三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個相距很近的 PN 結，兩個 PN 結把整塊半導體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有 PNP 和 NPN 兩種。

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三極管的基本結構

晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有 NPN 和 PNP 兩種結構形式，但使用最多的是硅 NPN 和鍺 PNP 兩種三極管，（其中，N 是負極的意思（代表英文中 Negative），N 型半導體在高純度硅中加入磷取代一些硅原子，在電壓刺激下產(chǎn)生自由電子導電，而 P 是正極的意思（Positive）是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的。

對于 NPN 管，它是由 2 塊 N 型半導體中間夾著一塊 P 型半導體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的 PN 結稱為發(fā)射結,而集電區(qū)與基區(qū)形成的 PN 結稱為集電結,三條引線分別稱為發(fā)射極 e （Emitter）、基極 b (Base)和集電極 c (Collector)。

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三極管的基本分類

a. 按材質分: 硅管、鍺管

b. 按結構分: NPN 、 PNP

c. 按功能分: 開關管、功率管、達林頓管、光敏管等 .

d. 按功率分：小功率管、中功率管、大功率管

e. 按工作頻率分：低頻管、高頻管、超頻管

f. 按結構工藝分：合金管、平面管

g. 按安裝方式:插件三極管、貼片三極管

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三極管的主要參數(shù)

三極管的參數(shù)有很多，可以分成三大類：直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)。

1．直流參數(shù)

（1）集電極—基極反向飽和電流 Icbo

集電極—基極反向飽和電流是指發(fā)射極開路時，基極和集電極之間加上規(guī)定的反向電壓 Ucb 時的集電極反向電流。

（2）集電極—發(fā)射極反向電流 Iceo

集電極—發(fā)射極反向電流也稱穿透電流，是指基極開路時，集電極和發(fā)射極之間加上規(guī)定電壓 Vce 時的集電極電流。

（3）發(fā)射極—基極反向電流 Iebo

發(fā)射極—基極反向電流是指集電極開路時，在發(fā)射極與基極之間加上規(guī)定的反向電壓時發(fā)射極的電流，它實際上是發(fā)射結的反向飽和電流。

（4）直流電流放大系數(shù)（或 hFE）

直流電流放大系數(shù)是指采用共發(fā)射極接法，沒有交流信號輸入時，集電極的直流電流與基極的直流電流的比值。

2．交流參數(shù)

（1）交流電流放大系數(shù)β（或 hFE）

交流電流放大系數(shù)是指采用共發(fā)射極接法時，集電極輸出電流的變化量ΔIC 與基極輸入電流的變化量ΔIB 之比。

（2）截止頻率 fβ、fα

晶體管的頻率參數(shù)描述晶體管的電流放大系數(shù)對高頻信號的適應能力。根據(jù) fβ的定義，所謂共射截止頻率，并非說明此時晶體管已經(jīng)完全失去放大作用，而只是共射電流放大系數(shù)的幅頻特性下降了 3dB。

（3）特征頻率因為信號頻率?上升時，晶體管的β就下降，當β下降到 1 時，所對應的信號頻率稱為共發(fā)射極特征頻率，是表征晶體管高頻特性的重要參數(shù)。

3．極限參數(shù)

（1）集電極最大允許電流 ICM

集電極最大允許電流是指當集電極電流 IC 增加到某一數(shù)值，引起β值下降到額定值的 2/3 或 1/2 時的 IC 值。所以當集電極電流超過集電極最大允許電流時，雖然不致使管子損壞，但β值顯著下降，影響放大質量。

（2）集電極—基極擊穿電壓 U（BR）CBO

集電極—基極擊穿電壓是指當發(fā)射極開路時，集電結的反向擊穿電壓。

（3）發(fā)射極—基極反向擊穿電壓 U（BR）EBO

發(fā)射極—基極反向擊穿電壓是指當集電極開路時，發(fā)射結的反向擊穿電壓。

（4）集電極—發(fā)射極擊穿電壓 U（BR）CEO

集電極—發(fā)射極擊穿電壓是指當基極開路時，加在集電極和發(fā)射極之間的最大允許電壓，使用時如果 UCE＞U（BR）CEO，管子就會被擊穿。

（5）集電極最大允許耗散功率 PCM

集電極最大允許耗散功率是指管子因受熱而引起參數(shù)的變化不超過允許值時的最大集電極耗散功率。

審核編輯 黃昊宇