亚洲精品久久久久久久久久久,亚洲国产精品一区二区制服,亚洲精品午夜精品,国产成人精品综合在线观看,最近2019中文字幕一页二页

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀(guān)看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅預(yù)計(jì)2020年全球市場(chǎng)規(guī)模將突破6億美元

牽手一起夢(mèng) ? 來(lái)源:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 ? 作者:前瞻產(chǎn)業(yè)研究院 ? 2020-12-30 15:52 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

碳化硅(SiC)又名碳硅石、金剛砂,是第三代半導(dǎo)體材料的代表之一,SiC主要用于電力電子器件的制造。受新能源汽車(chē)、工業(yè)電源等應(yīng)用的推動(dòng),全球電力電子碳化硅的市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng),預(yù)計(jì)2020年的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6億美元。在競(jìng)爭(zhēng)格局方面,行業(yè)龍頭企業(yè)的經(jīng)營(yíng)模式以IDM模式為主,主要的市場(chǎng)份額被Infineon、Cree、羅姆以及意法半導(dǎo)體占據(jù),國(guó)內(nèi)外廠(chǎng)商的競(jìng)爭(zhēng)差距較大。

1、碳化硅:第三代半導(dǎo)體材料的典型代表

碳化硅(SiC)又名碳硅石、金剛砂,是一種無(wú)機(jī)物,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅(SiC)主要應(yīng)用于磨具磨料、冶金原料、半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域,其中,在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表之一。

2、碳化硅成本構(gòu)成及上游供應(yīng)概況

——襯底、外延的成本占比最大

在半導(dǎo)體應(yīng)用中,SiC主要用于電力電子器件的制造。從SiC器件制造流程順序來(lái)看,SiC器件的制造成本中,SiC襯底成本占比50%,SiC外延的成本占比25%,這兩大工序是SiC器件的重要組成部分:

——高純石英砂供應(yīng)商較少

在上游原料供應(yīng)方面,高純石英砂是碳化硅的主要原料之一。因高純石英砂的制備成本高、加工工藝要求高,因此目前全球具備批量生產(chǎn)高純石英砂的廠(chǎng)商較少。在國(guó)外廠(chǎng)商方面,尤尼明、The Quartz Corporation是主要供應(yīng)商;在國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商方面,石英股份是目前國(guó)內(nèi)生產(chǎn)高純石英砂龍頭企業(yè):

圖表3:全球高純石英砂主要供應(yīng)商情況

3、2020年全球市場(chǎng)規(guī)模將突破6億美元

從下游需求情況來(lái)看,2018-2019年,受新能源汽車(chē)、工業(yè)電源等應(yīng)用的推動(dòng),全球電力電子碳化硅的市場(chǎng)規(guī)模從4.3億美元增長(zhǎng)至5.64美元,Yole預(yù)測(cè)未來(lái)市場(chǎng)仍將因新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而增長(zhǎng),預(yù)計(jì)2020年的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6億美元。

圖表4:2018-2020年全球電力電子碳化硅(SiC)市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)(單位:億美元)

4、美國(guó)、日本廠(chǎng)商占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位

在SiC產(chǎn)業(yè)鏈中,龍頭企業(yè)的經(jīng)營(yíng)模式以IDM模式為主,主要的市場(chǎng)份額被德國(guó)Infineon、美國(guó)Cree、日本羅姆以及意法半導(dǎo)體占據(jù);與國(guó)際巨頭相比,國(guó)內(nèi)IDM廠(chǎng)商泰科天潤(rùn)、瑞能半導(dǎo)體以及華潤(rùn)微還有較大差距。

圖表5:全球SiC產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)內(nèi)外廠(chǎng)商情況

從全球碳化硅(SiC)襯底的企業(yè)進(jìn)行情況來(lái)看,2018年,美國(guó)CREE公司占龍頭地位,市場(chǎng)份額達(dá)62%,其次是美國(guó)II-VI公司,市場(chǎng)份額約為16%??傮w來(lái)看,在碳化硅市場(chǎng)中,美國(guó)廠(chǎng)商占據(jù)主要地位。

責(zé)任編輯:gt

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 電源
    +關(guān)注

    關(guān)注

    185

    文章

    18643

    瀏覽量

    260459
  • 新能源汽車(chē)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    141

    文章

    11205

    瀏覽量

    104339
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    336

    文章

    29676

    瀏覽量

    254583
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    破產(chǎn)、并購(gòu)、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤(pán)點(diǎn)2024全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

    帶來(lái)更大的未來(lái)增長(zhǎng)空間。但與此同時(shí),碳化硅產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了過(guò)去幾年的大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)后,2024大量產(chǎn)能落地,而需求增長(zhǎng)不及預(yù)期,產(chǎn)業(yè)加速進(jìn)入了淘汰賽階段。 ? 過(guò)去一,
    的頭像 發(fā)表于 01-05 05:53 ?2.7w次閱讀
    破產(chǎn)、并購(gòu)、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤(pán)點(diǎn)2024<b class='flag-5'>年</b><b class='flag-5'>全球</b><b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>行業(yè)十大事件

    材料與應(yīng)用:第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)

    以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車(chē)、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 10-13 18:29 ?155次閱讀

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基礎(chǔ),將其定位為平面柵碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn),其目標(biāo)不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺(tái)概述 B3M系列是基本半導(dǎo)體
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?239次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    碳化硅第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高
    的頭像 發(fā)表于 08-27 16:17 ?904次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?406次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?644次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>材料</b> |  耐高溫絕緣<b class='flag-5'>材料</b>應(yīng)用方案

    國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu)

    SiC碳化硅MOSFET國(guó)產(chǎn)化替代浪潮:國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場(chǎng)格局重構(gòu) 1 國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 06-07 06:17 ?672次閱讀

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    )和碳化硅(SiC),它們?cè)陔娏﹄娮印⑸漕l和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?1492次閱讀

    淺談 IPv6 行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模與增長(zhǎng)趨勢(shì)

    ,IPv6市場(chǎng)規(guī)模突破300美元
    的頭像 發(fā)表于 05-20 09:17 ?826次閱讀
    淺談 IPv<b class='flag-5'>6</b> 行業(yè)<b class='flag-5'>市場(chǎng)規(guī)模</b>與增長(zhǎng)趨勢(shì)

    2026全球半導(dǎo)體市場(chǎng)暴跌34%

    政策公告下調(diào)了對(duì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的預(yù)測(cè)。假設(shè)適用的關(guān)稅稅率約為10%,預(yù)計(jì)今年的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到
    的頭像 發(fā)表于 04-28 15:42 ?515次閱讀

    中國(guó)成功在太空驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料功率器件

    近日,中國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國(guó)航天電源系統(tǒng)升級(jí)換代,為中國(guó)航天
    的頭像 發(fā)表于 02-11 10:30 ?1128次閱讀

    第三代半導(dǎo)體廠(chǎng)商加速出海

    近年來(lái),在消費(fèi)電子需求帶動(dòng)下,加上新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠(chǎng)商發(fā)展迅速。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 09:43 ?1072次閱讀

    全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)

    近日,根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)最新發(fā)布的市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在未來(lái)幾年
    的頭像 發(fā)表于 12-19 11:48 ?1353次閱讀

    第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展

    當(dāng)前,第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展。其中,新能源汽車(chē)市場(chǎng)的快速發(fā)展是第三代
    的頭像 發(fā)表于 12-16 14:19 ?1170次閱讀

    第三代寬禁帶半導(dǎo)體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì),且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶化合物
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?2337次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b>寬禁帶<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>:<b class='flag-5'>碳化硅</b>和氮化鎵介紹