宣布成功研發(fā)出DDR5芯片。

近期,根據(jù)外媒TechPowerUp 的消息,十銓成功開(kāi)發(fā)了 DDR5 SO-DIMM 內(nèi)存,并有望成為第一個(gè)參加英特爾和等平臺(tái)驗(yàn)證測(cè)試的公司。

另外,國(guó)產(chǎn)內(nèi)存廠商嘉合勁威正在積極布局導(dǎo)入DDR5內(nèi)存新技術(shù),2021年將在深圳坪山率先量產(chǎn)DDR5。目前,嘉合勁威正在積極與芯片廠商溝通,導(dǎo)入和研發(fā)新一代的DDR5內(nèi)存技術(shù),同時(shí)籌備配置DDR5生產(chǎn)線,有望在2021年第二季度推出單條16GB容量的DDR5內(nèi)存條。

除了大廠加快DDR5的布局外,LPDDR5已開(kāi)始應(yīng)用在高端旗艦機(jī)上,比如紅米K30 Pro5G、iQOO3、一加 8Pro、中興 AXON 10s Pro等。

DDR5成品的推出離不開(kāi)相關(guān)的供應(yīng)鏈廠商的支持,比如新思科技(Synopsys),瑞薩(Renesas),瀾起科技(Montage Technology),Rambus等廠商提供的相關(guān)產(chǎn)品和解決方案。目前這些廠商都已開(kāi)始推出相關(guān)產(chǎn)品和解決方案。

Synopsys在2018年就推出了DDR5和LPDDR5 IP方案,據(jù)其官網(wǎng)信息顯示,采用DesignWare LPDDR5 IP之后,客戶可以節(jié)省大量的面積和功率,比以前的版本減少多達(dá)40%的面積。DesignWare DDR5 IP為分立器件和雙列直插式內(nèi)存模塊(DIMM)提供了單通道和雙通道方式,從而為人工智能和數(shù)據(jù)中心SoC帶來(lái)了速度最快的DDR存儲(chǔ)器接口解決方案。

Synopsys公司提供了完整的DDR5和LPDDR5 IP解決方案,其中包括控制器、PHY和驗(yàn)證IP。PHY和控制器通過(guò)最新的DFI 5.0接口無(wú)縫地進(jìn)行互操作。通過(guò)PHY中的嵌入式校準(zhǔn)處理器進(jìn)行的基于固件的訓(xùn)練優(yōu)化了啟動(dòng)時(shí)內(nèi)存訓(xùn)練,可以實(shí)現(xiàn)最高程度的數(shù)據(jù)可靠性和系統(tǒng)級(jí)別的余量。它還能夠快速更新訓(xùn)練算法,而無(wú)需更改硬件。

在2019年,Synopsys又為DDR5/4非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊(NVDIMM-P),推出業(yè)內(nèi)首個(gè)驗(yàn)證 IP (VIP)。

瀾起科技是國(guó)內(nèi)打入DRAM核心生態(tài)圈的唯一廠商,是全球可提供從DDR2到DDR4內(nèi)存全緩沖/半緩沖完整解決方案的主要供應(yīng)商之一。

據(jù)悉,2020年底,瀾起科技已經(jīng)完成了DDR5第一子代的研發(fā),目前在做優(yōu)化和測(cè)試。在DDR5生態(tài)鏈重,瀾起科技可以提供RCD、DB、SPD、PMIC和Tempsensor等產(chǎn)品。

根據(jù)JEDEC定義,在DDR5時(shí)代,SPD將會(huì)成為內(nèi)存模組的標(biāo)配,不僅在服務(wù)器,在PC、筆記本電腦都需要至少一顆。按照內(nèi)存模組的歷史經(jīng)驗(yàn),在DDR4時(shí)代,都是服務(wù)器先上量,然后筆記本電腦才會(huì)跟上,因?yàn)榉?wù)器比較高端,對(duì)成本不敏感、對(duì)性能追求高,隨著成本的控制才會(huì)向PC、筆記本電腦傳導(dǎo)。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士估計(jì),現(xiàn)在全球服務(wù)器一年出貨量大約1200萬(wàn)臺(tái)對(duì)應(yīng)的內(nèi)存模組大概在1.21億根左右;PC大約3億臺(tái)左右,大部分PC都是一根內(nèi)存條就夠了,極少數(shù)高端的可能需要多一點(diǎn),假設(shè)每一個(gè)PC只有1根內(nèi)存條意味著至少3億根內(nèi)存條。所以一旦DDR5時(shí)代到來(lái),經(jīng)過(guò)2-3年滲透DDR5成為主流,1.21+3億=4.21億根內(nèi)存模組都要SPD,在服務(wù)器價(jià)值量ASP在1美元以上,PC的ASP至少0.4-0.5美元,這意味著SPD的市場(chǎng)空間有2.5~3億美元。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹,在服務(wù)器內(nèi)存中,至少需要1顆tempsensor,但tempsensor與PMIC、SPD不一樣。SPD是要也僅要一顆;tempsensor根據(jù)每個(gè)內(nèi)存模組廠商自己的需求來(lái)設(shè)計(jì),可以有多種組合,比如(1)中間有1顆且這顆可與SPD封裝在1顆芯片里;(2)在兩邊各有一顆(3)中間1顆,旁邊兩顆,共三顆。

