美光宣布使用新型1α制造工藝生產(chǎn)的DRAM開(kāi)始批量出貨，這是目前世界上最先進(jìn)的DRAM制造技術(shù)。1α制造工藝最初會(huì)用于8Gb和16Gb的DDR4和LPDDR4內(nèi)存生產(chǎn)上，隨著時(shí)間的推移，未來(lái)將用于所有類(lèi)型的DRAM，有望顯著降低DRAM成本。

到目前為止，美光已將其DRAM生產(chǎn)的很大一部分轉(zhuǎn)移到了1Znm節(jié)點(diǎn)，該節(jié)點(diǎn)既提供高位密度（較低的單位成本）又提供高性能。美光表示，從利潤(rùn)率和產(chǎn)品組合角度來(lái)說(shuō)，現(xiàn)在的感覺(jué)相當(dāng)好。美光的1α制造工藝預(yù)計(jì)將比1Z（成熟的成品率）將內(nèi)存密度提高40％，這將相應(yīng)降低生產(chǎn)者的單位成本。

此外，該技術(shù)的功耗降低了15％，而且性能更高。美光1α制造工藝其中很重要的一點(diǎn)是，印證了僅靠光刻技術(shù)的改進(jìn)，不足以使DRAM制造成本降低。像上一代產(chǎn)品一樣，美光的1α節(jié)點(diǎn)繼續(xù)使用6F2位線(xiàn)設(shè)計(jì)。

1αnm是第四代10nm級(jí)DRAM技術(shù)，是三星、SK海力士、美光2021年角逐的新一代DRAM技術(shù)，隨著美光宣布量產(chǎn)1αnm（1-alpha）DRAM產(chǎn)品，預(yù)計(jì)三星、SK海力士1αnm也將會(huì)在不久到來(lái)。

據(jù)悉，三星已在2020年基于1Znm制程技術(shù)量產(chǎn)16GbLPDDR5，并率先導(dǎo)入EUV工藝，三星也規(guī)劃將在2021年大量生產(chǎn)基于第四代10nm級(jí)（1α）EUV工藝的16GbDDR5/LPDDR5。

SK海力士新建的M16工廠也已完成EUV潔凈室的建設(shè)，待設(shè)備安裝和調(diào)試過(guò)后，預(yù)計(jì)將在2021下半年開(kāi)始量產(chǎn)第四代1αnm制程DRAM。

無(wú)論是3DNAND還是DRAM技術(shù)，美光的技術(shù)進(jìn)展都非常的迅速，尤其是推出176層3DNAND之后將在2021年首季末規(guī)模化生產(chǎn)，領(lǐng)先業(yè)界。美光量產(chǎn)1αnm技術(shù)DRAM不僅僅是為了應(yīng)對(duì)市場(chǎng)激烈的競(jìng)爭(zhēng)，也是為了迎接DRAM市場(chǎng)需求的成長(zhǎng)。

美光技術(shù)與產(chǎn)品執(zhí)行副總裁斯科特·德伯爾（ScottDeBoer）表示：1αnm工藝節(jié)點(diǎn)體現(xiàn)了美光在DRAM方面的優(yōu)越表現(xiàn)，計(jì)劃將在2021年集中提高1αnm節(jié)點(diǎn)的DRAM組合產(chǎn)品，以滿(mǎn)足當(dāng)今DRAM市場(chǎng)需求，以及增強(qiáng)應(yīng)用范圍和影響力，從移動(dòng)市場(chǎng)向汽車(chē)行業(yè)擴(kuò)展。

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