芯片巨頭“美光”11月10日正式宣布，將向客戶交付176層TLC NAND閃存。

這使得“美光”成為全球第一家量產(chǎn)176層TLC NAND閃存的芯片商。

176層NAND支持的接口速度為 1600MT / s，高于其96層和128層閃存的 1200MT/s。與 96L NAND相比，讀（寫(xiě)）延遲提高了35% 以上，與128LNAND 相比，提高了25%以上。美光表示其176層3D NAND已開(kāi)始批量生產(chǎn)，已經(jīng)搭載在某些英睿達(dá)的消費(fèi)級(jí)SSD產(chǎn)品中。

美光表示，新的176層NAND的厚度僅為一張打印紙的五分之一，盡管其堆疊層數(shù)已經(jīng)達(dá)到了原來(lái)的64層NAND的兩倍，但厚度仍可以控制在和以前64層NAND顆粒同樣的水平。176層設(shè)計(jì)來(lái)自將兩個(gè)88層堆棧堆疊在一起，之前的128層和96層TLC其實(shí)就是這種技術(shù)的產(chǎn)物。由于仍然是TLC NAND顆粒而不是QLC，因此新的產(chǎn)品理論上也會(huì)有更好的耐久性。

美光還表示，公司的176層NAND具有里程碑式的意義：一方面，目前該技術(shù)達(dá)到的顆粒密度已經(jīng)是早期3D NAND設(shè)計(jì)的近10倍，意味著同體積的NAND顆?？梢源鎯?chǔ)更多的東西；其次，對(duì)于價(jià)格的影響，閃存顆粒在密度上的提升最終會(huì)作用到產(chǎn)品的售價(jià)上，雖然這兩年的存儲(chǔ)市場(chǎng)不能算很太平，但總體上，價(jià)格還是在逐漸慢降低。

原文標(biāo)題：芯片大突破

文章出處：【微信公眾號(hào)：5G】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

責(zé)任編輯：haq