需要指出的是,瀾起科技在DDR5時(shí)代會(huì)同時(shí)推出Tempsensor、SPD、PMIC、RCD、DB等芯片產(chǎn)品。其中SPD方面瀾起科技與IDT各占50%市場(chǎng)份額,PMIC除了瀾起科技和IDC外,還有傳統(tǒng)的競(jìng)爭(zhēng)者,不過(guò)內(nèi)存模組的PMIC應(yīng)該還有很多Know-how在里面,瀾起科技和IDT會(huì)更有優(yōu)勢(shì)。

在DDR5時(shí)代,PMIC、SPD在PC時(shí)代也要用,而RCD、DB短期不會(huì)在PC上,這是由于服務(wù)器內(nèi)存模組容量比較大,不過(guò)高端PC可能會(huì)用到RCD/DB芯片。

結(jié)語(yǔ)
可以預(yù)見(jiàn)的是2021年將會(huì)有更多的的DDR5產(chǎn)品推出,只是要全面普及,全面替代DDR4可能還需要一段時(shí)間,但不管怎樣,產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)做好準(zhǔn)備,在需求發(fā)展的大趨勢(shì)下,只等CPU的到來(lái)了。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15891

    瀏覽量

    182797
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    39

    文章

    7700

    瀏覽量

    170509
  • DDR5
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    455

    瀏覽量

    25504
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    DDR5 設(shè)計(jì)指南(一):DDR5 VS LPDDR5

    “ ?本文將詳細(xì)介紹 DDR5、LPDDR5 的技術(shù)細(xì)節(jié)以及 Layout 的規(guī)范要求。然后比較 CAMM2 模組與 SODIMM 的差別。? ” ?? 本文將介紹什么是 DDR5DDR5
    的頭像 發(fā)表于 10-27 19:28 ?3692次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR5</b> 設(shè)計(jì)指南(一):<b class='flag-5'>DDR5</b> VS LPDDR<b class='flag-5'>5</b>

    三星出擊!首款XR頭顯Galaxy XR登場(chǎng),AI智能眼鏡蓄勢(shì)待發(fā)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/莫婷婷)近日,三星推出首款混合現(xiàn)實(shí)頭顯——Galaxy XR,由此正式進(jìn)軍XR(擴(kuò)展現(xiàn)實(shí))市場(chǎng)。該設(shè)備售價(jià)1800美元(約合12,820元人民幣),已在韓國(guó)和美國(guó)市場(chǎng)發(fā)售。三星
    的頭像 發(fā)表于 10-23 09:15 ?4247次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>出擊!首款XR頭顯Galaxy XR登場(chǎng),AI智能眼鏡<b class='flag-5'>蓄勢(shì)待發(fā)</b>

    上汽大眾新款凌渡L GTS蓄勢(shì)待發(fā)

    近日,大眾“GT”持續(xù)高光:2025 ID.Festival上,上汽大眾ID.3 GTX套件款正式上市,將GT文化帶入電動(dòng)時(shí)代;令人期待的是,大眾另一輛全新“GT”車型——上汽大眾新凌渡L GTS也已蓄勢(shì)待發(fā),將在不久后面世。
    的頭像 發(fā)表于 06-28 16:11 ?654次閱讀

    漲價(jià)!部分DDR4與DDR5價(jià)差已達(dá)一倍!

