據(jù)報(bào)道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開(kāi)始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后，SK hynix是第二家達(dá)到這一層數(shù)的NAND制造商。

這是SK hynix的第三代產(chǎn)品，其PUC（Periphery under Cell）設(shè)計(jì)的特點(diǎn)是通過(guò)在存儲(chǔ)器單元陣列下放置外圍邏輯來(lái)減小芯片尺寸，類(lèi)似于英特爾和美光的CMOS下陣列設(shè)計(jì)。（SK hynix將這種管芯布局及其charge trap閃存單元的組合稱(chēng)為“ 4D NAND”。）這一代的變化包括位生產(chǎn)率提高了35％（僅比理論上從128層增長(zhǎng)到176層時(shí)的值稍低），單元讀取速度提高20％。NANDdie和SSD控制器之間的最大IO速度已從128L NAND的1.2GT / s增加到176L NAND的1.6GT / s。

SK海力士已開(kāi)始向SSD控制器公司提供512Gbit TLC部件的樣品，以開(kāi)發(fā)兼容的固件。SK hynix計(jì)劃首先將其176L NAND用于移動(dòng)產(chǎn)品（即UFS模塊），該產(chǎn)品將在明年中期左右推出，其讀取速度提高70％，寫(xiě)入速度提高35％。然后，消費(fèi)者和企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)將跟進(jìn)移動(dòng)產(chǎn)品。SK海力士還計(jì)劃基于其176L工藝推出1Tbit模具。

根據(jù)該公告，SK hynix在即將到來(lái)的3D NAND時(shí)代將具有相當(dāng)?shù)母?jìng)爭(zhēng)力。它們的運(yùn)行時(shí)間可能比美光的計(jì)劃稍晚一些，但美光將其128升的產(chǎn)品用作小容量測(cè)試工具之后，一直在尋求異?？焖俚倪^(guò)渡到176升，以解決因從floating gate轉(zhuǎn)換為charge trap設(shè)計(jì)而引起的任何問(wèn)題。

同時(shí)，英特爾的144L NAND芯片將于明年年初上市，而Kioxia / Western Digital 112L NAND芯片也將隨時(shí)出現(xiàn)。三星的128L NAND幾個(gè)月前開(kāi)始在980 PRO中發(fā)貨。雖然他們尚未正式宣布其下一代規(guī)格，但預(yù)計(jì)明年春季將開(kāi)始生產(chǎn)，其層數(shù)約為176L，并將成為三星的首款使用string stacking的技術(shù)的產(chǎn)品。

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據(jù)美媒Anandtech報(bào)道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲(chǔ)器合作解散以來(lái)推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。

美光公司的上一代3D NAND采用的是128層設(shè)計(jì)，這是它們的短暫過(guò)渡節(jié)點(diǎn)，可幫助他們解決向陷阱閃存切換碰到的任何問(wèn)題。美光的128L閃存在市場(chǎng)上的占有率極低，因此在許多情況下，他們的新型176L閃存也將替代其96L 3D NAND。

根據(jù)報(bào)道，美光并沒(méi)有披露其176L NAND的更多技術(shù)細(xì)節(jié)。但就目前而言，我們知道他們的第一個(gè)176L部件是使用兩個(gè)88層平臺(tái)的字符串堆疊（string stacking ）構(gòu)建的512Gbit TLC芯片，就可以制造多少層NAND閃存單元而言，美光現(xiàn)在似乎僅次于三星。

報(bào)道進(jìn)一步指出，在使用電荷陷阱單元設(shè)計(jì)替代柵極設(shè)計(jì)之后，美光似乎已大大降低了閃存每一層的厚度。數(shù)據(jù)顯示，176L裸片的厚度僅為45μm，總厚度與美光公司的64L浮柵3D NAND相同。

而一個(gè)16 die堆疊式封裝的厚度不到1.5mm，這適合大多數(shù)移動(dòng)和存儲(chǔ)卡使用場(chǎng)景。與上一代的Micron 3D NAND一樣，芯片的外圍邏輯大部分是在NAND存儲(chǔ)單元堆棧下制造的，Micron將該技術(shù)稱(chēng)為“CMOS under Array”（CuA）。這幫助美光帶來(lái)了一些最小的裸片尺寸，美光估計(jì)他們的176L 512Gbit裸片比其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手目前提供的最佳裸片小約30％。

從報(bào)道我們還可以看到，美光的176L NAND支持的接口速度為1600MT / s，高于其96L和128L閃存的1200MT / s。比其他解決方案高33％。就容量而言，176層管芯可以容納20-30小時(shí)的1920x1080p視頻。

與96L NAND相比，讀（寫(xiě)）延遲改善了35％以上，與128L NAND相比，改善了25％以上。與使用96L NAND的UFS 3.1模塊相比，美光科技的總體混合工作負(fù)載改善了約15％。

美光公司的176L 3D NAND目前其新加坡工廠(chǎng)制造，并已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)，并且已經(jīng)在一些Crucial品牌的消費(fèi)類(lèi)SSD產(chǎn)品中發(fā)貨。但是，美光尚未說(shuō)明哪些特定Crucial產(chǎn)品現(xiàn)在正在使用176L NAND（就此而言，則使用其128L NAND），因此我們希望目前這是一個(gè)相當(dāng)小批量的產(chǎn)品。

盡管如此，在明年，我們應(yīng)該能看到美光176L NAND的產(chǎn)量提高到比其128L工藝所能達(dá)到的更高的水平，并且我們可以期望發(fā)布基于此176L NAND的各種各樣的產(chǎn)品，并取代大多數(shù)使用其96L NAND的產(chǎn)品。

美光方面表示，公司的176層NAND具有里程碑式的意義，這有幾個(gè)原因。一方面，該技術(shù)的密度是早期3D NAND設(shè)計(jì)的近10倍，這就意味著智能手機(jī)可以做更多的事情，可以存儲(chǔ)更多的東西；其次，對(duì)于更多的人來(lái)說(shuō)價(jià)格甚至更低，從而改善了他們的日常生活。

他們進(jìn)一步支持，這種新型176層器件不僅比以前的器件密度更高，而且還通過(guò)創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)融合了業(yè)界最高的數(shù)據(jù)傳輸速率。美光公司的工程師設(shè)計(jì)并建造了這種超高密度存儲(chǔ)，同時(shí)對(duì)NAND進(jìn)行了重大的架構(gòu)更改，這將使下游設(shè)備的創(chuàng)新在未來(lái)數(shù)年內(nèi)得以實(shí)現(xiàn)。
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