2020年開啟的5G商用時代，對手機等終端的性能提出更高的要求，促使射頻器件的成本與所需數(shù)量雙提升。

這種變化的直接結(jié)果就是射頻前端模塊化的程度不斷提高。作為手機通信系統(tǒng)的核心組件，射頻前端的性能直接決定了移動終端可以支持的通信模式，以及接收信號強度、通話穩(wěn)定性、發(fā)射功率等重要性能指標，進而影響終端用戶的通信質(zhì)量。模塊化能在提高集成度的同時保證產(chǎn)品性能，因此成為行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。

不斷演進的模塊化

回溯歷史，從分立器件到FEMiD（集成雙工器的射頻前端模塊，F(xiàn)ront-End Module with Integrated Duplexer），再到PAMiD（集成雙工器的功放模塊，Power Amplifier Module with integrated Duplexer ），射頻前端集成化的趨勢愈加明顯。

在4G時代，射頻前端以分立和模塊兩種方式并立于世。出于空間和成本的考量，高端手機往往會采用射頻前端模塊。2016年以后，模塊方式漸成為主流，先后有ASM、FEMiD登上舞臺，最后演進出集成了多模多頻PA、RF開關(guān)、濾波器等元件的PAMiD模組。

“接下來，將低噪聲放大器（LNA）集成到PAMiD中，是推動射頻前端模塊繼續(xù)發(fā)展的重要動力之一?！?a href="http://qiaming.cn/tags/qorvo/" target="_blank">Qorvo華北區(qū)應(yīng)用工程經(jīng)理張杰表示。

隨著5G 商業(yè)化落地，智能手機中天線和射頻通路的數(shù)量將顯著增多，對射頻低噪聲放大器的數(shù)量需求會迅速增加，而手機PCB卻沒有更多的空間。在這種情況下，從PAMiD到L-PAMiD，射頻前端模塊可以實現(xiàn)更小尺寸（節(jié)省面積達35-40mm2），支持更多功能。

張杰認為模塊化有幾大優(yōu)勢：首先是統(tǒng)一的封裝，避免了器件的單獨重復(fù)封裝；第二是省去PCB上大量的走線，使其布局更為靈活；第三則是解決了分立器件的兼容性問題。

不過，“隨著PCB面積越來越緊湊，器件的布局非常緊密，功能模塊同時在工作，互擾成為非常難解決的問題?！睆埥苤赋觯虼诵枰猂F屏蔽技術(shù)來降低與EMI及RFI相關(guān)的輻射。這就引出了PAMiD的上重要技術(shù)——自屏蔽。

降干擾要靠自屏蔽

Qorvo采用的RF屏蔽技術(shù)被成為Micro Shield，是目前領(lǐng)先的自屏蔽技術(shù)。

該技術(shù)就是在模塊的表面再涂一層合金，取代原來外置的機械屏蔽罩，以起到屏蔽干擾信號的作用。最早一代的Micro Shield技術(shù)可將當時RF的高度和體積分別降低15%和25%。

“從5G時代的集成化趨勢來看，L-PAMiD和自屏蔽技術(shù)既相輔相成，又將是手機射頻前端模塊未來發(fā)展的兩個重要方向?！盦orvo封裝工藝工程部副總監(jiān)趙永欣表示。

因為外部 LNA 通常在位置上不靠近功放，因此，PAMiD 對 RF 自屏蔽的需求并不高。但伴隨著 5G 時代對 L-PAMiD 需求的增加，如果外置機械屏蔽罩設(shè)計不正確，L-PAMiD 的靈敏度將會受到嚴重的影響。因此，受惠于 5G 時代的來臨，Micro Shield 自屏蔽技術(shù)的重要性得以充分體現(xiàn)。

從架構(gòu)上來說，采用Micro Shield自屏蔽技術(shù)的L-PAMiD能使其表面電流減少100倍，這相當于其射頻前端模塊自帶屏蔽罩，無需再思考機械屏蔽罩的放置問題。

L-PAMiD和Micro Shield 自屏蔽技術(shù)目前還僅在高端手機上采用。不過，以5G的推進速度來看，L-PAMiD和Micro Shield技術(shù)成熟指日可待。

“今年下半年，市場中就會出現(xiàn)采用具備Micro Shield自屏蔽技術(shù)和L-PAMiD射頻前端模塊的中低端手機。”趙永欣預(yù)測。
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