    (2GX8)內(nèi)存在6月2日的報(bào)價(jià)為5.171美元,當(dāng)時(shí)比DDR5低約8%。然而,最新報(bào)價(jià)顯示DDR4已上漲至8.633美元,不到一個(gè)月時(shí)間內(nèi)漲幅高達(dá)67%,且已經(jīng)超過(guò)
    的頭像 發(fā)表于 06-27 00:27 ?4022次閱讀

    看點(diǎn):三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20% 華為與優(yōu)必選全面合作具身智能

    給大家?guī)?lái)一些業(yè)界資訊: 三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢(shì)結(jié)束,2025年一季度和第二季度,價(jià)格開(kāi)始企穩(wěn)反彈。 據(jù)TrendForce報(bào)道稱,
    的頭像 發(fā)表于 05-13 15:20 ?1038次閱讀

    DDR4漲價(jià)20%,DDR5上調(diào)5%!

    最新消息,三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比;DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%,
    的頭像 發(fā)表于 05-13 01:09 ?6291次閱讀

    存儲(chǔ)電源芯片又一重要玩家,打破DDR5 PMIC壟斷

    半導(dǎo)體是移動(dòng)電源、TWS耳機(jī)等領(lǐng)域電源管理芯片的知名供應(yīng)商,TWS耳機(jī)充電倉(cāng)SoC芯片市場(chǎng)占有率排名第一。如今,思遠(yuǎn)半導(dǎo)體進(jìn)軍存儲(chǔ)電源芯片領(lǐng)域,實(shí)力滿滿,力爭(zhēng)成為AI
    的頭像 發(fā)表于 03-21 09:05 ?3039次閱讀
    <b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>電源芯片又一重要玩家,打破<b class='flag-5'>DDR5</b> PMIC壟斷

    1750美元資金蓄勢(shì)待發(fā),OpenAI加速AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

    更為震撼的信息:目前,大約有1750美元的資金已經(jīng)蓄勢(shì)待發(fā),準(zhǔn)備用于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施的配置。這筆巨額資金的投入,將極大地推動(dòng)人工智能技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用,為行業(yè)的快速發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐。 OpenAI作為人工智能
    的頭像 發(fā)表于 02-08 09:37 ?562次閱讀

    三星2025年晶圓代工投資減半

    近日,據(jù)最新報(bào)道,三星計(jì)劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門(mén)的投資規(guī)模,設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬(wàn)億韓元銳減至5萬(wàn)億韓元,削減幅度高達(dá)50%。 此次
    的頭像 發(fā)表于 01-23 11:32 ?917次閱讀

    三星美國(guó)得州半導(dǎo)體廠獲47.4美元激勵(lì)

    近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,三星電子正在美國(guó)得克薩斯州泰勒市加速推進(jìn)一座先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片工廠建設(shè)。為了支持這一重大投資項(xiàng)目,三星電子聲稱已經(jīng)獲得了美國(guó)政府提供的47.4
    的頭像 發(fā)表于 01-14 13:55 ?822次閱讀

    三星電子獲美47.45美元芯片補(bǔ)貼

    未來(lái)幾年內(nèi)投資超過(guò)370美元,用于將其得克薩斯州中部的現(xiàn)有設(shè)施打造成為一個(gè)集芯片研發(fā)、生產(chǎn)于一體的綜合生態(tài)系統(tǒng)。具體而言,
    的頭像 發(fā)表于 12-23 11:33 ?1290次閱讀

    2025年全球半導(dǎo)體八大趨勢(shì),萬(wàn)年芯蓄勢(shì)待發(fā)

    的推動(dòng)下,半導(dǎo)體行業(yè)正迎來(lái)新的繁榮景象。萬(wàn)年芯作為業(yè)內(nèi)芯片封裝測(cè)試知名企業(yè),正蓄勢(shì)待發(fā),以科技產(chǎn)品推動(dòng)國(guó)產(chǎn)替代,以減少對(duì)外依賴,增強(qiáng)國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)的自主可控能力。八大趨勢(shì)
    的頭像 發(fā)表于 12-17 16:53 ?2688次閱讀
    2025年全球半導(dǎo)體八大趨勢(shì),萬(wàn)年芯<b class='flag-5'>蓄勢(shì)待發(fā)</b>

    DDR3、DDR4、DDR5的性能對(duì)比

    DDR3、DDR4、DDR5是計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型的不同階段,分別代表第代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。以下
    的頭像 發(fā)表于 11-29 15:08 ?1.7w次閱讀

    DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異

    DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展,內(nèi)存技術(shù)也不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù),相較于DDR4內(nèi)存,
    的頭像 發(fā)表于 11-29 14:58 ?4148次閱讀

    DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 DDR5DDR4的主要區(qū)別

    DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡(jiǎn)介 DDR5(Double Data Rate 5)是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)
    的頭像 發(fā)表于 11-22 15:38 ?6781次閱讀